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国家高技术研究发展计划(2006AA03Z360)

作品数:6 被引量:24H指数:2
相关作者:刘波封松林宋志棠沈菊冯高明更多>>
相关机构:中国科学院硅存储技术公司中国科学院研究生院更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划上海市科学技术委员会资助项目更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术自然科学总论理学更多>>

领域

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主题

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机构

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资助

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传媒

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地区

  • 8个上海市
8 条 记 录,以下是 1-8
宋志棠
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:相变存储器 相变 相变材料 存储器 电阻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘波
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:相变存储器 相变材料 相变 存储器 电阻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
封松林
供职机构:中国科学院上海高等研究院
研究主题:相变存储器 相变材料 相变 电阻 存储器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
冯高明
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:相变存储器 刻蚀 相变 相变材料 化学机械抛光
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴良才
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:相变存储器 相变材料 结晶温度 相变 存储器单元
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
沈菊
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:相变存储器 电流镜 互补金属氧化物半导体 基准电压 偏置电流
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐成
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:功耗 相变 存储器单元 相变存储器 相变材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱加兵
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:CMOS带隙基准 互补金属氧化物半导体 温度系数 电源抑制比 电压源设计
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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