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蔚燕华

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇多孔
  • 2篇砷化镓
  • 2篇汽泡
  • 2篇俄歇分析
  • 2篇GAAS材料

机构

  • 2篇中国科学院

作者

  • 2篇蔚燕华
  • 2篇李成基
  • 2篇李韫言

传媒

  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇全国化合物半...

年份

  • 2篇2000
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
空间生长GaAs材料多孔部分的俄歇能谱分析与阴极荧光形貌观察
在空间生长SI-GaAs的某些部位有汽泡产生，经俄歇分析，汽泡表面约有10nm的砷层 ，它从半绝缘砷化镓内部逸出，导致其成为半导体。用阴极荧光形貌观测了其多晶结构。
李韫言蔚燕华李成基
关键词：砷化镓汽泡俄歇分析
文献传递
空间生长GaAs材料多孔部分的俄歇能谱分析与阴极荧光形貌观察
2000年
在空间生长SI GaAs的某些部位有汽泡产生 ,经俄歇分析 ,汽泡表面约有 1 0nm的砷层 ,它从半绝缘砷化镓内部逸出 ,导致其成为半导体。用阴极荧光形貌观测了其多晶结构。
李韫言蔚燕华李成基
关键词：砷化镓汽泡俄歇分析
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