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华南理工大学理学院微电子研究所: 作品数：59 被引量：155H指数：7; 相关作者：陈荣盛华卓立李炜万艳陈智荣更多>>; 相关机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所广西大学物理科学与工程技术学院南开大学生命科学学院生物活性材料教育部重点实验室更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金国家高技术研究发展计划更多>>; 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程机械工程更多>>

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从PCI接口的综合验证方法被引量：3: 2007年; 当今流行的先进的验证技术有很多,本文综合使用了OVL(OpenVerificationLibrary)断言验证、总线功能模型BFM(BusFunctionModule)层次化验证和FPGA(FieldProgrammableGateArray)硬件加速仿真这三种验证技术,搭建一个从PCI(PeripheralComponentInterconnect)接口的验证环境.实验表明,该验证环境增强了验证的可重用性、可控性,极大地减少了仿真的工作量,提高了验证的效率.; 邓婉玲郑学仁刘伟俭; 关键词：断言 FPGA

动态偏置频率对X射线总剂量效应的影响被引量：2: 2008年; 辐射偏置条件是影响MOSFET(Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor),总剂量辐射效应的主要因素之一,因为辐射时栅氧化层中电荷的产生、传输与俘获都与辐射偏置有关。本文采用10 keV X射线对MOSFET在不同频率的动态偏置条件下进行总剂量辐射,分析了MOSFET辐照前后的阈值电压的漂移量和辐射感生电荷对阈值电压的影响。实验结果表明,动态偏置频率越高,辐射对MOSFET电特性的影响越小,产生的辐射感生电荷越少。; 何玉娟师谦罗宏伟恩云飞章晓文李斌刘远

多晶硅薄膜晶体管kink效应的建模被引量：1: 2008年; 从kink效应产生的物理机理出发,介绍了目前国内外研究多晶硅薄膜晶体管kink电流所采用的两种主要方法.一种是基于面电荷的方法,另一种是基于求雪崩倍增因子的方法.kink效应具体表现为器件在饱和区跨导和漏电流的显著增加.在数字电路中,kink效应会引起功耗的增加和开关特性的退化;而在模拟电路中,kink效应将降低最大增益和共模抑制比.因此,多晶硅薄膜晶体管kink效应的研究对液晶显示的发展具有重大意义.; 陈婷李斌; 关键词：多晶硅薄膜晶体管 KINK效应面电荷

MOS器件的X射线辐照效应被引量：3: 2005年; 研究了在10 keV X射线辐照情况下,MOS器件的阈值电压随总剂量和剂量率的改变而变化的趋势。实验结果表明,辐照后,与用Co60作为辐射源辐照所做实验结果明显不同的是,NMOS器件的阈值电压漂移幅度远大于PMOS器件的漂移幅度。文中对这种现象进行了讨论。; 刘远李若瑜恩云飞李斌罗宏伟师谦; 关键词：MOS器件辐照剂量率总剂量 X射线

A New Poly-Si TFTs DC Model for Device Characterization and Circuit Simulation: 2007年; A new physical current-voltage model for polysilicon thin-film transistors （poly-Si TFTs） is presented. Taking the V-shaped exponential distribution of trap states density into consideration,explicit calculation of surface potential is derived using the Lambert W function, which greatly improves computational efficiency and is critical in circuit simulation. Based on the exponential density of trap states and the calculated surface potential, the drain current characteristics of the subthreshold and the strong inversion region are predicted. A complete and unique drain current expression, including kink effect, is deduced. The model and the experimental data agree well over a wide range of channel lengths and operational regions.; 邓婉玲郑学仁陈荣盛

SOI MOSFET器件X射线总剂量效应研究被引量：6: 2006年; 研究了以10keV X射线为辐照源对注氧隔离(SIMOX)SOI MOSFET器件进行辐照的总剂量效应。采用ARACOR 10keV X射线对埋氧层加固样品与未加固的对比样品在开态和传输门态两种辐照偏置下进行辐照,分析了器件的特性曲线,并计算了SOI MOS器件前栅与寄生背栅晶体管辐照前后的阈值电压的漂移。实验结果表明,加固样品的抗辐射性能优越,且不同的辐照偏置对SOI MOSFET器件的辐照效应产生不同的影响。; 何玉娟师谦李斌林丽张正选; 关键词：X射线总剂量辐射效应绝缘体上硅注氧隔离

MEMS及微机械加速度计可靠性研究: 由于MEMS器件的应用日益频繁,MEMS可靠性研究就显得十分重要.本文介绍了引起可靠性问题的方面,以微机械加速度计为例,指出了徽加速度计的可靠性问题,以及对其可靠性测试研究的内容.; 许建军孔学东李斌师谦; 关键词：微系统技术集成电路可靠性分析; 文献传递

无电流环的PMSM控制系统仿真与实验研究被引量：6: 2010年; 在分析永磁同步电动机(PMSM)数学模型的基础上,提出一种无电流环的控制方法,从而构成基于SVPWM的永磁同步电机控制系统。本文首先在Matlab/Simulink环境下对该控制系统进行仿真,并在此基础上,采用FPGA芯片EP1C6Q240C8作为控制核心,设计了一个用于定位系统的永磁同步电机控制系统。系统运行结果说明,无电流环的控制方法构成的控制系统性能良好,能满足部分定位系统的要求。; 黄伟钿陈建宾; 关键词：空间矢量脉宽调制 SIMULINK 永磁同步电机

基于PCI总线的IP仿真验证平台的WDM驱动程序设计被引量：8: 2005年; 该文介绍了在Windows2000/XP下,开发基于PCI总线的IP仿真验证平台的WDM设备驱动程序和应用程序的基本方法,以DCT/IDCT(逆离散余弦变换)的IP为例给出平台的实际应用。并指出广泛使用的开发工具DriverStu-dio2.7的一些严重漏洞。; 陈国辉郑学仁; 关键词：WDM DRIVERSTUDIO

二维DCT\IDCT的FPGA实现及验证方法被引量：1: 2005年; 通过对图像编码的核心技术之一离散余弦变换算法的研究,实现了基于PCI总线的二维离散余弦(逆)变换芯核的设计。该设计采用查找表法和流水线技术来减少硬件开销和提高速度;通过改变1-D DCT/IDCT的算法结构来减少查找表占用内部存储器的空间。把设计的离散余弦(逆)变换芯核作为IP软核,在基于PCI环境的RTL仿真平台上进行功能仿真和综合,最后下载到FPGA中,在本单位研制的基于PCI总线的IP测试平台进行硬件验证。实验结果表明,该IP核在平台中工作的最高频率可以达到77MHz。; 陈玲晶郑学仁范健民陈国辉邓婉玲; 关键词：离散余弦变换 PCI总线图像压缩