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牛东伟

作品数：7 被引量：1H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 5篇压电
  • 4篇ALN薄膜
  • 4篇传播损耗
  • 3篇氮化铝
  • 3篇掺杂
  • 2篇氮化铝薄膜
  • 2篇压电常数
  • 2篇压电效应
  • 2篇增强型
  • 2篇真空
  • 2篇真空处理
  • 2篇通信
  • 2篇通信技术
  • 2篇现代通信
  • 2篇现代通信技术
  • 2篇溅射
  • 2篇钪
  • 2篇C轴
  • 2篇C轴取向
  • 2篇磁控

机构

  • 7篇电子科技大学

作者

  • 7篇牛东伟
  • 6篇杨成韬
  • 6篇唐佳琳

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 4篇2017
  • 1篇2016
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
高c轴取向的ErAlN薄膜及其制备方法
本发明公开了一种高c轴取向ErAlN薄膜及其制备方法，属于压电薄膜领域。本发明采用高纯度铒铝合金作为靶材，在反应腔室内充入氮气，使得氮气在电离后与靶材发生化学反应，从而在衬底表面沉积得到ErAlN薄膜；本发明制得的ErA...
杨成韬胡现伟牛东伟唐佳琳泰智薇
文献传递
AlN薄膜的制备与性能的研究
在当今科技飞速发展的时代，人们所使用的通讯设备逐渐缩小，功能愈发强大与齐全，工作效率一再提高。这对电子元器件的要求越来越高，进而对电子材料的性能要求也日益增加。作为现代通讯系统的重要组成部分，薄膜SAW（声表面波）器件设...
牛东伟
关键词：磁控溅射C轴取向沉积速率
一种钪掺杂氮化铝薄膜及其制备方法
本发明公开了一种钪掺杂的氮化铝薄膜及其制备方法，属于压电薄膜领域。本发明采用高纯度钪铝合金作为靶材，C276合金基片作为衬底，惰性环境下向反应腔室内充入氮气作为反应气体，通过磁控反应溅射法在C276合金基片沉积得到ScA...
杨成韬胡现伟牛东伟唐佳琳泰智薇
一种a轴取向增强型AlN薄膜及其制备方法
本发明公开了一种a轴取向增强型AlN薄膜及其制备方法，属于电子信息功能材料与器件技术领域。本发明采用如下制备方法：采用n型的Si(100)衬底，将其放入磁控溅射系统腔室中进行真空处理后，采用不同磁控溅射工艺并结合退火处理...
杨成韬牛东伟唐佳琳胡现伟泰智薇
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一种Er掺杂的氮化铝压电薄膜材料
本发明公开了一种Er掺杂的氮化铝压电薄膜材料，涉及压电薄膜材料领域。本发明材料的化学式为Er<Sub>x</Sub>Al<Sub>1‑x</Sub>N，其中，x为Er的含量，1‑x为AlN的含量，x≦0.5。本发明采用现...
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一种a轴取向增强型AlN薄膜及其制备方法
本发明公开了一种a轴取向增强型AlN薄膜及其制备方法，属于电子信息功能材料与器件技术领域。本发明采用如下制备方法：采用n型的Si(100)衬底，将其放入磁控溅射系统腔室中进行真空处理后，采用不同磁控溅射工艺并结合退火处理...
杨成韬牛东伟唐佳琳胡现伟泰智薇
文献传递
一种钪掺杂氮化铝薄膜及其制备方法
本发明公开了一种钪掺杂的氮化铝薄膜及其制备方法，属于压电薄膜领域。本发明采用高纯度钪铝合金作为靶材，C276合金基片作为衬底，惰性环境下向反应腔室内充入氮气作为反应气体，通过磁控反应溅射法在C276合金基片沉积得到ScA...
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