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基于Multisim12的直接耦合放大电路分析被引量：5: 2018年; 以一个实际直接耦合放大电路为例,从静态和动态两方面,分析讨论了直接耦合放大电路的分析方法。强调了正确的静态分析在放大电路分析中的重要性。应用Multisim 12.0电路仿真软件对该放大电路进行模拟仿真,并对模拟仿真结果和分析计算结果进行了比较讨论,论证了直接耦合放大电路分析方法的正确性。; 赵江涛王强方开洪关兴彩蒙萱张利民; 关键词：放大电路

He^(2+)注入六方SiC晶体损伤效应的拉曼光谱研究: 2018年; 利用拉曼光谱研究了He^(2+)注入六方SiC晶体样品时的损伤缺陷随注量的变化关系,并采用直接碰撞/缺陷模拟模型与多级损伤累积模型,模拟了室温及723,873,1023K下晶体样品的无序度随注量的变化关系。测试结果表明:随着注量的增加,晶体样品无序度增大,样品的拉曼特征峰强度减小。; 韩驿彭金鑫李炳生王志光魏孔芳刘会平张利民; 关键词：碳化硅离子注入拉曼光谱

堆用SiC辐照温度监控器的研究进展被引量：1: 2023年; 碳化硅(SiC)晶体可以用作无源监控器测量反应堆的中子辐照温度,在未来高温强辐射的先进核反应堆中具有重要的应用前景。SiC测温技术自20世纪60年代被首次提出以来,基于SiC结构、热学和电学性质的中子辐照效应,人们建立了宏观尺寸法、质量密度法、热导率法和电阻率法等各种SiC测温方法。本文首先综述了这些SiC测温方法的基本原理和工作特点,然后着重介绍了中国原子能科学研究院(China Institute of Atomic Energy,CIAE)SiC测温系统的研究进展,通过中子辐照诱导SiC晶格肿胀的理论计算,分析和验证了该系统测温结果的可靠性,探讨了进一步提高SiC测温效率的实验方法。; 刘心语张利民宁广胜钟巍华王绳鸿何安平

O、C离子注入n型GaN的黄光发射研究被引量：1: 2008年; 采用光致发光（Photoluminescence，PL）谱的测量，研究了10^13-10^17cm^-2。的O和C两种离子注入和退火对非有意掺杂的n型GaN黄光发射（Yellow luminescence，YL）的影响，注入后的样品在流动N2的保护下进行退火，退火温度950℃，退火时间30min。对比相同剂量下N离子注入GaN黄光发射，结果表明O、C两种离子的注入在GaN中分别引入了与黄光发射相关的不同的深能级中心，当C离子注入剂量高达10^17cm^-2时，能引起黄光发射的C相关的深能级中心显著增多。; 张利民张小东尤伟王文秀葛琴刘正民; 关键词：GAN 离子注入光致发光谱

特种玻璃材料的辐照损伤机理及评价方法研究: 硼硅酸盐玻璃是当前国际上主要使用的高放废物固化材料。但国内缺乏相关研究。特别是在高强度α、β和γ混合场中,玻璃材料的辐射损伤机理研究与评价方法研究尚处起步阶段。本工作结合国家核能发展需求,利用质子、重离子、电子束辐照技术...; 杨坤杰张利民彭海波张根发王大伟李晨星王铁山; 关键词：高放废物硼硅酸盐玻璃辐照效应拉曼光谱; 文献传递

硼硅酸盐玻璃的带电粒子辐射损伤效应研究: 本工作旨在研究常用的放射性固化候选材料——硼硅酸盐玻璃的带电粒子辐射损伤效应。研究中使用2.5MeV的质子和100keV的Xe离子辐照硼硅酸盐玻璃,以模拟α粒子和反冲核; 杨坤杰张利民张晓航王铁山张根发蕫兆雄王广甫; 关键词：硼硅酸盐玻璃辐照效应拉曼光谱

Xe离子辐照导致InGaN薄膜化学组分与表面形貌的变化: 2022年; 在室温和773 K下,使用能量为5 MeV,注量为3×10^(13),6×10^(13)cm^(-2)的Xe离子辐照了不同组分的In_(x)Ga_(1-x)N(x=0.32,0.47,0.7,0.8,0.9,1.0)薄膜。利用X射线光电子能谱和光学显微镜对辐照前后薄膜的化学组分和表面形貌进行了表征。结果表明,Xe离子辐照造成了In_(x)Ga_(1-x)N薄膜的辐射分解和表面氧化,氧化程度随In组分x的增加而增强。与室温下的离子辐照相比,在773 K温度下进行辐照时,薄膜中辐照缺陷的积聚速率明显减慢;但当离子注量从3×10^(13)cm^(-2)增加至6×10^(13)cm^(-2)时,薄膜的损伤速率显著加快。与富Ga组分的In_(x)Ga_(1-x)N(x<0.5)薄膜不同,富In组分的薄膜在Xe离子辐照后发生了起皮和剥落现象,表现出明显较差的抗辐照能力。; 刘宁张利民李治明刘雪婷彭金鑫张硕王铁山郭红霞; 关键词：INGAN 重离子辐照化学组分表面形貌

离子注入n型GaN光致发光谱中宽黄光发射带研究被引量：4: 2006年; 利用离子注入方法和光致发光技术系统研究了注入离子对n型GaN宽黄光发射带的影响.实验采用的注入离子为:N,O,Mg,Si和Ga,剂量分别为1013,1014,1015和1016/cm2,注入温度为室温.注入后的样品在900℃流动氮气环境下进行热退火,退火时间为10min,并对退火前后的样品分别进行室温光致发光测量.通过实验数据的分析,独立提出了提取注入离子对晶体黄光发光特性影响的半经验模型.利用该模型导出的公式,可以确定注入的N,O,Ga,Mg和Si离子对黄光发射带的影响随注入剂量的变化关系以及该影响的相对强弱.; 张小东林德旭李公平尤伟张利民张宇刘正民; 关键词：氮化镓光致发光谱离子注入

高温离子束辐照导致无定形碳化硅的晶化研究: 碳化硅(SiC)作为先进的核结构材料,在反应堆中应用会受到高温离子辐照的影响.本工作使用3 MeV Kr离子分别辐照了由脉冲激光沉积法制备的和由离子预辐照单晶SiC导致的无定形SiC薄膜,薄膜厚度约为1.5 μm.Kr离...; 潘成龙张利民陈亮艾文思王铁山; 关键词：碳化硅离子辐照晶化 RAMAN光谱

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张利民