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张浩东

作品数：12 被引量：4H指数：1
供职机构：山东大学更多>>
发文基金：山东省科技发展计划项目国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学水利工程天文地球更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇专利
  • 2篇学位论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇天文地球
  • 1篇水利工程
  • 1篇理学

主题

  • 3篇单晶
  • 3篇气相外延
  • 3篇外延片
  • 3篇减薄
  • 3篇风机
  • 3篇GAN
  • 2篇单晶生长
  • 2篇单桩
  • 2篇单桩基础
  • 2篇受压
  • 2篇退火
  • 2篇嵌岩
  • 2篇氢化物气相外...
  • 2篇中位
  • 2篇桩基
  • 2篇桩基础
  • 2篇外延层
  • 2篇位错
  • 2篇晶体
  • 2篇晶体质量

机构

  • 12篇山东大学

作者

  • 12篇张浩东
  • 6篇吴拥中
  • 6篇郝霄鹏
  • 6篇邵永亮
  • 4篇戴元滨
  • 4篇田媛
  • 4篇韩勃
  • 3篇张雷
  • 3篇王保刚
  • 2篇刘晓燕
  • 1篇刘健
  • 1篇张雷
  • 1篇蒋民华

传媒

  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 3篇2021
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇2011
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种利用高温退火表征GaN外延层中位错的方法
一种利用高温退火表征GaN外延层中位错的方法，包括以下步骤：（1）将带有GaN外延层的衬底放入加热炉中，将加热炉密封；（2）将加热炉内气压抽至3×10<Sup>2</Sup>-1×10<Sup>4</Sup>Pa，向加热...
郝霄鹏田媛张雷吴拥中邵永亮戴元滨张浩东
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单桩基础承载能力计算方法、系统、存储介质及设备
本发明涉及单桩基础承载能力计算方法、系统、存储介质及设备，包括，通过实验获取地基材料的摩尔库伦峰值强度指标和摩尔‑库伦残余强度指标，根据获取的试验参数，建立基于MC准则的强度折减模型；基于有限元方法，使用ABAQUS提供...
韩勃王保刚代松黄国香李承航张浩东
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一种使用减薄键合结构进行GaN单晶生长的方法
本发明提供了一种使用减薄键合结构进行GaN单晶生长的方法，包括以下步骤：(1)利用MOCVD方法在衬底上生长GaN薄膜，形成GaN外延片；(2)将GaN外延片减薄；(3)将减薄GaN外延片清洗干净并干燥；(4)使用金属层...
郝霄鹏戴元滨邵永亮吴拥中刘晓燕张浩东田媛
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一种海上风电基础模型试验系统及方法
本发明公开了一种海上风电基础模型试验系统及方法，包括：框型主体、试验土箱以及用于对试验土箱施加荷载的液压杆加载系统和砝码加载系统；在所述框型主体的底座上通过第一导轨安装试验土箱；所述框型主体的立柱通过第二导轨连接水平梁，...
韩勃代松王保刚耿飞张浩东刘士亮史逸伟
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利用减薄-键合衬底生长GaN单晶及其缺陷的研究
氮化镓(GaN)及其合金材料由于具有宽直接带隙、高载流子迁移率、高击穿电压、化学性质稳定等特点，在半导体发光二极管、激光二极管、光电探测器、高频高功率微波器件等方面具有非常广阔的应用前景。目前，由于缺少原生GaN同质衬底...
张浩东
关键词：气相外延生长半导体材料
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一种利用高温退火表征GaN外延层中位错的方法
一种利用高温退火表征GaN外延层中位错的方法，包括以下步骤：（1）将带有GaN外延层的衬底放入加热炉中，将加热炉密封；（2）将加热炉内气压抽至3×10<Sup>2</Sup>-1×10<Sup>4</Sup>Pa，向加热...
郝霄鹏田媛张雷吴拥中邵永亮戴元滨张浩东
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牟山水库流域洪水预报及防洪调度研究
洪水灾害是我国发生频率高、危害范围广、对国民经济影响最为严重的自然灾害,亦是对人类生命安全威胁最大的自然灾害之一。牟山水库流域的洪水具有突发性强、汇流时间短、洪水陡涨陡落等特点，2018年和2019年该流域曾发生特大暴雨...
张浩东
关键词：水库流域洪水预报防洪调度
单桩基础承载能力计算方法、系统、存储介质及设备
本发明涉及单桩基础承载能力计算方法、系统、存储介质及设备，包括，通过实验获取地基材料的摩尔库伦峰值强度指标和摩尔‑库伦残余强度指标，根据获取的试验参数，建立基于MC准则的强度折减模型；基于有限元方法，使用ABAQUS提供...
韩勃王保刚代松黄国香李承航张浩东
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一种使用减薄键合结构进行GaN单晶生长的方法
本发明提供了一种使用减薄键合结构进行GaN单晶生长的方法，包括以下步骤：(1)利用MOCVD方法在衬底上生长GaN薄膜，形成GaN外延片；(2)将GaN外延片减薄；(3)将减薄GaN外延片清洗干净并干燥；(4)使用金属层...
郝霄鹏戴元滨邵永亮吴拥中刘晓燕张浩东田媛
一种以H<Sub>3</Sub>PO<Sub>4</Sub>腐蚀衬底制备自剥离GaN单晶的方法
本发明提供一种以H<Sub>3</Sub>PO<Sub>4</Sub>腐蚀衬底制备自剥离GaN单晶的方法，包括以下步骤：(1)利用金属有机化学气相沉积的方法在蓝宝石衬底上外延生长2μm-10μm厚的GaN薄膜，形成GaN...
郝霄鹏邵永亮张雷吴拥中张浩东
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