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李韫言

作品数：17 被引量：4H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇会议论文
  • 6篇期刊文章

领域

  • 10篇电子电信
  • 3篇理学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 10篇砷化镓
  • 5篇深能级
  • 5篇能级
  • 4篇半导体
  • 4篇半绝缘
  • 3篇电阻率
  • 3篇荧光
  • 3篇半导体材料
  • 3篇半绝缘砷化镓
  • 2篇电压
  • 2篇多孔
  • 2篇阴极
  • 2篇荧光分析
  • 2篇深能级缺陷
  • 2篇深能级瞬态谱
  • 2篇瞬态
  • 2篇汽泡
  • 2篇迁移
  • 2篇迁移率
  • 2篇中子

机构

  • 17篇中国科学院

作者

  • 17篇李韫言
  • 15篇李成基
  • 7篇王万年
  • 3篇何宏家
  • 2篇蔚燕华
  • 1篇商广义

传媒

  • 3篇功能材料与器...
  • 3篇全国化合物半...
  • 2篇分析测试技术...
  • 2篇中国有色金属...
  • 1篇电子显微学报
  • 1篇第七届全国固...
  • 1篇第十二届全国...
  • 1篇第十一届全国...
  • 1篇第六次全国电...
  • 1篇第3届全国微...
  • 1篇第十一届全国...

年份

  • 1篇2002
  • 7篇2000
  • 3篇1999
  • 1篇1995
  • 2篇1993
  • 1篇1992
  • 2篇1990
共 17 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
中子辐照高阻硅中深能级缺陷的检测与分析
李成基李韫言王万年
关键词：中子辐照高阻硅深能级缺陷
磁场中生长砷化镓的阴极荧光形貌与低温阴极荧光光谱的研究
从熔体中生长砷化镓时，由于重国引起的热对流，往往在晶体中会产生杂质条纹影响材料的质量，在消除杂质条纹的措施中，除在空间微重力这一理想条件外，在磁场中生长砷化镓晶体已被证明是一个行之有效的方法，在观察杂质条纹的技术中，除传...
李成基李韫言王万年
关键词：砷化镓磁场荧光光谱
文献传递
中子辐照高阻硅中深能级缺陷的检测与分析
李成基李韫言王万年
关键词：中子辐照高阻硅深能级缺陷
文献传递网络资源链接
砷化镓扩散长度的变加速电压束感生电流法测量
计算了变加速电压的束感生电流法测定扩散长度理论公式，并用电子探针和扫描电镜测量了各种GaAs材料的扩散长度。
王万年李成基李韫言
关键词：半导体材料加速电压
文献传递
扫描深能级瞬态谱技术(SDLTS)
1990年
深能级瞬态谱(DLTS)技术是研究半导体中深能级杂质与缺陷的有效手段。但是它给出的信息是在一个比较大的范围内的平均值,不能给出微区域深能级的空间分布。而半导体材料的不均匀性往往是受深能级杂质或缺陷的不均匀分布所控制的。所以研究与测量深能级的空间分布以及它们之间的关系,对于提高半导体材料的质量与半导体器件的性能具有十分重要的意义。为此,我们在光注入深能级电流瞬态谱(OTCS)技术的基础上,建立了一种所谓扫描深能级瞬态谱(SDLTS)技术。进行了半绝缘砷化镓中深能级及其空间分布的测量工作。
李成基邓兆扬李韫言
关键词：半导体深能级瞬态谱
半绝绝砷化镓电阻率均匀性的三电极技术测量
李韫言李成基
关键词：半绝缘体电阻率砷化镓第三电极半导体材料
半绝缘砷化镓Hall测量中的若干问题
建立了绝缘电阻大于10<'13>Ω和温度起伏小于0.1℃的半绝缘砷化镓Hall测量装置。研究了环境温度、湿度、漏电流、数据读取时间、测量电压、样品尺寸等因素对电阻率与迁移率的影响，并讨论了各种因素所引起的测量误差。
李成基李韫言王万年何宏家
关键词：半绝缘砷化镓电阻率迁移率
文献传递
空间生长GaAs材料多孔部分的俄歇能谱分析与阴极荧光形貌观察
在空间生长SI-GaAs的某些部位有汽泡产生，经俄歇分析，汽泡表面约有10nm的砷层 ，它从半绝缘砷化镓内部逸出，导致其成为半导体。用阴极荧光形貌观测了其多晶结构。
李韫言蔚燕华李成基
关键词：砷化镓汽泡俄歇分析
文献传递
电子探针－－阴极荧光技术在砷化镓及有关化合物中的应用
李韫言李成基
关键词：电子探针砷化镓荧光分析晶体缺陷
砷化镓扩散长度的变加速电压束感生电流法测量
2000年
计算了变加速电压的束感生电流法测定扩散长度理论公式 ,并用电子探针和扫描电镜测量了各种GaAs材料的扩散长度。
王万年李成基李韫言
关键词：加速电压砷化镓
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