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易扬波

作品数：80 被引量：56H指数：4
供职机构：东南大学更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划江苏省普通高校研究生科研创新计划项目东南大学优秀博士学位论文基金更多>>
相关领域：电子电信电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 49篇专利
  • 25篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 2篇会议论文
  • 2篇科技成果

领域

  • 28篇电子电信
  • 2篇电气工程

主题

  • 36篇氧化层
  • 30篇半导体
  • 25篇氧化物半导体
  • 23篇电路
  • 19篇栅氧化
  • 19篇栅氧化层
  • 18篇金属氧化物半...
  • 17篇接触孔
  • 14篇高压器件
  • 13篇集成电路
  • 12篇多晶
  • 12篇多晶硅
  • 12篇多晶硅栅
  • 12篇硅栅
  • 12篇P型
  • 11篇氧化物
  • 10篇平板显示
  • 10篇显示器
  • 10篇芯片
  • 10篇半导体管

机构

  • 80篇东南大学

作者

  • 80篇易扬波
  • 72篇孙伟锋
  • 57篇时龙兴
  • 48篇陆生礼
  • 23篇李海松
  • 14篇夏晓娟
  • 11篇徐申
  • 11篇宋慧滨
  • 9篇李杰
  • 9篇孙智林
  • 8篇吴建辉
  • 6篇吴虹
  • 3篇谢亮
  • 3篇桑爱兵
  • 3篇钱钦松
  • 3篇夏小娟
  • 3篇俞军军
  • 2篇华国环
  • 2篇张允武
  • 2篇祝靖

传媒

  • 6篇固体电子学研...
  • 5篇Journa...
  • 5篇微电子学
  • 2篇应用科学学报
  • 2篇电子器件
  • 1篇半导体技术
  • 1篇电子工程师
  • 1篇科技通讯（上...
  • 1篇现代电子技术
  • 1篇Journa...
  • 1篇第十六届全国...
  • 1篇第十五届全国...

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2014
  • 2篇2010
  • 8篇2009
  • 14篇2008
  • 15篇2007
  • 10篇2006
  • 15篇2005
  • 9篇2004
  • 3篇2003
  • 2篇2002
共 80 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
平板显示器功率驱动芯片的Latch-up及克服方法
2008年
详细分析了平板显示器驱动芯片中的Latch-up现象,在此基础上采用了一种克服Latch-up的方法:在低压部分增加多子保护环,在高低压之间增加少子保护环。借助TCAD软件详细研究了少子环位置及宽度对抗Latch-up效果的影响。实验结果证明,采用该方法可以有效地克服功率集成电路的Latch-up现象。
易扬波孙伟锋宋慧滨唐晨
关键词：驱动芯片LATCH-UP
面向PDP显示的数字逻辑电路及其设计被引量：2
2004年
等离子体显示板 (PDP)技术是一种极具前景的主动发光式平板显示技术 ,其驱动技术一直是研究热点之一。文中在介绍PDP驱动系统框架和PDP显示驱动系统中的数字逻辑功能的基础上 ,针对交流 (AC)型PDP在ADS驱动方式下对图像数据的处理和对驱动状态的控制 ,提出一种面向PDP显示驱动的数字逻辑系统设计方案 ,并对方案中主要模块的功能、设计思路及存在的挑战进行了说明。最后 ,结合实验屏的驱动电路进行了逻辑设计仿真和系统验证。文中提出的数字逻辑设计方案对进行PDP显示驱动控制系统设计和相关专用集成电路设计具有重要的借鉴意义。
彭振雄易扬波孙伟锋
关键词：数字控制电路数字逻辑设计
高压功率集成电路隔离结构
本实用新型公开了一种适用于体硅工艺功率集成电路高压器件与低压器件之间隔离的高压功率集成电路隔离结构，包括：P型衬底，在P型衬底设有N型外延，在N型外延上设有2块场氧化层，在N型外延上设有重掺杂N型区且该重掺杂N型区位于2...
易扬波徐申李海松孙伟锋夏晓娟李杰时龙兴
文献传递
多场极板LEDMOS表面电场和导通电阻研究被引量：1
2006年
研究了常规LEDM O S,带有两块多晶硅场极板LEDM O S以及带有两块多晶硅场极板和一块铝场极板的LEDM O S表面电场分布情况,重点研究了多块场极板在不同的外加电压下,三种LEDM O S的表面峰值电场和导通电阻的变化情况。模拟结果和流水实验结果都表明:多块场极板是提高LEDM O S击穿电压的一种有效方法,而且场极板对导通电阻的影响很小。研究结果还表明:由于金属铝引线下面的氧化层很厚,所以铝引线几乎不会影响到LEDM O S的击穿特性。
孙伟锋易扬波陆生礼
关键词：表面电场导通电阻击穿电压场极板
高压功率集成电路用少子环隔离结构
本发明公开了一种适用于外延工艺功率集成电路高压器件与低压器件之间的隔离的高压功率集成电路隔离结构，包括：P型衬底，在P型衬底上设有两块场氧化层，在P型衬底上设有重掺杂N阱且该重掺杂N阱位于两块场氧化层之间，在重掺杂N阱与...
易扬波孙伟锋李海松李杰徐申夏晓娟时龙兴
文献传递
平板显示的驱动芯片用高压器件结构
本实用新型公开了一种平板显示的驱动芯片用高压器件，由高压二极管、高压P型MOS管和高压N型横向双扩散MOS管组成，高压N型横向双扩散MOS管设在P型衬底上，在P型衬底上位于高压N型横向双扩散MOS管的源区下方位置设有P型...
孙伟锋易扬波时龙兴
文献传递
单个浮置场限环终端结构击穿电压模型被引量：1
2009年
基于B.J.Baliga的击穿电压理论,通过求解双边突变圆柱结的泊松方程,提出了单个浮置场限环终端结构的击穿电压解析模型。该模型计算结果与模拟结果的误差在±7%之内,具有精度高、应用范围广等特点,可以帮助设计者初步确定浮置场限环注入窗口大小及与主结的间距等关键参数。
孙伟锋王佳宁易扬波
关键词：终端结构
高压N型金属氧化物半导体管及其制备方法
本发明公开一种高压N型金属氧化物半导体管，包括P型衬底，在P型衬底上设有P型阱和N型漂移区，在P型阱上设有P型接触孔、N型源及场氧化层，在N型漂移区上设有N型漏及场氧化层，其特征在于位于P型阱上方的栅氧化层部分的厚度小于...
李海松钱钦松孙伟锋易扬波陆生礼时龙兴
文献传递
沟槽高压P型金属氧化物半导体管
本实用新型公开了一种沟槽高压P型金属氧化物半导体管，包括兼做衬底的P型漏区，在P型漏区上设有P型外延，在P型外延上设有N型阱，在N型阱上设有P型源区和N型接触孔，在N型阱及P型外延内设有沟槽，在沟槽内填充有二氧化硅，在沟...
孙伟锋刘侠戈喆易扬波陆生礼时龙兴
文献传递
抗电磁干扰低功耗高压驱动电路
本发明提供一种抗电磁干扰低功耗高压驱动电路，包含电平转换级(1)、缓冲级(2)、高压输出级(3)，第一、第二控制信号(LV1、LV2)接电平转换级(1)，电平转换级(1)的输出(HV2)和第三控制信号(LV3_1、LV3...
李海松吴虹孙伟锋易扬波时龙兴
文献传递
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