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王翎

作品数：9 被引量：16H指数：3
供职机构：山东大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学化学工程电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇专利

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇化学工程
  • 2篇理学
  • 1篇电气工程

主题

  • 3篇激光
  • 3篇激光器
  • 1篇低阈值
  • 1篇低阈值电流
  • 1篇电子显微术
  • 1篇电阻
  • 1篇形貌
  • 1篇应变量子阱
  • 1篇照明
  • 1篇阵列
  • 1篇生长习性
  • 1篇碳化硅
  • 1篇碳化硅粉
  • 1篇同步辐射光源
  • 1篇透射电子显微...
  • 1篇欧姆接触
  • 1篇腔面
  • 1篇阈值电流
  • 1篇习性
  • 1篇显微镜

机构

  • 9篇山东大学
  • 3篇山东华光光电...

作者

  • 9篇王翎
  • 8篇徐现刚
  • 3篇胡小波
  • 3篇夏伟
  • 2篇彭燕
  • 2篇宁丽娜
  • 2篇高玉强
  • 2篇李树强
  • 2篇李娟
  • 2篇马德营
  • 1篇刘铎
  • 1篇李沛旭
  • 1篇王英民
  • 1篇徐明升

传媒

  • 2篇半导体技术
  • 2篇人工晶体学报
  • 1篇中国激光
  • 1篇功能材料
  • 1篇信息技术与信...

年份

  • 2篇2014
  • 2篇2011
  • 2篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 1篇1990
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
硅粉形貌对人工合成高纯碳化硅粉料的影响被引量：4
2008年
合成了适于半绝缘碳化硅单晶生长的高纯度SiC粉料。实验发现,不同的硅粉形状、粒度以及合成温度、时间都对合成产物的形貌、组成和产率有影响。合成产物的形貌通过扫描电子显微镜(SEM)观察,结构通过粉末衍射法(XRD)测定。结果表明,合成产率与Si粉的表面积有十分重要的关系,表面积越大,合成产率越高。合成温度和时间则决定了合成产物中-αSiC和-βSiC的比例。辉光放电质谱(GDMS)测量了合成产物的杂质含量,表明合成产物符合半绝缘SiC单晶的生长要求。
宁丽娜胡小波王英民王翎李娟彭燕高玉强徐现刚
关键词：高纯碳化硅粉
虫草菌胞外多糖的分离、纯化及其性质研究
王翎
一种测量SiC晶体中微管密度的方法
一种测量SiC晶体中微管密度的方法，包括将SiC晶体的被测表面划分为若干正方形小区，使每个小区的面积为5×5mm<Sup>2</Sup>，并对小区编号；取小区的中心点作为测量点，用显微镜测量并记录每个视野区域的微管个数，...
王翎彭燕徐现刚胡小波宁丽娜
文献传递
透射电子显微术和高分辨X射线衍射技术研究AlN单晶生长习性被引量：5
2008年
采用透射电子显微术和高分辨X射线衍射技术对氮化硼坩埚中自发成核的AlN单晶生长习性进行了研究。结果表明,在低温下,AlN单晶显露面为(0001)面,随着温度的升高,AlN单晶显露面转化为(112-0)面。沟槽结构是高温下得到的AlN单晶共有的显著特征,其取向沿[0001]方向。
李娟胡小波高玉强王翎徐现刚
关键词：透射电子显微术
n型SiC极性面对欧姆接触性质的影响
2014年
研究了n型碳化硅(SiC)极性表面、载流子浓度和退火温度对欧姆接触的影响,测试了不同样品的电流-电压曲线,并通过传输线方法计算比接触电阻。对于SiC衬底的硅面,GeNiTiAu合金材料的欧姆接触特性最好;而对于碳面,TiAu合金材料的接触电阻最小。衬底载流子浓度由1.5×101 7cm-3逐步提高到2.0×1018cm-3,金属与n型SiC衬底硅面的接触由肖特基接触变为欧姆接触,欧姆接触电阻随着载流子浓度的提高而明显降低。GeTiAu合金与SiC衬底硅面的接触电阻随着退火温度的提高非单调降低,900℃为最优退火温度。原子力显微镜结果显示,退火后样品表面粗糙度明显提高。
王翎徐明升徐现刚
关键词：欧姆接触比接触电阻
高透腔面大功率650nm红光半导体激光器被引量：7
2007年
利用石英闭管法对金属有机化学气相沉积(MOCVD)外延生长的应变量子阱(MQW)650 nm AlGaInP/GaInP材料进行选择区域扩Zn,使扩Zn区域的光致发光(PL)谱的峰值蓝移达175 meV,形成对650 nm波长激光器的高透腔面,有益于减少激光器腔面光吸收,增加了激光器退化的光学灾变损伤(COD)阈值.后工艺制作出条宽100μm,腔长1 mm的增益导引激光器,实现了红光半导体激光器的大功率输出.激光器阈值电流为382 mA,在2.28 A工作电流时达到光学灾变损伤阈值,最大连续输出光功率1.55 W,外微分量子效率达到0.82 W/A.
夏伟马德营王翎李树强汤庆敏张新刘琦任忠祥徐现刚
关键词：激光器大功率NM
808nm无Al量子阱激光器mini阵列的研制
2011年
通过分析激光器的结构,优化设计了非对称宽波导激光器结构及外延生长条件。利用低压金属有机化合物气相淀积技术(LP-MOCVD)生长了高质量的InGaAsP/GaInP无铝应变量子阱外延材料,制作成808 nm高功率半导体激光器mini阵列,将其应用到1 064 nm全固态激光器中。20℃下,制作的808 nm,0.5 cm半导体激光器mini阵列,连续驱动电流50 A时输出功率达到50 W,最高光电转换效率达到53%。将该808 nm激光器mini阵列应用到全固态1 064 nm激光模组中,50 W,1 064 nm激光输出时,工作电流只有15 A。经过多于500 h老化以后,1 064 nm全固态激光器的功率衰减小于2%。
王翎李沛旭房玉锁汤庆敏张新夏伟任忠祥徐现刚
关键词：应变量子阱
MOCVD生长低阈值电流GaInP/AlGaInP 650nm激光器
2006年
通过MOCVD外延实现了限制层高铝组分及高掺杂,制作出低阈值电流密度的压应变多量子阱激光器材料,后工艺制备了低阈值电流基横模弱折射率脊形波导激光器。该激光器阈值电流最低达到6.2mA,这是我们所见报道的650nm A lGaInP红光激光器的最低阈值电流。在25mA工作电流下,基横模连续输出功率达到18mW。
夏伟王翎李树强张新马德营任忠祥徐现刚
关键词：MOCVD低阈值电流
纳米技术突破带动LED照明产业发展
2014年
介绍了LED及纳米技术,展望LED产业技术的发展趋势和应用领域,并介绍了山东大学在研究新型金属介质结构,大幅提高LED发光效率方面的最新突破。
王翎刘铎徐现刚
关键词：LED发光效率
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