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文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 3篇理学
  • 2篇机械工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇等离子体
  • 3篇SIH
  • 2篇谱线
  • 2篇激光
  • 2篇光谱
  • 2篇SIH4
  • 2篇H
  • 1篇动力学
  • 1篇动力学研究
  • 1篇跃迁
  • 1篇谱线轮廓
  • 1篇自由基
  • 1篇自由基反应
  • 1篇激光等离子体
  • 1篇光谱研究
  • 1篇发光
  • 1篇发光光谱
  • 1篇反应动力学
  • 1篇X^2
  • 1篇

机构

  • 4篇河北大学
  • 1篇河北农业大学

作者

  • 4篇王金国
  • 4篇李晓苇
  • 4篇韩理
  • 3篇傅广生
  • 2篇张连水
  • 1篇付广生
  • 1篇吕福润

传媒

  • 2篇物理学报
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇量子电子学

年份

  • 1篇1993
  • 2篇1991
  • 1篇1990
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
SiH_4激光等离子体内自由基反应动力学研究
1991年
本工作采用时间分辨的OES(Optics Emission Spectroscopy)技术, 研究横向激励大气压(TEA)CO_2激光诱发的SiH_4等离子体内碎片反应动力学过程。实验结果表明,等离子体内某些碎片的发光特征谱线主峰位置明显不同。据此,讨论了各碎片的产生及反应过程。比较各碎片发光的持续时间及综合其它OES结果,我们认为SIH_4激光等离子体的最终反应通道为产生Si的通道。
傅广生王金国李晓苇韩理吕福润
关键词:SIH4等离子体反应动力学
SiH_4激光等离子体内H谱线的线型研究
1993年
本工作利用光学多道分析仪(OMA Ⅲ)测量了脉冲TEA CO_2激光诱发的SiH。等离子体内H Balmer系的H_α,H_σ和H_γ线的线型。结果表明,三条谱线的FWHM(半值全宽度)随跃迁上能级的主量子数的增加而增加,即△λ_(1/2)(H_α)<△λ_(1/2)(H_β)<△λ_(1/2)(H_γ)。通过对等离子体内各类加宽机制的讨论,得出等离子体内谱线的主要加宽机制为Stark加宽。由H_α线的实验线型与Stark加宽理论线型的拟合,得到等离子体的两个重要参量,平均电子密度N≈10^(17)cm^(-3),电子温度T≈40000K。由H_β线的时间分辨测量得到等离子体的电子密度随时间的演变曲线。
李晓苇傅广生韩理张连水吕福润王金国
关键词:激光等离子体谱线轮廓
SiH自由基A^2Δ—X^2∏跃迁光谱研究
1990年
本工作用OMA系统和高分辨单色仪同时测量了硅烷激光等离子体和放电等离子体的发光谱以及两种等离子体条件下的SiH A^2△——X^2Ⅱ跃迁0——0带光谱。讨论了SiH 0——0带光谱在两种等离子体内的区别。
李晓苇王金国韩理吕福润付广生
关键词:激光
SiH_4激光等离子体内H谱线的线型研究
1991年
本文利用OMA-Ⅲ系统测量了脉冲TEA CO_2激光诱发的SiH_4等离子体发光谱内H巴耳末系的H_α、H_β和H_γ线的线型及线宽。通过理论及实验分析,认为这些谱线的主要加宽机制为Stark加宽。由实验线型和理论线型的拟合得到等离子体的电子温度T≈40000K和电子密度N≈10^(17)cm^(-3)。
王金国李晓苇傅广生张连水韩理吕福润
关键词:SIH4等离子体发光光谱
共1页<1>
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