尤伟
- 作品数：4 被引量：6H指数：1
- 供职机构：兰州大学核科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 离子注入GaN的光学和电学特性研究
- 宽带隙半导体材料——GaN，由于其优良的物理和化学性质，使其在短波区发光器件、极端条件(譬如辐射环境)器件等领域有着重要和广泛的应用潜力和良好的市场前景。故而，对于GaN材料掺杂研究成为目前半导体材料研究领域的热点之一。...
- 尤伟
- 关键词：离子注入GAN材料电学特性光学特性
- 文献传递
- O、C离子注入n型GaN的黄光发射研究被引量：1
- 2008年
- 采用光致发光（Photoluminescence，PL）谱的测量，研究了10^13-10^17cm^-2。的O和C两种离子注入和退火对非有意掺杂的n型GaN黄光发射（Yellow luminescence，YL）的影响，注入后的样品在流动N2的保护下进行退火，退火温度950℃，退火时间30min。对比相同剂量下N离子注入GaN黄光发射，结果表明O、C两种离子的注入在GaN中分别引入了与黄光发射相关的不同的深能级中心，当C离子注入剂量高达10^17cm^-2时，能引起黄光发射的C相关的深能级中心显著增多。
- 张利民张小东尤伟王文秀葛琴刘正民
- 关键词：GAN离子注入光致发光谱
- 离子注入n型GaN光致发光谱中宽黄光发射带研究被引量：4
- 2006年
- 利用离子注入方法和光致发光技术系统研究了注入离子对n型GaN宽黄光发射带的影响.实验采用的注入离子为:N,O,Mg,Si和Ga,剂量分别为1013,1014,1015和1016/cm2,注入温度为室温.注入后的样品在900℃流动氮气环境下进行热退火,退火时间为10min,并对退火前后的样品分别进行室温光致发光测量.通过实验数据的分析,独立提出了提取注入离子对晶体黄光发光特性影响的半经验模型.利用该模型导出的公式,可以确定注入的N,O,Ga,Mg和Si离子对黄光发射带的影响随注入剂量的变化关系以及该影响的相对强弱.
- 张小东林德旭李公平尤伟张利民张宇刘正民
- 关键词：氮化镓光致发光谱离子注入
- N、O、Ga、Mg和Si离子注入n型GaN样品的光致发光谱中蓝光发射带的研究
- 2006年
- 采用光致发光手段研究了几种不同注入离子N、O、Mg、Si和Ga对n型GaN蓝光发射带的影响。其中离子的注入剂量分别为1013、1014、1015和1016cm-2,注入温度为室温。注入后的样品在900℃流动氮气环境下进行10min的热退火。通过对实验测得的光致发光谱的分析,给出了不同注入离子对n型GaN蓝光发射带的影响随注入剂量的变化关系以及该影响的相对强弱,进而确定蓝光发射起源于注入离子引入的间位缺陷。
- 张小东李公平张利民尤伟张宇刘正民林德旭
- 关键词：氮化镓光致发光谱离子注入
