樊航
- 作品数：94 被引量：10H指数：2
- 供职机构：电子科技大学更多>>
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- 相关领域：交通运输工程电子电信建筑科学文化科学更多>>
- 集成电路电源轨抗静电保护的触发电路结构
- 一种电路电源轨抗静电保护的触发电路结构，属于电子技术领域。该结构用于触发具有混合工作电压的集成电路高压电源轨抗静电保护器件，包括由m（正整数）个第一PMOS管构成的二极管连接形式的串联电路，第二PMOS管和电阻R；m个第...
- 张波樊航盛玉荣柯明道
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- 一种ESD瞬态检测电路
- 本发明涉及电子技术，具体的说是涉及静电泄放防护中的瞬态检测电路。本发明的一种ESD瞬态检测电路，包括由驱动电阻11和驱动电容12组成的驱动网络1、由反相器PMOS管21和反相器NMOS管22组成的控制网络2；其特征在于，...
- 乔明齐钊马金荣薛腾飞白春蕾樊航蒋苓利张波
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- 一种用于集成电路芯片ESD保护的低压SCR结构
- 一种用于集成电路芯片ESD保护的低压SCR结构，属于电子技术领域。包括两类低压SCR ESD保护器件，第一类器件集成了2个N阱二极管和2个NMOS，其中N阱二极管连接于I/O和VDD之间，NMOS连接于VDD和VSS之间...
- 蒋苓利樊航张波刘娟喻钊
- 一种用于集成电路输出级ESD保护的SCR结构
- 一种用于集成电路输出级ESD保护的SCR结构，属于电子技术领域。包括两种类型的SCR结构。第一类SCR结构集成了2个等效的PMOS和2个等效的NMOS，提供PS、PD模式和VDD-VSS之间的ESD防护；其中PMOS连接...
- 蒋苓利樊航林丽娟张波
- 一种为集成电路I/O端口提供全模式ESD保护的SCR结构
- 一种为集成电路I/O端口提供全模式ESD保护的SCR结构，属电子技术领域。包括衬底表面的一个P阱区、两个N阱区、三个P+区和五个N+区，P阱区夹于两个N阱区之间，第一N+区和第一P+区位于第一N阱区中，且与外部芯片I/O...
- 张波樊航蒋苓利吴道训何川
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- 眼动指标作为弱视诊断生物标志物的研究
- 弱视是现代人视力障碍的主要原因之一，发病率可达4%，弱视的治疗关键年龄是6-8岁之前，早诊断早治疗对于弱视的控制有着重要的意义。目前的弱视诊断方法存在对患者配合要求度高、指标单一、检出率过高等问题，低龄儿童有一定的误诊风...
- 樊航
- 关键词：弱视疾病诊断生物标志物
- 一种ESD瞬态检测电路
- 本发明涉及电子技术，具体的说是涉及静电泄放防护中的瞬态检测电路。本发明的一种ESD瞬态检测电路，包括由驱动电阻11和驱动电容12组成的驱动网络1、由反相器PMOS管21和反相器NMOS管22组成的控制网络2；其特征在于，...
- 乔明齐钊马金荣薛腾飞白春蕾樊航蒋苓利张波
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- 一种抗静电释放的LDMOS器件
- 一种抗静电释放的LDMOS器件，属于电子技术领域。本发明在常规LDMOS器件的漏端下方一侧部分区域增加一个低压P阱，使LDMOS器件中存在一个寄生的N-P-N-P-N结构，从而增加一条低导通阻抗的电流泄放路径，该结构等效...
- 张波樊航曲黎明盛玉荣蒋苓利
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- 基于ANSYS的煤矿立井抢险排水管道安全性评价分析被引量：2
- 2018年
- 以810 m煤矿立式抢险排水管道为例,研究排水管路正常运行时所受载荷,利用CAD模型建立了抢险排水管道结构的三维模型,运用ANSYS有限元分析软件对其进行静力学分析,模拟排水管道在给定静载荷作用下在竖直方向上的应力和应变分布状况,并对其安全性进行评价。研究得出排水系统最上端管道的横断面为危险截面,管道结构的最大应力为138.88 MPa,小于其应力极限,验证了管道结构的强度及稳定性,为煤矿立井抢险排水系统的可靠运行提供了依据,并结合安全性和经济性的原则,对下端管道的选材提出建议。
- 赵福隆郑晓雯郭智堡杨良傅豪樊航
- 关键词：煤矿立井排水管道ANSYS静力学分析安全性评价
- 一种栅控二极管触发的可控硅整流式静电释放保护电路结构
- 一种栅控二极管触发的可控硅整流式(SCR)静电释放(ESD)保护电路结构，属于电子技术领域。本发明通过集成一个击穿电压较低的栅控二极管，将常规SCR ESD保护电路结构的触发电压由P阱/N阱结的击穿电压转变为栅控N<Su...
- 蒋苓利樊航张波乔明林丽娟喻钊钟昌贤
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