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张敏

作品数：17 被引量：11H指数：2
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
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相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 17篇中文期刊文章

领域

  • 17篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 7篇转换器
  • 5篇模数转换
  • 5篇模数转换器
  • 4篇电路
  • 4篇磷化铟
  • 4篇BIT
  • 4篇INP
  • 3篇射频
  • 3篇数字射频
  • 3篇数字射频存储
  • 3篇数字射频存储...
  • 3篇相位
  • 3篇相位量化
  • 3篇晶体管
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  • 3篇GS
  • 2篇带宽
  • 2篇异质结
  • 2篇异质结双极晶...
  • 2篇数据采集

机构

  • 17篇南京电子器件...
  • 7篇南京国博电子...
  • 4篇东南大学
  • 2篇北京大学
  • 2篇南京邮电大学

作者

  • 17篇张敏
  • 14篇张有涛
  • 12篇李晓鹏
  • 7篇陈新宇
  • 4篇钱峰
  • 4篇杨磊
  • 3篇刘奡
  • 3篇王志功
  • 3篇陈辰
  • 2篇金玉丰
  • 2篇程伟
  • 2篇张翼
  • 1篇张敏
  • 1篇淦华
  • 1篇朱韫晖
  • 1篇孔月婵
  • 1篇鲁文高
  • 1篇孟桥
  • 1篇周建军
  • 1篇王冠男

传媒

  • 12篇固体电子学研...
  • 2篇光电子技术
  • 1篇电子器件
  • 1篇微波学报
  • 1篇电子与封装

年份

  • 1篇2020
  • 2篇2019
  • 2篇2017
  • 3篇2014
  • 3篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇1995
共 17 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
16 Gb/s GaN数模转换器芯片
2017年
南京电子器件研究所基于76．2mm（3英寸）0．1μm GaN工艺，采用f1／fmax分别为100GHz／165GHz的耗尽型晶体管设计，首次研制出16Gb／s的3bit DAC芯片。该芯片内核面积约为1．20mm×0．15mm。
张有涛孔月婵张敏周建军张凯
关键词：DAC芯片B/SGAN晶体管设计耗尽型
正显示反射型LCD的测量结果分析被引量：3
1995年
本文简述了照明光源对正显示反射型LCD测量结果的影响。由于镜向反射严重地影响了测量结果，因而点光源照明不适用于正显示反射型LCD的电光特性的测量。在评价LCD性能中，为确保测量结果的准确性和可重复性，有必要重视下列几点：（1）全面地注明测量条件；（2）根据象素的形状和大小合理地选择测量光斑；（3）消除在观测显微镜偏转时，LCD前玻璃产生的视差。
张敏
关键词：LCD显示器件
单通道8bit 1.4 GS/s折叠内插ADC
2011年
基于0.18μm CMOS工艺设计并实现了一种8 bit 1.4 GS/s ADC。芯片采用多级级联折叠内插结构降低集成度,片内实现了电阻失调平均和数字辅助失调校准。测试结果表明,ADC在1.4 GHz采样率下,有效位达6.4bit,功耗小于480 mW。文章所提的综合校准方法能够有效提高ADC的静态和动态性能,显示出其在超高速ADC中的必要性。
张有涛李晓鹏张敏刘奡钱峰陈辰
关键词：折叠内插
10.5GHz1:2静态分频器设计与实现被引量：1
2008年
采用0.18μm CMOS工艺设计并实现了1∶2静态分频器。设计中为达到高速率和高灵敏度,对传统的SCFL结构D触发器进行了拓扑及版图优化。测试结果表明,电源电压为1.8V时,该分频器最高工作频率高于10.5GHz,最低工作频率低于2.5MHz(受测试条件限制),输入信号0dBm时的工作频率范围为2.5MHz～9.4GHz,芯片核心功耗9mW,核心面积50μm×53μm。
张敏张有涛陈新宇
关键词：分频器触发器互补金属氧化物半导体集成电路
基于InP DHBT工艺的32.2 GHz超高速全加器
2019年
介绍了一种基于0.7μm磷化铟(InP)双异质结双极型晶体管(DHBT)工艺的超高速全加器,将加法运算与数据同步锁存融合设计来提高计算速度,采用多数决定运算法则设计单层晶体管并联型进位电路来降低功耗。测试结果表明,全加器的最高时钟频率达32.2 GHz,包含锁存器的全加器整体电路功耗为350 mW。
李晓鹏王志功王志功张敏张有涛张翼张敏
关键词：全加器磷化铟超高速电路
8bit1．4GS／s模数转换器
2010年
张有涛李晓鹏刘奡张敏钱峰陈辰
关键词：高速模数转换器高速ADC高速数据采集校准技术软件无线电数字化雷达
基于三维集成的红外焦平面阵列技术
2013年
随着像素单元越来越小、阵列规模越来越大、帧频越来越快,传统的IRFPA面临很大的集成技术发展瓶颈。基于三维集成的红外焦平面阵列(3D-IRFPA)通过堆叠芯片集成了A/D转换器、数字信号处理器、存储器等模块,可突破像元面积、阵列规模、帧频等瓶颈,实现探测器更强大的功能和更高的性能。本文介绍了3D-IRFPA技术的结构原理、优势、面临的挑战,以及最新技术进展。
鲁文高张敏王冠男朱韫晖金玉丰
关键词：红外焦平面阵列模数转换器非均匀性校正
26GS／s单bit量化降速芯片被引量：2
2013年
基于1μm GaAs HBT工艺设计并实现了一种26GS/s单bit量化降速芯片。芯片采用树形级联架构,集成前端宽带比较器,综合优化各级降速单元拓扑,在功耗、速度各方面达到最优化。测试结果表明,芯片在26GS/s转换速率下,其SFDR大于8dBc,数据带宽达13GHz,显示出其在电子对抗及高速数据处理方面的潜力。
张有涛李晓鹏张敏陈新宇杨磊
关键词：D触发器异质结双极晶体管
基于InP HBT的5 GS/s采样保持电路设计被引量：1
2017年
基于0.7μm、ft=280 GHz的InP HBT工艺设计了一种双开关宽带超高速采样保持电路。芯片面积1.5 mm×1.8 mm,总功耗小于2.1 W。仿真结果表明,电路可以在5 GS/s采样速率下正常工作。当采样速率分别为5 GS/s和1 GS/s时,在输入信号功率为4 d Bm的情况下,采样带宽分别为16 GHz和20 GHz;在输入信号功率为4 d Bm且其频率小于5 GHz的情况下,电路的SFDR分别不低于43 d Bc和50 d Bc。
罗宁张有涛李晓鹏张敏
关键词：采样保持电路磷化铟异质结双极晶体管
基于InP DHBT工艺的DC^45 GHz 1∶8低相噪静态分频器
2020年
采用0.7μm InP DHBT工艺设计并实现了一款超宽带1∶8静态分频器芯片,内部分频采用电流模式逻辑结构实现,针对InP DHBT器件的高频特点对内部各电路进行了合理优化,实现了整个工作带宽内的宽输入功率范围和高输出信号平坦度。测试结果显示,正弦波输入时芯片可工作在0.2~45.0 GHz超宽带范围内,输入功率覆盖-10^+7 dBm,输出功率大于3.9 dBm,38 GHz输入时相位噪声优于-140 dBc/Hz,总功耗0.29 W。
张敏孟桥张敏孟桥程伟张有涛
关键词：静态分频器磷化铟低相噪
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