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盛玉荣

作品数:11 被引量:0H指数:0
供职机构:电子科技大学更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 8篇专利
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 5篇闩锁
  • 5篇芯片
  • 3篇电路
  • 3篇电路芯片
  • 3篇掩膜
  • 3篇集成电路
  • 3篇集成电路芯片
  • 3篇防护用
  • 3篇半导体
  • 3篇ESD
  • 3篇ESD保护
  • 2篇电源
  • 2篇掩膜版
  • 2篇闩锁效应
  • 2篇连接形式
  • 2篇免疫
  • 2篇免疫能力
  • 2篇高压电源
  • 2篇发端
  • 2篇半导体器件

机构

  • 11篇电子科技大学

作者

  • 11篇盛玉荣
  • 9篇樊航
  • 8篇蒋苓利
  • 6篇张波
  • 5篇曲黎明
  • 3篇乔明
  • 2篇柯明道
  • 2篇马金荣
  • 2篇齐钊
  • 2篇薛腾飞
  • 1篇罗小蓉

传媒

  • 2篇四川省电子学...

年份

  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 3篇2014
  • 3篇2013
  • 2篇2012
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
堆栈NMOS器件性能的研究
堆叠NMOS(Stacked-NMOS,STNMOS)在静电放电保护(Electro-Static Discharge,ESD)设计中得到了广泛的应用,其可在不增加栅氧厚度的前提下,有效的提高了器件的栅氧可靠性和降低了漏...
盛玉荣樊航蒋苓利乔明
关键词:电流密度
文献传递
RF LDMOS器件的栅极ESD保护设计与研究
蜂窝式无线基站和第三代无线通信系统的迅猛发展和普及,对高频放大器提出了越来越高的要求,也给高频放大器带来一大机遇。RF LDMOS以其低成本、高效率、高线性度、高集成度等优点,使其逐渐占据了高频放大器这一市场,这也使RF...
盛玉荣
关键词:无线通信
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一种抗静电释放的LDMOS器件
一种抗静电释放的LDMOS器件,属于电子技术领域。本发明在常规LDMOS器件的漏端下方一侧部分区域增加一个低压P阱,使LDMOS器件中存在一个寄生的N-P-N-P-N结构,从而增加一条低导通阻抗的电流泄放路径,该结构等效...
张波樊航曲黎明盛玉荣蒋苓利
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一种集成电路芯片ESD防护用MOS器件
一种集成电路芯片ESD防护用MOS器件,属于电子技术领域。本发明在不增加器件尺寸、无需消耗更多芯片面积的情况下,通过在源区和衬底接触区之间的下方衬底区域增加若干平行于器件横向方向的条状阱区的方式来增加源区和衬底接触区之间...
张波曲黎明樊航蒋苓利盛玉荣
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应用于芯片ESD的低压触发SCR结构参数对其维持电压的影响
LVTSCR(低压触发SCR)具有低触发电压,高二次击穿电压It2等特点,在ESD(静电防护)设计中具有广泛的应用,但其低Vhold(维持电压)很容易导致latch-up(闩锁效应),从而导致器件或电路失去控制,最终可能...
曲黎明盛玉荣蒋苓利罗小蓉
关键词:可控硅器件结构参数闩锁效应静电防护
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集成电路电源轨抗静电保护的触发电路结构
一种电路电源轨抗静电保护的触发电路结构,属于电子技术领域。该结构用于触发具有混合工作电压的集成电路高压电源轨抗静电保护器件,包括由m(正整数)个第一PMOS管构成的二极管连接形式的串联电路,第二PMOS管和电阻R;m个第...
张波樊航盛玉荣柯明道
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一种用于ESD保护的低触发电压抗闩锁SCR
本发明涉及半导体器件技术,具体的说是涉及一种用于ESD保护的低触发电压抗闩锁SCR。本发明的一种用于ESD保护的低触发电压抗闩锁SCR,包括P型衬底(1),所述P型衬底1中设置有第一N阱注入区2和P阱注入区4,其特征在于...
乔明齐钊马金荣薛腾飞樊航盛玉荣蒋苓利
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集成电路电源轨抗静电保护的触发电路结构
一种电路电源轨抗静电保护的触发电路结构,属于电子技术领域。该结构用于触发具有混合工作电压的集成电路高压电源轨抗静电保护器件,包括由m(正整数)个第一PMOS管构成的二极管连接形式的串联电路,第二PMOS管和电阻R;m个第...
张波樊航盛玉荣柯明道
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一种集成电路芯片ESD防护用LDMOS SCR器件
一种集成电路芯片ESD防护用LDMOS SCR器件,属于电子技术领域。本发明在传统集成电路芯片ESD防护用LDMOS SCR结构基础上集成一个低压MOS器件,通过所述低压MOS器件来限制内嵌SCR阳极注入的空穴电流,从而...
张波樊航曲黎明盛玉荣蒋苓利
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一种用于ESD保护的低触发电压抗闩锁SCR
本发明涉及半导体器件技术,具体的说是涉及一种用于ESD保护的低触发电压抗闩锁SCR。本发明的一种用于ESD保护的低触发电压抗闩锁SCR,包括P型衬底(1),所述P型衬底1中设置有第一N阱注入区2和P阱注入区4,其特征在于...
乔明齐钊马金荣薛腾飞樊航盛玉荣蒋苓利
文献传递
共2页<12>
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