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南京电子器件研究所

作品数：2,405 被引量：3,149H指数：16
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  • 817个江苏省
共 817 条 记 录，以下是 1-10
薛舫时
作品数：123被引量：111H指数：7
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：HFET 电流崩塌 GAN 势垒 沟道
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
贾正根
作品数：111被引量：137H指数：5
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：液晶显示器 CRT 显示器件 液晶显示 PDP
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈辰
作品数：108被引量：108H指数：6
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 ALGAN/GAN ALGAN/GAN_HEMT 氮化镓 4H-SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林金庭
作品数：101被引量：139H指数：7
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAAS 砷化镓 MMIC 单片 微波单片集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李忠辉
作品数：98被引量：84H指数：4
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：氮化镓 GAN MOCVD 二维电子气 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
董逊
作品数：92被引量：58H指数：4
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：氮化镓 高电子迁移率晶体管 二维电子气 势垒 成核
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周建军
作品数：84被引量：57H指数：4
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：氮化镓 GAN ALGAN ALGAN/GAN 分布布拉格反射镜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
柏松
作品数：80被引量：122H指数：6
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：SIC 4H-SIC 碳化硅 SIC_MESFET MESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈新宇
作品数：70被引量：84H指数：5
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 开关 GAAS_MMIC 微波单片集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邵凯
作品数：64被引量：45H指数：4
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 射频开关 微波功率器件 GAAS_PHEMT 手机
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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