杨成韬
- 作品数：133 被引量：157H指数：6
- 供职机构：电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划中央高校基本科研业务费专项资金中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信理学电气工程更多>>
- 在电子陶瓷物理教学中引入小组研讨会的实践与思考
- 2017年
- 本文讨论了在研究生"电子陶瓷物理"课程的教学中引入小组研讨会的实践情况,思考了小组研讨会教学方式在我国研究生课堂开展的可行性与实现方法,可供研究生课堂教学借鉴。
- 李恩竹杨成韬袁颖
- 关键词：教学体会
- PZT/LaNiO_3/MgO多层结构制备及性能研究被引量：4
- 2007年
- 利用激光脉冲法在MgO衬底上沉积制备LaNiO3(LNO)薄膜作为底电极材料,其上利用射频磁控溅射制备了锆钛酸铅(PZT)铁电薄膜。试验分析了LaNiO3表面结构和形貌,采用快速退火法在不同温度下对样品进行了热处理,发现在500℃即得到(110)取向、晶化完全的PZT薄膜。在5 V测试电压下发现650℃下晶化的样品表现出非常优异的介电和铁电性能,介电常数(rε,)和损耗(tanδ)分别达570和0.05,漏电流在10-9A量级,电滞回线完全饱和且形状对称,剩余极化强度(Pr)和矫顽场(Ec)分别为35.8μC/cm2和76.3 kV/cm。
- 张洪伟张树人黄文刘敬松杨成韬
- 关键词：LANIO3射频磁控溅射
- 采用ZnO压电薄膜制作高频声表面波滤波器的研究
- ＜正＞1前言声表滤波器件正在向着高频化、小型化、低插损和集成化的方向发展,而多层薄膜声表面波滤波器有利于实现高频化和集成化。目前研究的比较多的薄膜材料有ZnO、ALN、PbTiO3、PZT等压电薄膜。本文对不同工艺条件下...
- 范子坤陈晓阳杨成韬
- 文献传递
- 一种高压侧电流检测放大器
- 本发明公开了一种高压侧电流检测放大器，属于电流检测技术领域。高压侧电流检测放大器包括放大单元，所述放大单元包括顺次连接的输入级电路、放大级电路和输出级电路，所述输入级电路为具有电迁移结构的共基差分对。本发明通过对输入级电...
- 邢俊青张磊杨成韬李威
- 脉冲储能陶瓷材料及其制备方法
- 本发明提供一种脉冲储能介质陶瓷材料及制备方法，属于电子元器件材料领域。本发明由K<Sub>0.5+x</Sub>La<Sub>y</Sub>Bi<Sub>0.5</Sub>(Mg<Sub>0.5</Sub>Zr<Sub>...
- 唐斌陈菁菁赵鹏杨成韬钟朝位张树人
- 溅射气压对蓝宝石基ScAlN薄膜的影响被引量：1
- 2015年
- 采用直流磁控溅射在(0001)蓝宝石基片上制备Sc掺杂AlN(ScAlN)薄膜,所用靶材是ScAl合金靶(Sc0.06Al0.94)。通过X线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)测量其结晶取向和表面形貌,通过压电响应显微镜(PFM)测量其压电性能。结果表明,溅射气压是影响薄膜结晶质量和压电性能的重要因素。随着气压从0.3Pa增加到0.7Pa,薄膜的结晶质量和表面形貌会先变好后变差,薄膜的压电常数也有相似的变化规律。最后,当溅射气压为0.5Pa时获得了高度c轴取向的ScAlN薄膜,薄膜的摇摆曲线半高宽(FWHM)为2.6°,表面粗糙度(RMS)为2.650nm,压电常数为8.1pC/N。
- 张瑶朱伟欣周冬杨翼晞唐佳琳杨成韬
- 关键词：ALN薄膜压电材料
- 射频溅射法制备的CoFe_2O_4薄膜结构及磁性能被引量：2
- 2009年
- 采用射频溅射法在Si(001)基片上制备了CoFe2O4(CFO)薄膜,分别采用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射仪(XRD)、振动样品磁强计(VSM)进行测试和分析。结果表明,随着退火温度的升高,晶粒逐渐增大,在600℃左右退火,晶粒长大受到抑制;Ms和Hc随退火温度的升高都是先增大后减小;薄膜晶粒大小和膜内晶格应力导致垂直膜面方向矫顽力大于平面方向矫顽力。在600℃退火,Hc⊥/Hc∥值达到了2.72,表明制备的CFO薄膜具有高度垂直各向异性。
- 于永杰杨成韬王磊陈强张亚磊
- 关键词：退火磁性能
- 一种分段补偿的高阶曲率补偿带隙基准电路
- 本发明属于集成电路技术领域，公开了一种分段补偿的高阶曲率补偿带隙基准电路，包括PTAT电流产生模块、CTAT电流产生模块、低温补偿模块、高温补偿模块、电压输出模块。PTAT和CTAT电流产生模块分别用于产生正温度系数和负...
- 杨成韬雷奕许美琪张越蒲一帆
- ZnO陶瓷靶制备及其薄膜RF溅射工艺研究被引量：7
- 2006年
- 利用固相反应制备了直径为70mm,厚度为10-15mm高质量掺杂Li2CO2的ZnO陶瓷靶材,实验了不同摩尔浓度的Li+掺杂对靶材性能的影响,确定了最佳Li+掺杂量为2．2mol％,同时通过在不同温度烧结实验、不同成型压力实验确定了ZnO靶材制备的最佳工艺,并采用所制备的ZnO-Li2.2％陶瓷靶和RF(射频磁控)技术在Si(100)、玻璃(载玻片)、及Pt(111)／Ti／SiO2／Si(100)基片上制备出高度c轴(002)择优取向的ZnO薄膜,其绝缘电阻率ρ为4．12×108Ω·cm,达到了声表面波器件(SAW)的使用要求．
- 陈祝张树人杜善义杨成韬郑泽渔李波孙明霞
- 关键词：氧化锌薄膜射频磁控溅射
- 退火对溶胶-凝胶法CoFe_2O_4薄膜结构与磁性的影响
- 2009年
- 采用溶胶-凝胶法在Si(001)基片上制备了CoFe2O4(CFO)薄膜,对样品进行不同温度的快速退火处理,并采用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、振动样品磁强计(VSM)对薄膜进行微结构与磁性能分析。结果表明,薄膜退火温度在450℃及以上时生成无择尤取向的单一尖晶石相。随着退火温度上升,薄膜的晶化程度增高,Ms增大。650℃左右退火薄膜晶粒达到单畴临界尺寸,导致Hc随着退火温度的继续上升而逐渐下降。EDS分析表明,成膜后的化学计量比偏移很小。
- 解群眺杨成韬张亚磊
- 关键词：溶胶-凝胶法磁性
