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唐佳琳

作品数：10 被引量：1H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
相关领域：理学一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 2篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 6篇压电
  • 4篇ALN薄膜
  • 4篇掺杂
  • 4篇传播损耗
  • 3篇氮化铝
  • 2篇氮化铝薄膜
  • 2篇压电常数
  • 2篇压电效应
  • 2篇增强型
  • 2篇真空
  • 2篇真空处理
  • 2篇通信
  • 2篇通信技术
  • 2篇现代通信
  • 2篇现代通信技术
  • 2篇溅射
  • 2篇钪
  • 2篇催化
  • 1篇单原子
  • 1篇氮化

机构

  • 10篇电子科技大学

作者

  • 10篇唐佳琳
  • 7篇杨成韬
  • 6篇牛东伟
  • 1篇张瑶
  • 1篇朱伟欣
  • 1篇周冬

传媒

  • 1篇压电与声光

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2023
  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 3篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种a轴取向增强型AlN薄膜及其制备方法
本发明公开了一种a轴取向增强型AlN薄膜及其制备方法，属于电子信息功能材料与器件技术领域。本发明采用如下制备方法：采用n型的Si(100)衬底，将其放入磁控溅射系统腔室中进行真空处理后，采用不同磁控溅射工艺并结合退火处理...
杨成韬牛东伟唐佳琳胡现伟泰智薇
文献传递
一种Er掺杂的氮化铝压电薄膜材料
本发明公开了一种Er掺杂的氮化铝压电薄膜材料，涉及压电薄膜材料领域。本发明材料的化学式为Er<Sub>x</Sub>Al<Sub>1‑x</Sub>N，其中，x为Er的含量，1‑x为AlN的含量，x≦0.5。本发明采用现...
杨成韬泰智薇胡现伟牛东伟唐佳琳
文献传递
高c轴取向的ErAlN薄膜及其制备方法
本发明公开了一种高c轴取向ErAlN薄膜及其制备方法，属于压电薄膜领域。本发明采用高纯度铒铝合金作为靶材，在反应腔室内充入氮气，使得氮气在电离后与靶材发生化学反应，从而在衬底表面沉积得到ErAlN薄膜；本发明制得的ErA...
杨成韬胡现伟牛东伟唐佳琳泰智薇
文献传递
溅射气压对蓝宝石基ScAlN薄膜的影响被引量：1
2015年
采用直流磁控溅射在(0001)蓝宝石基片上制备Sc掺杂AlN(ScAlN)薄膜,所用靶材是ScAl合金靶(Sc0.06Al0.94)。通过X线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)测量其结晶取向和表面形貌,通过压电响应显微镜(PFM)测量其压电性能。结果表明,溅射气压是影响薄膜结晶质量和压电性能的重要因素。随着气压从0.3Pa增加到0.7Pa,薄膜的结晶质量和表面形貌会先变好后变差,薄膜的压电常数也有相似的变化规律。最后,当溅射气压为0.5Pa时获得了高度c轴取向的ScAlN薄膜,薄膜的摇摆曲线半高宽(FWHM)为2.6°,表面粗糙度(RMS)为2.650nm,压电常数为8.1pC/N。
张瑶朱伟欣周冬杨翼晞唐佳琳杨成韬
关键词：ALN薄膜压电材料
钌单原子掺杂的亚稳态氧化铱催化剂及其制备方法和应用
本发明公开的钌单原子掺杂的亚稳态氧化铱催化剂及其制备方法和应用，属于纳米催化剂技术领域，形貌为具有层状质子化结构的块体，晶体结构为三方相，钌原子通过替代0.5％～3％原子百分比的铱原子实现掺杂；制备方法为：取质量比为17...
夏川唐佳琳熊晓霞
一种钪掺杂氮化铝薄膜及其制备方法
本发明公开了一种钪掺杂的氮化铝薄膜及其制备方法，属于压电薄膜领域。本发明采用高纯度钪铝合金作为靶材，C276合金基片作为衬底，惰性环境下向反应腔室内充入氮气作为反应气体，通过磁控反应溅射法在C276合金基片沉积得到ScA...
杨成韬胡现伟牛东伟唐佳琳泰智薇
基于NaN3的释能效应构筑新型碳基纳米材料及其催化应用
进入21世纪以来，随着工业的飞速发展和化石燃料的过度开采，能源短缺和环境污染问题日益严重，发展可再生能源技术已经迫在眉睫。碳基纳米材料作为一种环境友好型材料，以其独特的结构和理化特性极大推动了清洁能源技术的发展，在能源、...
唐佳琳
关键词：碳基纳米材料NAN3光电催化
文献传递
一种面向CO<Sub>2</Sub>电还原制甲酸系统的Ru基阳极催化剂合成方法
本发明公开了一种面向CO<Sub>2</Sub>电还原制甲酸系统的Ru基阳极催化剂合成方法，属于新能源化工技术领域，先在氯化钌水合物中滴加硝酸钯水合物水溶液和硝酸钴水合物水溶液，混合得到前驱体溶液；在马弗炉中加热得到熔融...
钟可心夏川江秋赵雅洁乌兰其其格唐佳琳
一种a轴取向增强型AlN薄膜及其制备方法
本发明公开了一种a轴取向增强型AlN薄膜及其制备方法，属于电子信息功能材料与器件技术领域。本发明采用如下制备方法：采用n型的Si(100)衬底，将其放入磁控溅射系统腔室中进行真空处理后，采用不同磁控溅射工艺并结合退火处理...
杨成韬牛东伟唐佳琳胡现伟泰智薇
文献传递
一种钪掺杂氮化铝薄膜及其制备方法
本发明公开了一种钪掺杂的氮化铝薄膜及其制备方法，属于压电薄膜领域。本发明采用高纯度钪铝合金作为靶材，C276合金基片作为衬底，惰性环境下向反应腔室内充入氮气作为反应气体，通过磁控反应溅射法在C276合金基片沉积得到ScA...
杨成韬胡现伟牛东伟唐佳琳泰智薇
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