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方锋

作品数：20 被引量：0H指数：0
供职机构：有色金属研究总院更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 20篇国内会议论文

领域

  • 8篇电子电信
  • 3篇理学

主题

  • 20篇单晶
  • 14篇硅单晶
  • 10篇直拉硅
  • 10篇直拉硅单晶
  • 8篇单晶生长
  • 6篇电阻率
  • 6篇硅
  • 6篇氧
  • 2篇氧含量
  • 2篇小平面
  • 2篇均匀性
  • 2篇硅单晶生长
  • 2篇掺锑
  • 2篇磁场
  • 2篇N

机构

  • 20篇有色金属研究...

作者

  • 20篇方锋
  • 20篇吴志强
  • 16篇郝玉清
  • 14篇张果虎
  • 10篇万关良
  • 4篇常青

传媒

  • 7篇1998年全...
  • 7篇1998年全...
  • 3篇第十一届全国...
  • 3篇第十一届全国...

年份

  • 6篇1999
  • 14篇1998
共 20 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
勾形磁场对直拉硅单晶电阻率的影响
该文讨论了勾形磁场对Ｎ＜１００＞，Ｈ＜１１１＞直拉硅单晶电阻率的影响。勾形磁场能够改善电阻率径向均匀性，对电阻率轴向变化影响不大。
郝玉清方锋吴志强万关良
关键词：直拉硅单晶电阻率
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Φ300mm硅单晶生长工艺研究
讨论了Φ３００ｍｍ硅单晶生长中新问题，分析了热对流、热场、拉晶工艺以及设备控制对晶体生长的影响，磁场条件和设备稳定控制是Φ３００ｍｍ硅单晶生长的基本条件，热场配置和拉晶工艺是控制大直径单晶的关键。
吴志强张果虎常青方锋
勾形磁场拉晶技术
研究了利用勾形磁场的拉晶技术。通过改变磁场强度及埚转速度，可将氧的轴向梯度控制在中氧范围内的±１ｐｐｍａ内，利用分段拉晶技术可以拉制Ｎ〈１１１〉高阻单晶，替代区熔单晶，用于制造小功率器件。
郝玉清方锋吴志强
关键词：硅单晶生长
埚转速度变化对直拉硅单晶氧径向均匀性的影响
研究了直拉硅单晶氧径向均匀性与石英埚转速变化的关系。在单晶生长初期。石英埚转速变化对氧径向均匀性没有影响。但在单晶生长后期。石英埚转速增加导致氧径向均匀性变坏。
郝玉清张果虎方锋吴志强
关键词：硅单晶氧
N<lll>高阻硅单晶径向电阻率均匀性的控制
拉晶实验，发现热对流、晶转、拉速等对掺磷Ｎ〈ｌｌｌ〉高阻硅单晶径向电阻率均匀性影响很大。热对流小，晶转快，拉速大能有效提高单晶径向电阻率均匀性。
万关良方锋郝玉清吴志强张果虎
关键词：硅单晶电阻率均匀性小平面
重掺锑直拉硅单晶电阻率的控制
通过拉晶实验，研究了炉室气压、拉晶速率和成晶时间等晶体生长工艺条件对直拉重掺锑单晶电阻率的影响。实验结果表明，炉室气压、拉晶速率和成晶时间对电阻率影响很大，推导一经验公式，选用适当工艺参数，能准确控制单晶电阻率大小及其纵...
万关良方锋吴志强郝玉清张果虎
关键词：硅单晶电阻率
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Φ300mm硅单晶生长工艺研究
该文讨论了Φ３００ｍｍ硅单晶生长中新问题，分析了热对流、热场、拉晶工艺以及设备控制对晶体生长的影响，磁场条件和设备稳定控制是Φ３００ｍｍ硅单晶生长的基本条件，热场配置和拉晶工艺是控制大直径单晶的关键。
吴志强张果虎常青方锋
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勾型磁场控氧技术的研究
应有和在直接硅单晶的生长系统上（ＭＣＺ）能有效地掏硅熔体之热对流，降低晶体中的氧含量，该文在分析“勾型”磁场分布特点的基础上，制定相庆的拉晶工艺参数，达到控制晶体的氧含量和提高氧的径向分布均匀性的目的。
方锋张果虎吴志强
关键词：硅单晶生长
勾型磁场控氧技术的研究
磁场应有和在直接硅单晶的生长系统上（ＭＣＺ）能有效地掏硅熔体之热对流，降低晶体中的氧含量，该文在分析“勾型”磁场分布特点的基础上，制定相庆的拉晶工艺参数，达到控制晶体的氧含量和提高氧的径向分布均匀性的目的。
方锋张果虎吴志强
关键词：硅单晶生长
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勾形磁场拉晶技术
该文研究了利用勾形磁场的拉晶技术。通过改变磁场强度及埚转速度，可将氧的轴向梯度控制在中氧范围内的±１ｐｐｍａ内，利用分段拉晶技术可以拉制Ｎ〈１１１〉高阻单晶，替代区熔单晶，用于制造小功率器件。
郝玉清方锋吴志强
关键词：硅单晶生长
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