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张果虎

作品数：32 被引量：34H指数：4
供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
相关领域：电子电信理学机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 19篇会议论文
  • 9篇期刊文章
  • 4篇专利

领域

  • 16篇电子电信
  • 3篇理学
  • 1篇机械工程

主题

  • 27篇单晶
  • 24篇硅单晶
  • 11篇直拉硅
  • 11篇直拉硅单晶
  • 6篇硅片
  • 6篇硅
  • 5篇氧
  • 4篇单晶生长
  • 4篇电阻率
  • 3篇掺锑
  • 2篇单晶硅
  • 2篇修整
  • 2篇氧含量
  • 2篇氧化膜
  • 2篇氢氟酸
  • 2篇坩埚
  • 2篇小平面
  • 2篇晶圆
  • 2篇均匀性
  • 2篇硅单晶生长

机构

  • 17篇有色金属研究...
  • 14篇北京有色金属...
  • 1篇清华大学

作者

  • 32篇张果虎
  • 14篇方锋
  • 14篇吴志强
  • 10篇郝玉清
  • 7篇万关良
  • 7篇常青
  • 5篇方锋
  • 5篇常青
  • 5篇周旗钢
  • 4篇屠海令
  • 4篇肖清华
  • 4篇秦福
  • 4篇吴志强
  • 3篇王敬
  • 2篇赵晶
  • 2篇陈文杰
  • 2篇郝玉清
  • 2篇冯泉林
  • 1篇曾世铭
  • 1篇李兵

传媒

  • 6篇稀有金属
  • 5篇1998年全...
  • 5篇1998年全...
  • 3篇Journa...
  • 3篇第十一届全国...
  • 3篇第十一届全国...
  • 2篇2014`全...
  • 1篇第九届全国半...

年份

  • 2篇2014
  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 2篇2006
  • 1篇2003
  • 1篇2002
  • 2篇2001
  • 6篇1999
  • 12篇1998
  • 1篇1997
  • 3篇1995
共 32 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
硅片浅表层损伤缺陷的热演化行为及其表征
本文研究了硅片在多次热循环工艺前后的表层变化，确定了硅片精密机械加工后在浅表层遗留的残余损伤会在热工艺后演化成缺陷，验证了调整精密加工工艺后的效果，同时开展了浅表层微缺陷的红外消光法、氧化层错试验表征研究，确定了这两种方...
肖清华张果虎冯泉林闫志瑞库黎明
关键词：硅
300mm硅单晶的缩颈生长及应力分析被引量：6
2001年
对不同直径颈部晶体进行了拉伸实验及断口形貌观察 ,颈部晶体的断裂属于脆性断裂 ,增大晶体颈部直径可以增大其承受拉力 ,从而可以制得更大重量的单晶。缩颈生长工艺条件会对颈部晶体的抗拉强度产生影响。
程景柏屠海令周旗钢王敬常青张果虎方锋
关键词：硅单晶缩颈脆性断裂抗拉强度晶体生长应力分析
重掺锑直拉硅单晶电阻率的控制
通过拉晶实验，研究了炉室气压、拉晶速率和成晶时间等晶体生长工艺条件对直拉重掺锑单晶电阻率的影响。实验结果表明，炉室气压、拉晶速率和成晶时间对电阻率影响很大，推导一经验公式，选用适当工艺参数，能准确控制单晶电阻率大小及其纵...
万关良方锋吴志强郝玉清张果虎
关键词：硅单晶电阻率
文献传递网络资源链接
直拉硅单晶中热施主的快速热退除被引量：2
1995年
本文研究了快速热处理退除热施主态的丁艺，及４５０℃、１小时热处理施主的再生问题．结果表明快速热处理是一种有效的退除热施主的方法，其效果与常规６５０℃、２小时处理相同．４５０℃、１小时处理没有热施主再生现象发生．
栾洪发张果虎李兵陈学清秦福钱佩信
关键词：单晶拉制硅
Φ300mm硅单晶生长工艺研究
该文讨论了Φ３００ｍｍ硅单晶生长中新问题，分析了热对流、热场、拉晶工艺以及设备控制对晶体生长的影响，磁场条件和设备稳定控制是Φ３００ｍｍ硅单晶生长的基本条件，热场配置和拉晶工艺是控制大直径单晶的关键。
吴志强张果虎常青方锋
文献传递网络资源链接
一种晶圆氧化膜边缘去除机
本实用新型提供一种晶圆氧化膜边缘去除机，它包括工作箱，位于箱体底部的氢氟酸槽，氢氟酸槽的上方设一工作台，工作台上装有转动轴，转动轴上装有转轮，转轮上有由布条包覆形成的布袋，布袋的一部分浸入氢氟酸槽，转轮上方设有片架，转轮...
张果虎王喆王敬徐继平刘斌万关良周旗钢屠海令
文献传递
300mm硅单晶的生长技术被引量：18
2001年
讨论了 30 0 mm硅单晶的工艺控制 ,分析了拉晶工艺、热屏及磁场对晶体质量的影响。合理的工艺参数是拉制无位错单晶的前提 。
张果虎吴志强方锋秦福常青周旗钢屠海令
关键词：硅单晶热屏磁体
300mm硅片高温退火工艺的研究
高温退火工艺可以消除硅片近表层的COP,使得近表层晶体结构更加完美。本文研究了高温退火工艺参数变化对300mm硅片COP消除效果的影响,分析了高温退火温度和恒温时间对COP-FREE层厚度的影响,通过直接表面氧化层缺陷(...
冯泉林李宗峰赵而敬王磊肖清华张果虎
关键词：高温退火
Φ125mm硅单晶的控氧技术被引量：1
1997年
Φ１２５ｍｍ硅单晶的控氧技术张果虎常青方锋吴志强郝玉清秦福（北京有色金属研究总院，北京１０００８８）关键词：硅单晶氧含量控氧技术坩埚结构１引言为满足不同的器件对硅片氧含量的不同要求，需要更精确地控制直拉硅单晶中的氧含量及氧梯度。单晶中的氧有两方面的作...
张果虎常青方锋吴志强郝玉清秦福
关键词：坩埚单晶硅单晶炉
SOI材料的制备技术被引量：4
2002年
SOI材料被誉为“二十一世纪硅集成电路技术”的基础。它可消除或减轻体硅中的体效应、寄生效应及小尺寸效应等 ,在超大规模集成电路、光电子等领域有广阔的应用前景。介绍了注氧隔离、智能剥离、硅片剥离及外延层转移等几种主要的制备SOI材料的方法及近期相关的研究成果。降低制造成本。
肖清华屠海令周旗钢王敬常青张果虎
关键词：SOI注氧隔离硅片键合减薄硅
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