您的位置： 专家智库 > >

王锦春

作品数：4 被引量：6H指数：2
供职机构：电子科技大学微电子与固体电子学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇会议论文
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 4篇纳米
  • 4篇纳米线
  • 4篇ZNO纳米
  • 4篇ZNO纳米线
  • 2篇光学
  • 2篇非线性光学
  • 1篇受激
  • 1篇受激发射
  • 1篇紫外
  • 1篇敏感特性
  • 1篇纳米材料
  • 1篇光电
  • 1篇光电流
  • 1篇光谱
  • 1篇光学效应
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇光致发光谱
  • 1篇发光
  • 1篇非线性光学效...

机构

  • 4篇电子科技大学

作者

  • 4篇王锦春
  • 3篇程和
  • 3篇邓宏
  • 2篇李燕
  • 1篇汤采凡
  • 1篇唐斌

传媒

  • 1篇发光学报
  • 1篇第一届掺杂纳...
  • 1篇四川省电子学...

年份

  • 3篇2006
  • 1篇2005
共 4 条 记 录，以下是 1-4
全选 清除 导出
排序方式：
ZnO纳米线的光致发光（PL）行为研究
氧化锌(ZnO)是一种重要的宽禁带(Eg=3.37eV)半导体材料，其激子束缚能高达60meV，在室温紫外光电器件方面有巨大的应用潜力。与其他一维纳米结构相比，ZnO纳米线由于制备工艺较为简单而且可控性较好，对将来的器件...
王锦春
关键词：纳米线光致发光谱受激发射非线性光学效应
文献传递
ZnO纳米线的非线性光学性质研究
本文论述了以金做催化剂，采用热分解Zno粉末方法在Si(100)衬底上生长了紧密整齐排列的ZnO纳米线。
邓宏汤采凡唐斌程和王锦春
关键词：纳米线非线性光学掺杂纳米材料
文献传递
ZnO纳米线的合成与生长机理被引量：3
2006年
采用化学气相沉积系统制备ZnO纳米线，以覆盖一层约5nm厚的Ag薄膜的单晶Si（001）为衬底，纳米线的生长遵循气-液-固（VLS）机理。对得到的样品采用X射线衍射（XRD）和扫描电镜（SEM）进行晶体结构和形貌的表征。XRD结果表明衬底温度在600-700℃时生长的ZnO纳米线具有六方结构和统一的取向。通过扫描电子显微镜分析，比较了生长温度对纳米线直径和长度的影响。实验表明我们可以通过催化剂和温度来实现ZnO纳米线生长的可控。与传统的VLS生长方式不同的是在我们制备的ZnO纳米线顶端并没有看到催化剂颗粒，表明纳米线的生长方式是底部生长，我们对其生长机理进行了研究。
程和李燕王锦春邓宏
关键词：ZNO纳米线催化剂
ZnO纳米线紫外敏感特性
以带有Pt为底电极的Si（100）为衬底、Au作为催化剂,用化学气相沉积法制备ZnO纳米线。这种以经典的VLS（气-液-固）生长机理得到的ZnO纳米线顶端带有金冠。这种金冠和ZnO纳米线自然形成了电极。在室温下对纳米线的...
程和李燕邓宏王锦春
关键词：ZNO纳米线光电流
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0