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俞斌才

作品数：11 被引量：6H指数：2
供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 2篇科技成果

领域

  • 9篇电子电信
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 9篇单晶
  • 3篇单晶生长
  • 3篇英寸
  • 3篇计算机
  • 3篇半导体
  • 3篇半导体材料
  • 3篇GAP单晶
  • 2篇单晶材料
  • 2篇等径
  • 2篇微电子
  • 2篇化合物半导体
  • 2篇化合物半导体...
  • 2篇二极管
  • 2篇半绝缘
  • 2篇AP
  • 1篇单晶拉制
  • 1篇单晶炉
  • 1篇单色
  • 1篇单色性
  • 1篇电池

机构

  • 10篇北京有色金属...
  • 1篇冶金工业部

作者

  • 11篇俞斌才
  • 7篇郑安生
  • 5篇邓志杰
  • 3篇尹士平
  • 2篇马怀振
  • 2篇刘慧霞
  • 2篇徐小林
  • 1篇金攀
  • 1篇刘锡田
  • 1篇邓志杰

传媒

  • 3篇中国集成电路
  • 2篇稀有金属
  • 1篇仪器仪表学报
  • 1篇第四届中国功...
  • 1篇第四届中国功...

年份

  • 2篇2005
  • 1篇2004
  • 1篇2003
  • 2篇2002
  • 3篇2001
  • 1篇1992
  • 1篇1980
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
半绝缘InP单晶及其在微电子器件中的应用
2002年
前言 InP是最早被制备出来的Ⅲ-Ⅴ族化合物,早在1910年,A.Fhill就合成出InP,但对其性质和制备工艺深入研究,则是1952年以后才开始的。 InP与GaAs一样,不仅是重要的半导体光电材料(例如,它是目前长距离光纤通信中所用激光器,光探测器唯一实用的材料)
邓志杰郑安生俞斌才
关键词：单晶材料单晶生长衬底材料
n型<100>掺硫GaP单晶研制
1992年
近年来,国内对发光二极管(LED)的需求量越来越大,并由单一的红、绿色向多色化发展。本文报道了黄、橙、红色LED用n型GaP单晶衬底的生长工艺及产品用作衬底和芯片的使用情况。 (一)单晶制备 单晶生长在MSR6R高压单晶炉内进行,石墨电阻加热。99.9999％的高纯镓及高纯磷先期在高压合成炉内制成GaP多晶。
俞斌才邓志杰马三胜刘锡田
关键词：磷化镓单晶硫掺杂剂N型半导体
半绝缘GaAs单晶材料发展现状
2002年
一、前言 GaAs是目前工艺最成熟、生产量最大的化合物半导体材料。它具有直接跃迁较大带隙、电子迁移率高、易于制成半绝缘单晶(其电阻率可达10~9Ωcm,是理想的微波传输介质,在IC加工中不必另外制作绝缘隔离层,既简化了IC加工过程又降低了寄生电容从而更有利于提高器件工作速度)等优良性能(表1)。
邓志杰郑安生俞斌才
关键词：半绝缘晶体生长位错密度电阻率
计算机闭环控径制备φ2.0英寸<111>GaP单晶
用高压液封直拉法(LEC法)制备单晶,关键问题是解决直径控制,其直径控制的精度,直接影响到单晶的完整性和位错密度.本文阐述了LEC法制备GaP单晶过程中,用计算机来控制单晶直径的原理,及用计算机闭环控径制备GaP单晶的初...
尹士平俞斌才郑安生
关键词：单晶计算机发光二极管直拉法
文献传递
φ50mm等径GaP单晶制备及产业化
俞斌才徐小林刘慧霞马怀振金攀
GaP单晶是重要的化合物半导体材料之一，其生产量仅次于GaAs单晶。GaP是生产红、绿色LED的主要衬底材料，也是生产LED用量最大的衬底材料(LED是生产量最大的化合物半导体器件，大量用于各种仪器、仪表、设备、家用电器...
关键词：
关键词：GAP单晶半导体材料化合物单晶生长
计算机闭环控径制备Φ2.0英寸<111>aP单晶
用高压液封直拉法(LEC 法)制备单晶,关键问题是解决直径控制,其直径控制的精度,直接影响到单晶的完整性和位错密度。本文阐述了LEC法制备GaP 单晶过程中,用计算机来控制单晶直径的原理,及用计算机闭环控径制备GaP 单...
尹士平俞斌才郑安生
关键词：单晶计算机直径
文献传递
SiGe/Si材料及其在微电子学中的应用被引量：2
2003年
Si 和 Ge 是开发最早、生产工艺最为成熟的半导体材料,用它们的合金或异质结材料来提升单纯Si 或单纯 Ge 材料及其器件的性能是人们自然的追求。1984年贝尔实验室首先用分子束外延(MB)E 技术生长出高质量的应变 SiGe/Si 异质结;1987年IBM 等4家公司几乎同时研制出 SiGe/Si
邓志杰郑安生俞斌才
关键词：SIGE微电子学晶格常数硅材料
φ50mm<111>等径GaP单晶制备及产业化
俞斌才徐小林刘慧霞马怀振金攀等
GaP单晶是重要的化合物半导体材料之一，其生产量仅次于GaAs单晶。GaP是生产红、绿色LED的主要衬底材料，也是生产LED用量最大的衬底材料(LED是生产量最大的化合物半导体器件，大量用于各种仪器、仪表、设备、家用电器...
关键词：
关键词：化合物半导体材料单晶生长
化合物半导体材料的光电应用现状被引量：4
2004年
在整个化合物半导体工业中 ,光电子工业一直占主导地位。本文概述了化合物半导体材料在发光二极管 (LED)、激光二极管 (LD)、太阳电池 (SC)和光探测器 (PD)方面的应用现状及发展趋势。以高亮度LED为基础的固态光源由于有着巨大的经济效益、能源效益和环境效益从而有很好的发展前景。量子结构光电器件由于具有一系列独特性能 ,将越来越受到重视。
郑安生邓志杰俞斌才
关键词：化合物半导体材料光电器件激光二极管太阳电池光探测器量子结构
ZFL018型高压单晶炉及GaP单晶拉制
1980年
GaP是日益广泛应用的发光材料,大量用于制备发光二极管（LED）。GaP中掺入不同杂质可分别发射红、绿、黄、橙四色光。LED具有功耗低（mW级）、寿命长（105～109小时）、可靠性高、响应速度快(10-6～10-9秒)的特点故适用于高速显示;且LED的单色性好,体积小,所以广泛适用于计算机及各种仪器仪表的指示灯、数字、文字、符号、图象的显示。在光电子学及信息处理技术中起着重要作用。
邓志杰俞斌才刘锡田
关键词：单晶炉GAP信息处理技术电阻加热
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