唐英杰
- 作品数：8 被引量：28H指数：3
- 供职机构：北京大学物理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 高亮度氮化物白光发光二极管及其制备方法
- 本发明涉及一种高亮度氮化物白光发光二极管及其制备方法,采用氮化物发光二极管芯片作为激发光源,将透明树脂涂覆固化在芯片和金丝上,形成球冠形,再涂覆一层透明树脂和掺铈钇铝石榴石荧光粉的混合物,最后用透明树脂常规封装。这种白光...
- 张国义杨志坚丁晓民王宇芳唐英杰李忠辉
- 文献传递
- GaN基白光LED的研制与特性(英文)被引量：11
- 2001年
- 本文报导了通过低压金属有机物化学气相沉积 (MOCVD)的InGaN/GaN量子阱蓝光发光二极管(LED)与钇铝石榴石 (YAG)荧光粉结合而得的白光发光二极管 (W LED)。在室温、正向电流 2 0mA时 ,W LED轴向亮度为 1 70mcd,显色指数 (CRI)达到 82 ,色温 (CCT)为 74 48K ,CIE色坐标是 ( 0 2 96 ,0 31 6 ) ,接近纯白色 ( 0 33,0 33)。随着注入电流的增强 ,测量并探讨了白光LED的发射光谱与发光强度的变化。
- 唐英杰王宇方杨志坚张国义
- 关键词：发光二极管
- InGaN/GaN多量子阱热退火的拉曼光谱和荧光光谱被引量：4
- 2005年
- 通过拉曼光谱及荧光光谱测量研究了采用低压金属有机化学沉积(MOCVD)方法生长的InGaNGaN多量子阱高温快速热退火处理对量子阱光学性质的影响。观测到退火后InGaNGaN量子阱的拉曼光谱E2,A1(LO)模式的峰位置出现了红移,而且该振动峰的半高宽也有微小变化。温度升高退火效果更明显。退火使量子阱内应力部分消除,同时In,Ga原子扩散出现相分离使拉曼谱表现出变化。在常温和低温下的光荧光谱表明,退火处理的量子阱发光主峰都出现了红移;而且低温退火出现红移,退火温度升高相对低温退火出现蓝移;同时在低温荧光光谱里看到经过退火处理后原发光峰中主峰旁边弱的峰消失了。讨论了退火对多量子阱光学性质的影响。
- 吕国伟唐英杰李卫华黎子兰张国义杜为民
- 关键词：INGAN/GAN多量子阱光荧光快速热退火拉曼光谱荧光光谱
- X射线分析氢化物汽相外延法生长GaN薄膜(英文)被引量：1
- 2001年
- 氮化物研究在 90年代取得显著进步 ,成功制造出蓝色发光二极管和激光二极管。由于氮化镓与衬底(如 :蓝宝石 ,碳花硅 )间存在大的晶格常数和热膨胀系数失配 ,外延膜中有非常高的位错密度。研究氢化物汽相外延法生长的氮化镓膜中倾斜和扭转现象 ,并应用到以X射线摇摆曲线的半峰宽计算氮化镓膜中位错密度。Φ扫描曲线表征外延的氮化镓晶体六方对称性 ,而极图表明氮化镓膜中存在马赛克结构。计算出螺位错密度为 :2 93× 1 0 9cm-2 和刃位错密度为 :5 2 5× 1 0 10 cm-2 。
- 周劲杨志坚唐英杰张国义
- 关键词：GANX射线分析
- X射线分析氢化物汽相外延法生长GaN薄膜被引量：3
- 2001年
- 氮化物研究在90年代取得显著进步,成功制造出蓝色发光二极管和激光二极管.由于氮化镓与衬底(如:蓝宝石,碳花硅)间存在大的晶格常数和热膨胀系数失配,外延膜中有非常高的位错密度.研究氢化物汽相外延法生长的氮化镓膜中倾斜和扭转现象,并应用到以X射线摇摆曲线的半峰宽计算氮化镓膜中位错密度.Ф扫描曲线表征外延的氮化镓晶体六方对称性,而极图表明氮化镓膜中存在马赛克结构.计算出螺位错密度为:2.93×109cm-2和刃位错密度为:5.25×1010cm-2.
- 周劲杨志坚唐英杰张国义
- 关键词：GANX射线分析
- GaN基白光LED的研制与特性被引量：9
- 2001年
- 本文报导了通过低压金属有机物化学气相沉积(MOCVD)的InGaN/GaN量子阱蓝光发光二极管(LED)与钇铝石榴石(YAG)荧光粉结合而得的白光发光二极管(W-LED).在室温、正向电流20mA时,W-LED轴向亮度为170mcd,显色指数(CRI)达到82,色温(CCT)为7448K,CIE色坐标是(0.296,0.316),接近纯白色(0.33,0.33).随着注入电流的增强,测量并探讨了白光LED的发射光谱与发光强度的变化.
- 唐英杰王宇方杨志坚张国义
- 关键词：发光二极管
- 高亮度氮化物白光发光二极管及其制备方法
- 本发明涉及一种高亮度氮化物白光发光二极管及其制备方法，采用氮化物发光二极管芯片作为激发光源，将透明树脂涂覆固化在芯片和金丝上，形成球冠形，再涂覆一层透明树脂和掺铈钇铝石榴石荧光粉的混合物，最后用透明树脂常规封装。这种白光...
- 张国义杨志坚丁晓民王宇芳唐英杰李忠辉
- 文献传递
- InGaN/GaN量子阱的热退火研究与白光LED的制备和性质
- 该论文对快速退火后InGaN／GaN量子阱结构的性质和量子阱基白光LED的制备进行了研究.工作主要集中在以下几方面：（1）.快速热退火工艺处理后的InGaN／GaN应变量子阶,由于量子阱阱层与垒层之间的In和Ga原子的扩...
- 唐英杰
- 关键词：铟镓氮应变量子阱高分辨透射电镜白光发光二极管
