公共文化服务平台

MOCVD在位监测技术及其在VCSEL研制中的应用: 2004年; 使用MOCVD技术生长了 980nmVCSEL ,在GaAs/AlGaAsDBR对的生长过程中通过相干反射率测量方法实现了在位监测和实时校正生长。白光反射谱测量结果表明通过上述手段准确控制了外延层的光学厚度。外延生长结束后 ,制备了 980nmVCSEL ,器件在室温下连续工作 ,输出功率为 7.1mW ,激射波长为 974nm ,斜率效率为 0 .4 6 2mW/mA。; 俞波邓军韩军盖红星牛南辉形艳辉廉鹏郭霞渠宏伟沈光地; 关键词：垂直腔面发射激光器

一种金属键合的垂直耦合光栅耦合器及其制作方法: 本发明涉及光子器件技术领域，具体是一种金属键合的垂直耦合光栅耦合器及其制备方法。所述光栅耦合器包括：一硅片或玻璃片构成的载体片；一金属键合层兼作反射镜层；一DVS-BCB层构成的条形波导、锥形波导和亚微米波导三者的下限制...; 郭霞武华韩明夫; 文献传递

Cl_2/Ar感应耦合等离子体刻蚀Si工艺研究被引量：2: 2012年; 采用Cl2/Ar感应耦合等离子体(ICP)对单晶硅进行了刻蚀,工艺中用光刻胶作掩膜。研究了气体组分、ICP功率和RF功率等工艺参数对硅刻蚀速率和硅与光刻胶刻蚀选择比的影响,同时还研究了不同工艺条件对侧壁形貌的影响。结果表明,由于物理刻蚀机制和化学刻蚀机制的相对强度受到混合气体中Cl2和Ar比例的影响,硅刻蚀速率随着Ar组分的增加而降低,同时选择比也随之降低。硅刻蚀速率随着ICP功率的增大先增大继而减小,选择比则成上升趋势。硅刻蚀速率和选择比均随RF功率的增大单调增大。在Cl2/Ar混合气体的刻蚀过程中,离子辅助溅射是决定硅刻蚀效果的重要因素。同时,文中还研究分析了刻蚀工艺对于微槽效应和刻蚀侧壁形貌的影响,结果表明,通过提高ICP功率可以有效减小微槽和平滑侧壁。进一步研究了SiO2掩膜下,压强改变对于硅刻蚀形貌的影响,发现通过降低压强,可以明显地抑制杂草的产生。; 郭帅周弘毅陈树华郭霞; 关键词：感应耦合等离子体 CL2/AR

隧道再生多有源区垂直腔面发射激光器光学特性研究: 2005年; 文章对隧道再生两个有源区内腔接触式垂直腔面发射激光器(VCSEL)光学特进行了研究。主要包括:通过纵向光场分布模拟分析了驻波效应;测量得到了VCSEL外延片量子阱增益谱峰值波长、谐振腔谐振波长、分布布喇格反射器(DBR)反射谱中心波长及材料的生长厚度偏差等重要信息,并结合增益谱,对该外延片制备的器件不激射的原因进行了分析解释。此外,对该外延片边发射模式特性进行模拟计算,由于DBR结构的存在,此结构的光场强度分布明显不同于普通的边发射激光器,模拟得到的远场发散角与测量结果相吻合。; 渠红伟郭霞邓军董立闽廉鹏邹德恕沈光地; 关键词：垂直腔面发射激光器边发射增益谱

高反射、高透射和高Q谐振的纳米光栅结构设计及物理分析被引量：2: 2015年; 为了得到一种对入射光的相位、振幅有空间调制作用的新型亚波长人工表面,入射光能够从该人工表面反射、透射或者谐振,以纳米光栅为基本结构,设计了高反射纳米光栅,并重点对纳米光栅实现高反射的物理机理进行了分析,指出纳米光栅的传播模式中主要存在2个模式.由于2个模式的相互作用,产生了高反射、高透射以及高Q谐振等物理现象.结果表明:高反射和高透射纳米光栅的反射率和透射率均超过99%,高Q谐振纳米光栅的品质因子超过10~8.; 武华李冲郭霞; 关键词：光栅光电子器件透射谐振

电流拥挤效应对GaN基发光二极管可靠性的影响被引量：10: 2006年; 文中报道了绝缘蓝宝石衬底上的GaN基发光二极管(LEDs)中,由于横向电阻的存在造成了靠近n型电极台面边缘局部区域电流拥挤,为此从焦耳热和金属电迁移两方面研究了电流拥挤效应对器件可靠性的影响,加速寿命实验结果表明:电流均匀扩展可以使可靠性得到有效改善。; 艾伟伟郭霞刘斌董立闽刘莹宋颖娉沈光地; 关键词：GAN 发光二极管可靠性

一种制备3C-SiC纳米盘、制备方法: 一种制备3C-SiC纳米盘、制备方法，属于碳化硅碳纳米材料制备领域。所述的SiC纳米颗粒为圆盘型，直径为5-30nm，高度为1.5-5nm。先在硅片上垂直生长单壁碳纳米管阵列，在单壁碳纳米管垂直阵列的顶层蒸镀Si层；在单...; 郭霞范修军李冲董建刘白刘巧莉; 文献传递

一种单横模偏振稳定的垂直腔面发射激光器: 本发明涉及一种单横模偏振稳定的垂直腔面发射激光器。一种单横模偏振稳定输出的垂直腔面发射激光器，包括下电极，衬底，下布拉格反射镜，相位匹配层，增益区，相位匹配层，电流限制层，电流限制孔，上布拉格反射镜，SiO<Sub>2<...; 郭霞韩明夫; 文献传递

一种具有自熄灭自恢复功能的雪崩光电二极管: 一种具有自熄灭自恢复功能的雪崩光电二极管涉及半导体光电器件领域。包括有依次纵向层叠的第一n型层(101)、第二n型层(102)、电荷倍增区(104)、p型层(105)和衬底(106)，其特征在于：第一n型层(101)、第...; 郭霞刘巧莉李冲董建刘白; 文献传递

激光剥离技术中GaN材料温度场的研究: 2005年; 对使用脉冲激光实现GaN/Sapphire剥离技术,建立了激光剥离过程中GaN外延层一维热传导理论模型。计算分析了单脉冲辐照时,激光剥离过程中GaN外延层内的温度场分布。得到实现激光剥离阈值能量密度为400mJ/cm2,脉冲频率上限约为1400Hz,阈值条件下剥离过程中高温区分布限制在100nm以内。从而证明GaN基发光二极管(LED)外延结构无损伤激光剥离的可行性,并且为激光剥离技术参数的选取提供了理论依据。; 王婷郭霞郭伟玲牛南辉沈光地; 关键词：温度场脉冲激光 GAN

渝B2-20050021-1　渝公网安备 50019002500403号　违法和不良信息举报中心　互联网出版许可证　新出网证(渝)字10号

郭霞