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石莎莉

作品数：88 被引量：30H指数：4
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 76篇专利
  • 9篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 9篇电子电信
  • 4篇一般工业技术
  • 3篇自动化与计算...
  • 2篇化学工程
  • 1篇经济管理
  • 1篇理学

主题

  • 31篇衬底
  • 29篇硅衬底
  • 16篇控制部件
  • 16篇半导体
  • 15篇氮化硅
  • 12篇硅薄膜
  • 11篇氮化硅薄膜
  • 10篇牺牲层
  • 9篇淀积
  • 8篇前驱体
  • 8篇刻蚀
  • 8篇半导体制造
  • 7篇焦平面
  • 7篇光刻
  • 7篇红外
  • 7篇半导体工艺
  • 7篇半导体工艺设...
  • 6篇原子层沉积
  • 6篇上光
  • 6篇面阵

机构

  • 87篇中国科学院微...
  • 2篇中国科学技术...
  • 1篇北京信息技术...

作者

  • 88篇石莎莉
  • 55篇夏洋
  • 46篇李超波
  • 43篇李勇滔
  • 34篇万军
  • 34篇陈波
  • 31篇陈大鹏
  • 27篇饶志鹏
  • 27篇欧毅
  • 24篇叶甜春
  • 19篇赵章琰
  • 19篇刘键
  • 19篇王燕
  • 19篇黄成强
  • 11篇李楠
  • 10篇景玉鹏
  • 10篇吕树玲
  • 9篇焦斌斌
  • 7篇董立军
  • 6篇张艳清

传媒

  • 3篇Journa...
  • 2篇电子工业专用...
  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇光电工程
  • 1篇微细加工技术
  • 1篇新材料产业
  • 1篇第十四届全国...

年份

  • 3篇2017
  • 3篇2016
  • 14篇2015
  • 2篇2014
  • 25篇2013
  • 9篇2012
  • 1篇2011
  • 2篇2010
  • 5篇2009
  • 8篇2008
  • 7篇2007
  • 7篇2006
  • 2篇2005
共 88 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
用于提高非制冷红外焦平面阵列器件性能的制作方法
一种用于提高非制冷红外焦平面阵列器件性能的制作方法，步骤如下：在双抛光<100>硅基片双表面淀积上氮化硅薄膜和下氮化硅薄；在下氮化硅薄膜上光刻、刻蚀，形成背面阵列腐蚀窗口图形；府蚀减薄硅基片，形成倒梯形缺口；...
石莎莉陈大鹏李超波焦斌斌欧毅叶甜春
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掺氮二氧化钛薄膜的制备方法
公开了一种掺氮二氧化钛薄膜的制备方法，通过向反应腔室中先后通入含钛源气体，形成硅钛键；向原子层沉积设备反应腔中通入氮气和氢气，进行等离子体放电，氮气电离后部分氮原子与所述部分钛原子形成共价键，氮原子未成键的电子和电离的氢...
万军赵柯杰黄成强饶志鹏陈波李超波夏洋吕树玲石莎莉
文献传递
一种沉积室容积可调节的原子层沉积设备
本发明涉及一种半导体工艺设备，尤其是涉及一种沉积室容积可调节的原子层沉积设备。所述原子层沉积设备，包括真空部件、加热部件、气路部件、等离子体产生部件、控制部件和容积可调节的沉积室；控制部件分别与真空部件、加热部件、气路部...
王燕李勇滔夏洋赵章琰石莎莉
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一种抗水流冲击的体硅腐蚀配套设备
本发明涉及一种抗水流冲击的体硅腐蚀配套设备，尤指一种对MEMS体硅腐蚀设备——恒温腐蚀设备和恒温加超声腐蚀设备的缺陷加以改进的体硅腐蚀配套设备。本发明中，被固定的腐蚀槽的底部设有与具有开关的导流管的一端连通的开口，导流管...
石莎莉陈大鹏景玉鹏欧毅叶甜春
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微热敏器件仿真设计及关键工艺技术研究
微热敏器件的关键是热隔离结构的设计与工艺实现。典型的热隔离结构是采用湿法、干法或者键合工艺实现的悬空薄膜或者悬空薄膜梁结构。本论文详细研究了两种典型带热隔离结构的微热敏器件的模拟仿真及工艺设计：非制冷红外焦平面阵列探测器...
石莎莉
关键词：红外探测器
一种单晶立方形氮化碳薄膜的制备方法
本发明涉及氮化碳的制备技术，具体涉及一种单晶立方形氮化碳薄膜的制备方法。所述制备方法，包括如下步骤：(1)将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中；(2)向原子层沉积设备反应腔中通入碳源气体，碳源气体作为第一反应前驱体在硅衬...
饶志鹏夏洋万军李超波陈波刘键江莹冰石莎莉李勇滔
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MEMS器件的腐蚀与释放
2006年
以硅微机械FP腔器件为代表,该器件采用了标准的硅表面加工工艺,分析了此类具有悬空结构的MEMS器件在进行牺牲层的腐蚀和最终的结构释放过程中的各种问题.根据所遇到问题的不同情况对器件的设计和工艺流程进行了改进,并通过实验验证了其可行性.
欧毅石莎莉李超波焦斌斌陈大鹏
关键词：MEMS牺牲层
采用基于硅衬底突点制作及释放牺牲层的方法
本发明涉及微电子技术领域，特别是一种采用基于硅衬底突点制作及释放牺牲层的方法。其工艺步骤如下：1.在&lt;100&gt;硅基片上淀积SiN<Sub>x</Sub>薄膜；2.光刻，刻蚀SiN<Sub>x</Sub>薄膜，...
石莎莉陈大鹏欧毅谢常青叶甜春
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提高聚四氟乙烯薄膜亲水性的原子层沉积方法
公开了一种提高聚四氟乙烯薄膜亲水性的原子层沉积方法，包括：将聚四氟乙烯薄膜放置于原子层沉积设备反应腔中；向所述原子层沉积设备反应腔中通入四氯化碳，使得所述四氯化碳中的碳原子吸附在所述聚四氟乙烯薄膜表面；向所述原子层沉积设...
万军赵柯杰黄成强饶志鹏陈波李超波夏洋吕树玲石莎莉
文献传递
一种原子层沉积设备
本发明涉及一种原子层沉积设备，尤其是涉及一种使用集显示和控制于一体的嵌入式控制单元作为控制系统主控部件的原子层沉积设备。所述原子层沉积设备，包括主控部件、电气控制部件、真空部件、加热部件和气路部件，主控部件分别与电气控制...
张艳清夏洋李超波万军吕树玲陈波石莎莉李楠
文献传递
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