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徐小林

作品数：5 被引量：2H指数：1
供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 2篇科技成果
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 5篇单晶
  • 4篇单晶生长
  • 2篇等径
  • 2篇氧化硼
  • 2篇磷化镓
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体材料
  • 2篇GAP单晶
  • 1篇衍射
  • 1篇应力
  • 1篇升温速率
  • 1篇双晶衍射
  • 1篇籽晶
  • 1篇位错
  • 1篇内部应力
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体生长
  • 1篇化合物
  • 1篇化合物半导体
  • 1篇化合物半导体...

机构

  • 5篇北京有色金属...

作者

  • 5篇徐小林
  • 2篇俞斌才
  • 2篇马怀振
  • 2篇刘慧霞
  • 2篇金攀
  • 1篇林泉

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2007
  • 2篇2006
  • 2篇2005
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
φ50mm等径GaP单晶制备及产业化
俞斌才徐小林刘慧霞马怀振金攀
GaP单晶是重要的化合物半导体材料之一，其生产量仅次于GaAs单晶。GaP是生产红、绿色LED的主要衬底材料，也是生产LED用量最大的衬底材料(LED是生产量最大的化合物半导体器件，大量用于各种仪器、仪表、设备、家用电器...
关键词：
关键词：GAP单晶半导体材料化合物单晶生长
降低磷化镓单晶尾部位错的方法
本发明公开了一种降低磷化镓单晶尾部位错的方法，其方法步骤如下：1)在磷化镓单晶生长将结束前1～2小时始，缓慢升温，升温速率0.1℃/min～0.4℃/min，连续升温10℃－30℃；2)当晶体生长到尾部浮舟落底且保持固液...
徐小林
文献传递
Φ60mm掺碲GaP单晶的研制被引量：2
2006年
用高压液封直拉法制备大直径GaP单晶重要的是控制拉制参数,如埚位、氧化硼厚度、热场、晶体坩埚直径比等。实验采用浮舟技术控制晶体直径,调整和控制参数使得晶体固液界面在拉制过程中始终凸向熔体,这对获得单晶非常重要。分析了晶体中电阻率、载流子浓度分布及位错分布。采用X射线双晶衍射对晶体质量进行了测试分析。
林泉徐小林金攀
关键词：X射线双晶衍射
φ50mm<111>等径GaP单晶制备及产业化
俞斌才徐小林刘慧霞马怀振金攀等
GaP单晶是重要的化合物半导体材料之一，其生产量仅次于GaAs单晶。GaP是生产红、绿色LED的主要衬底材料，也是生产LED用量最大的衬底材料(LED是生产量最大的化合物半导体器件，大量用于各种仪器、仪表、设备、家用电器...
关键词：
关键词：化合物半导体材料单晶生长
降低磷化镓单晶尾部位错的方法
一种降低磷化镓单晶尾部位错的方法，其方法如下：降低籽晶杆50-300mm/h，籽晶充分预热后使籽晶接触熔体；调整温度以使固液交界面的光圈大小稳定；在触接时间大于10分钟后开始降温；当固液界面的固相开始长大时，拉晶；随着晶...
徐小林
文献传递
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