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邓军: 作品数：148 被引量：216H指数：7; 供职机构：北京工业大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划北京市自然科学基金更多>>; 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术一般工业技术更多>>

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新型GaAs/GaAlAs非对称量子阱红外光电导探测器被引量：1: 2000年; 提出一种新型 Ga As/ Ga Al As子带间光吸收的红外光电导探测机理 ,利用 MOCVD系统进行器件材料的生长 ,研制了 2 0 0μm× 2 0 0μm的台面形式单管 ,测到了明显的红外光电流信号及阱间共振遂穿效应造成的负阻震荡现象 ,对器件的性能测试结果表明 ,器件的光电流响应和信噪比随着阱数增加而增加 ,器件噪声比常规 Ga As/ Ga Al; 史衍丽邓军杜金玉沈光地尹洁; 关键词：GAALAS 非对称量子阱红外探测器砷化镓

隧道带间级联双波长可见光半导体激光器制备被引量：2: 2003年; 利用金属有机物化学汽相淀积(MOCVD)一次外延生长了含有2个有源区的隧道带间级联双波长可见光半导体激光器(LD)材料。其隧道结为GaAs。2个有源区分别为AlGaAs单量子阱和GaInP多量子阱。SEM照片表明,材料生长质量良好。用生长的材料制备了双沟深腐蚀结构F P腔激光器。器件的阈值电流为177mA,未镀膜时的单面斜率效率为1.3W/A,远场为单瓣,垂直和水平方向的发散角分别为8°和34°。在输出光功率为100mW时,2个激射波长分别为699nm和795nm,与PL测试结果相一致。; 李建军沈光地郭伟玲廉鹏韩军邓军邹德恕; 关键词：半导体激光器双波长隧道结

垂直腔面发射激光器的研制: 采用低压金属有机化合物气相外延(L P2MOCVD)生长技术,应用AlAs/AlGaAs选择性湿氮氧化技术技术来实现横向的光、电限制,成功地制备了具有较性能的内腔接触式氧化物限制型的顶发射980nm垂直腔面发射激光器.分...; 郭霞董立闽达小丽渠红伟邓军杜金玉邹德恕沈光地; 关键词：垂直腔面发射激光器特性分析半导体激光器; 文献传递

905nm隧道带间级联非耦合双有源区半导体激光器被引量：5: 2016年; 通过对有源区、波导层、限制层和隧道结的分析,设计了激射波长为905nm的隧道带间级联非耦合双有源区半导体激光器。采用金属有机物化学汽相淀积(MOCVD)系统外延法生长了器件,并经过光刻、腐蚀、解理和焊装等工艺,制备了激射波长为905nm的隧道带间级联非耦合双有源区半导体激光器。腔面未镀膜时,在1.2A的脉冲注入电流下,器件的峰值波长为904.4nm,垂直远场为单峰,发散角为25.8°,表明两个有源区的光场未发生耦合,斜率效率为1.12 W/A,为相同结构单有源区器件的1.9倍。; 司东海李建军付莹莹邓军韩军; 关键词：半导体激光器隧道结

应用石墨烯的高探测率氮化镓基肖特基型紫外探测器: 应用石墨烯的高探测率氮化镓基肖特基型紫外探测器，其基本结构从下往上依次为重掺杂n型氮化镓、轻掺杂n型氮化镓、二氧化硅绝缘层、金属电极、石墨烯薄膜。金属电极拥有透明、导电的性质，并且拥有半金属性。在和轻掺杂n型GaN直接接...; 徐晨许坤孙捷邓军朱彦旭解意洋荀孟

基于石墨烯薄膜的透明电极的制备方法: 基于石墨烯薄膜的透明电极的制备方法，在石墨烯薄层与器件表面之间插入ITO纳米薄层；包括以下步骤：将GaN基LED外延片（208）进行清洗；在p-GaN层（203）上制作第一纳米ITO薄层（202），厚度为7-10nm；退...; 徐晨许坤孙捷邓军朱彦旭毛明明解意洋郑雷; 文献传递

基于共振腔发光二极管的DBR温度特性研究: 2023年; 分布式布拉格反射镜(DBR)是共振腔发光二极管(RCLED)的主要组成部分,其温度特性对RCLED的性能有着重要影响。基于650 nm红光RCLED,设计出由Al_(0.5)Ga_(0.5)As和Al_(0.95)Ga_(0.05)As组成的DBR结构。首先通过Al_(x)Ga_(1-x)As材料折射率的色散关系分析温度对Al_(x)Ga_(1-x)As材料折射率的影响,进而模拟了DBR反射谱的温度特性,得到随着温度升高DBR反射谱红移的结论,温漂速率为0.048982 nm/℃。通过MOCVD制备出30对Al_(0.5)Ga_(0.5)As和Al_(0.95)Ga_(0.05)As组成的DBR外延结构,并对其进行反射谱测试,发现随着温度升高反射谱出现了红移现象,温漂速率为0.049277 nm/℃,与模拟结果相近,验证了温度升高导致反射谱红移结论的正确性。; 任凯兵李建军崔屿峥张振东付聪乐邓军; 关键词：温度色散关系

一种在集成电路芯片上直接生长图形化石墨烯的工艺方法: 本发明公开了一种在集成电路芯片上直接生长图形化石墨烯的工艺方法，该方法包括以下步骤：将超薄单晶铜箔通过压合的方式贴附在集成电路芯片上作为催化生长石墨烯的基材；通过光刻和腐蚀工序对铜箔进行图形化处理；将芯片置于三温区热CV...; 徐晨解意洋钱峰松邓军胡良臣; 文献传递

一种在非金属衬底上直接生长石墨烯的方法: 一种在非金属衬底上直接生长石墨烯的方法，属于半导体材料生长技术领域。目前在非金属衬底上进行石墨烯的生长需要先将石墨烯生长在金属衬底上，再通过转移的方法将其转移到目标衬底上。这种方法关键的缺陷是转移过程中的非理想因素，即石...; 孙捷樊星许坤郭伟玲徐晨邓军; 文献传递

具有多MO喷嘴垂直MOCVD反应腔外延层厚度均匀性的优化理论及应用: 2024年; 金属有机物化学气相淀积(metal organic chemical vapor deposition,MOCVD)作为异质结半导体材料外延的关键手段,其外延层厚度均匀性会直接影响产品的良率.本文将理论与实验相结合,针对3个MO源喷嘴的垂直反应腔MOCVD,将各MO源喷嘴等效为蒸发面源,并引入一等效高度来涵盖MOCVD的相关外延参数,建立外延层厚度与各MO源喷嘴流量间的定量关系,设计并利用EMCORE D125 MOCVD系统外延生长了AlGaAs谐振腔结构,根据实验测得的外延层厚度分布结果,利用最小二乘法对模型参数进行了拟合提取,基于提取的模型参数,给出了优化外延层厚度均匀性的方法.4 in(1 in=2.54 cm)外延片mapping反射谱的统计结果为,腔模的平均波长为651.89 nm,标准偏差为1.03 nm,厚度均匀性达到0.16%.同时外延生长了GaInP量子阱结构,4 in外延片mapping荧光光谱的统计结果为,峰值波长平均值为653.3 nm,标准偏差仅为0.46 nm,厚度均匀性达到0.07%.本文提出的调整外延层厚度均匀性的方法具有简单、有效、快捷的特点,且可以进一步推广至具有4个MO喷嘴以上的垂直反应腔MOCVD系统.; 李建军崔屿峥付聪乐秦晓伟李雨畅邓军; 关键词：最小二乘拟合金属有机物化学气相沉积