李晓鹏
- 作品数：45 被引量：30H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家杰出青年科学基金毫米波国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术机械工程电气工程更多>>
- 超高速DAC芯片的片内时钟时序控制方法及系统
- 本发明公开了一种应用于超高速DAC芯片的片内时钟时序控制方法，具体为采用模拟连续可控延时单元和N位数控时钟相位产生及选择单元模块相结合，实现超高速时钟与片外数据的同步。本发明还公开了一种超高速DAC芯片的片内时钟时序控制...
- 张有涛李晓鹏张敏
- Ku波段SiGe幅相多功能芯片设计被引量：5
- 2017年
- 幅相多功能芯片是相控阵雷达的关键部件。为了降低前端收发组件的尺寸和成本,本文采用0.13μm SiGe BiCMOS工艺设计了一款Ku波段幅相多功能芯片,单片集成了接收通道和发射通道,芯片面积2.5 mm×4.5mm。研制的多功能芯片的接收通道含前端低噪声放大器、六位数控衰减器、驱动放大器、单刀双掷开关、六位数控移相器;发射通道含六位数控移相器、单刀双掷开关、驱动放大器、中功率放大器。此外,为了进一步提高芯片的集成度,采用片上集成的电源管理单元和数字逻辑单元实现电源电压变换、衰减器和移相器的逻辑控制以及收发通道切换等功能。实测结果表明:在f1~f2(1GHz带宽)频带内,实现了发射增益17dB,发射功率(Psat)21.7dBm;接收增益-3dB,接收输入功率(P-1)-8.5dBm,接收噪声系数6.5dB;5.625°移相步进,移相精度(RMS)4.5°;0.5dB衰减步进,衰减精度(0.3dB+7%AS)。
- 李健康沈宏昌陈亮李晓鹏童伟曲俊达
- 关键词：SIGE异质结双极晶体管衰减器单刀双掷开关
- 26GS／s单bit量化降速芯片被引量：2
- 2013年
- 基于1μm GaAs HBT工艺设计并实现了一种26GS/s单bit量化降速芯片。芯片采用树形级联架构,集成前端宽带比较器,综合优化各级降速单元拓扑,在功耗、速度各方面达到最优化。测试结果表明,芯片在26GS/s转换速率下,其SFDR大于8dBc,数据带宽达13GHz,显示出其在电子对抗及高速数据处理方面的潜力。
- 张有涛李晓鹏张敏陈新宇杨磊
- 关键词：D触发器异质结双极晶体管
- 基于0.18 μm BiCMOS工艺的2 GS/s采保放大器
- 2018年
- 基于华虹0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计并实现了一种2GS/s超高速采保放大器。分析了二极管桥和开关射极跟随结构的优缺点,采用了开关射极跟随结构。增加了前馈电容,以消除保持模式下的信号馈通。后仿真结果表明,该采保放大器的信噪失真比(SNDR)在奈奎斯特频率下均大于51.7dB,核心电路的功耗为29.2mW,时钟缓冲电路的功耗为7mW。该采保放大器的性能良好。
- 张翼张翼郭宇锋孟桥郭宇锋孟桥
- 关键词：BICMOS
- 新型砷化镓高隔离开关
- 基于砷化镓场效应结构的赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)技术和CMOS电荷泵技术，研制开发的射频开关无需外加隔直电容，具有插损低、隔离度高、承受功率大和线性度高等特点。芯片采用GaAs0.5umPHEMT标准工艺线和C...
- 李晓鹏王志功许正荣张有涛陈新宇钱峰
- 关键词：砷化镓
- 一款用于5 G功率放大器的分段线性温度补偿偏置电路被引量：1
- 2019年
- 实现了一款用于功率放大器的具有温度补偿特性的偏置电路,首先通过正温度系数(PTAT)电流与负温度系数(NTAT)电流对功率放大器所需的偏置电流进行线性温度补偿,然后在线性补偿的基础上引入分段设计,实现分段线性温度补偿,保证全温范围内功率放大器增益线性化。同时通过分段电流舵型DAC灵活调整偏置电流的大小,将功率放大器偏置在合适工作点的同时降低开关噪声。该偏置电路采用Jazz 0.18μm SOI工艺实现。测试结果表明:在-30~30℃温度区间内,电流补偿斜率为14.9%;在30~90℃温度区间内,电流补偿斜率为29.6%,电流斜率的精度均在1.5%以内;室温下偏置电流的线性调整率为1.4%,输出偏置电流在20.2~1 022.0μA范围内可调。采用该偏置电路的一款功率放大器输出功率典型值为28dBm,误差矢量幅度(EVM)在-30~90℃温度区间内小于3%。
- 李亚军李晓鹏李晓鹏蒋东铭张有涛杨磊
- 关键词：偏置电路功率放大器温度补偿电流舵
- 基于InP HBT的SFDR>63 dB 12位6 GS/s高速数模转换器被引量：1
- 2020年
- 基于0.7μm、ft=280 GHz的InP异质结双极晶体管(HBT)工艺设计了一款12位6 GS/s的电流舵型数模转换器(DAC)。通过改进电流源开关结构,增大了输出阻抗和稳定性;在DAC输出端引入去毛刺(Deglitch)电路,可以有效消除高速DAC开关切换期间产生的毛刺,从而提升电路无杂散动态范围(SFDR)。仿真结果表明,电路实现了0.75 LSB的DNL和0.5 LSB的INL,去毛刺电路可以在高频下将DAC的SFDR提升10 dB,并且在整个奈奎斯域内实现SFDR>63 dB,极大地提升了DAC的动态特性。
- 王铭张有涛叶庆国罗宁李晓鹏
- 关键词：电流舵INPHBT
- 康复训练过程中相关生理信息的远程测量模块
- 本实用新型公开了一种康复训练过程中相关生理信息的远程测量模块，一种康复训练过程中相关生理信息的远程测量模块，包括：数据采集端的肌电检测模块、血氧检测模块、肌张力检测模块、呼吸检测模块、微处理器模块和无线发送模块；数据接收...
- 宋爱国李晓鹏李会军王楠吴常铖柯欣崔建伟
- 文献传递
- 基于0.5m GaAs PHEMT工艺的单刀十掷射频开关模块被引量：1
- 2011年
- 描述了采用0.5μm GaAs PHEMT工艺进行单刀十掷射频开关模块的设计工作。模块核心部件为SP10T射频天线开关芯片,内置了用于GSM系统的两条发射通路的谐波抑制低通滤波器,和用于开关控制的驱动电路,改善了线性度。模块实现指标:GSM发射通路插入损耗不大于1.25 dB,其余各通路插损不大于1.35 dB;GSM收发通路间隔离度不小于43 dB,与UMTS通路间隔离度不小于40 dB;GSM两个发射通路二次谐波抑制比分别大于66dBc和54 dBc。
- 赵鹏许正荣李晓鹏钱峰
- 关键词：插入损耗隔离度低通滤波器
- 一种新颖的MEMS表面工艺牺牲层厚度的电测量方法被引量：1
- 2006年
- 牺牲层厚度是MEMS表面工艺中的一个重要参数,对它的测量和控制有着重要的意义。目前大多采用光机械的方法来测量,但是测试方法复杂、测试时间长。本文介绍了一种新颖的MEMS表面工艺牺牲层厚度测试技术,实现了牺牲层厚度的电测量,测试方法简单快捷,并且很便于测试系统集成。
- 李晓鹏李伟华
- 关键词：牺牲层厚度电测量
