韩军
- 作品数：117 被引量：206H指数：7
- 供职机构：北京工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金北京市自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术金属学及工艺更多>>
- MOCVD在位监测技术及其在VCSEL研制中的应用
- 2004年
- 使用MOCVD技术生长了 980nmVCSEL ,在GaAs/AlGaAsDBR对的生长过程中通过相干反射率测量方法实现了在位监测和实时校正生长。白光反射谱测量结果表明通过上述手段准确控制了外延层的光学厚度。外延生长结束后 ,制备了 980nmVCSEL ,器件在室温下连续工作 ,输出功率为 7.1mW ,激射波长为 974nm ,斜率效率为 0 .4 6 2mW/mA。
- 俞波邓军韩军盖红星牛南辉形艳辉廉鹏郭霞渠宏伟沈光地
- 关键词：垂直腔面发射激光器
- 一种插入InGaN层改善非极性GaN材料质量的外延生长方法
- 一种插入InGaN层改善非极性GaN材料质量的外延生长方法属于GaN材料外延技术领域，利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术，生长的低位错密度非极性GaN材料，外延结构从下向上依次为:r面蓝宝石衬底，低温GaN成核...
- 韩军崔博垚邢艳辉赵佳豪
- 文献传递
- 一种渐变的体声波激励宽带磁电天线及其制备方法
- 一种渐变的体声波激励宽带磁电天线及其制备方法属于磁电天线技术领域。本发明通过下电极和压电层渐变厚度的设计，在单个器件中集成多种渐变声速的磁电天线，进而实现多模式体声波协同激励特性，增大磁电天线的辐射带宽。通过有限元计算线...
- 邢艳辉王庆辉关宝璐韩军
- 980nm垂直腔面发射激光器的外延生长被引量：3
- 2015年
- 模拟了垂直腔面发射激光器(VCSEL)的反射谱和量子阱增益谱,采用金属有机物化学气相沉积设备外延生长了980nm的垂直腔面发射激光器,制作了氧化孔径为14μm的内腔式氧化限制型VCSEL器件,其阈值电流为3.3mA,阈值电压为1.8V,斜率效率为0.387W/A,室温直流电流为22.8mA时,输出光功率为5mW。
- 崔明韩军邓军李建军邢艳辉陈翔朱启发
- 关键词：金属有机物化学气相沉积
- GaN外延结构中微区应变场的测量和评价
- 2008年
- 采用电子背散射衍射(EBSD)技术,测量GaN/蓝宝石结构中的弹性应变场.将EBSD菊池衍射花样的图像质量IQ值及小角度错配作为应力敏感参数,表征GaN-Buffer层-蓝宝石结构中的晶格畸变和转动,显示微区弹性应变场.在GaN/蓝宝石系统中,弹性应变的影响范围大约200×700nm.采用快速傅立叶变换(FFT)提取菊池花样的衍射强度,识别GaN外延结构中的应变/无应变区域.
- 王俊忠吉元田彦宝牛南辉徐晨韩军郭霞沈光地
- 关键词：GAN外延层
- C掺杂GaAs外延层的MOCVD生长被引量：1
- 2004年
- 以CCl4为掺杂源,利用EMCORED125MOCVD系统生长了不同C掺杂浓度的GaAs外延层。通过Hall、PL、DXRD以及在位监测工具Epimetric等手段研究了掺CGaAs层的电学特性、光学特性、晶体质量和生长速度等。
- 李建军韩军邓军邢艳辉刘莹沈光地
- 关键词：MOCVDGAAS掺杂
- AlInGaAs/AlGaAs应变量子阱增益特性研究
- 采用Shu Lien Chuang方法计算了AlInGaAs/AlGaAs应变引起价带中重、轻空穴能量变化曲线,在Harrison模型的基础上详细地计算了AlInGaAs/AlGaAs和GaAs/AlGaAs量子阱电子、...
- 盖红星李建军韩军邢艳辉邓军俞波沈光地陈建新
- 关键词：光电子学应变量子阱光增益半导体激光器
- 文献传递
- 隧道带间级联双波长可见光半导体激光器制备被引量：2
- 2003年
- 利用金属有机物化学汽相淀积(MOCVD)一次外延生长了含有2个有源区的隧道带间级联双波长可见光半导体激光器(LD)材料。其隧道结为GaAs。2个有源区分别为AlGaAs单量子阱和GaInP多量子阱。SEM照片表明,材料生长质量良好。用生长的材料制备了双沟深腐蚀结构F P腔激光器。器件的阈值电流为177mA,未镀膜时的单面斜率效率为1.3W/A,远场为单瓣,垂直和水平方向的发散角分别为8°和34°。在输出光功率为100mW时,2个激射波长分别为699nm和795nm,与PL测试结果相一致。
- 李建军沈光地郭伟玲廉鹏韩军邓军邹德恕
- 关键词：半导体激光器双波长隧道结
- 905nm隧道带间级联非耦合双有源区半导体激光器被引量：5
- 2016年
- 通过对有源区、波导层、限制层和隧道结的分析,设计了激射波长为905nm的隧道带间级联非耦合双有源区半导体激光器。采用金属有机物化学汽相淀积(MOCVD)系统外延法生长了器件,并经过光刻、腐蚀、解理和焊装等工艺,制备了激射波长为905nm的隧道带间级联非耦合双有源区半导体激光器。腔面未镀膜时,在1.2A的脉冲注入电流下,器件的峰值波长为904.4nm,垂直远场为单峰,发散角为25.8°,表明两个有源区的光场未发生耦合,斜率效率为1.12 W/A,为相同结构单有源区器件的1.9倍。
- 司东海李建军付莹莹邓军韩军
- 关键词：半导体激光器隧道结
- 低源流量Delta掺杂p型GaN外延薄膜的研究被引量：2
- 2016年
- 利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备了GaN∶Mg薄膜。首先,对Delta掺杂p型GaN的掺杂源流量进行优化研究,研究发现在较低46cm^3/min的CP_2Mg源流量下,晶体质量和导电性能都有所改善,获得了较高空穴浓度,为8.73×10^(17) cm^(-3),(002)和(102)面FWHM分别为245和316arcsec。随后,采用XRD、Hall测试、PL以及AFM研究了在生长过程中加入生长停顿对Delta掺杂p型GaN材料特性的影响,发现加入生长停顿后,样品电学特性、光学特性和晶体质量并未得到改善,反而下降。
- 王凯邢艳辉韩军赵康康郭立建于保宁李影智
- 关键词：P型GAN金属有机物化学气相沉积
