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CMOS宽带线性可变增益低噪声放大器设计被引量：2: 2007年; 文章设计了一种48MHz^860MHz宽带线性可变增益低噪声放大器,该放大器采用信号相加式结构电路、控制信号转换电路和电压并联负反馈技术实现。详细分析了线性增益控制、输入宽带匹配和噪声优化方法。采用TSMC0.18μm RF CMOS工艺对电路进行设计,仿真结果表明,对数增益线性变化范围为-5dB^18dB,最小噪声系数为2.9dB,S11和S22小于-10dB,输入1dB压缩点大于-14.5dBm,在1.8V电源电压下,功耗为45mW。; 李海松李智群王志功; 关键词：低噪声放大器噪声系数宽带匹配

新型高压半超结功率MOSFET的优化设计被引量：1: 2009年; 给出了一个完整的半超结MOS的设计方法,包括超结部分浓度的确定,电压支持层部分的深度和浓度的优化。借助二维器件仿真讨论了在原胞尺寸不变的情况下导通电阻和击穿电压的折中关系的优化方法。通过模拟得到了一个750 V,特征导通电阻为32 mΩ.cm2的半超结结构。结果表明在不增加外延次数,工艺成本和难度的情况下,深宽比为5半超结MOS的特征导通电阻比VDMOS的下降了64%,比超结MOS的下降了8%。; 荆吉利钱钦松李海松孙伟锋; 关键词：电力半导体器件击穿电压

高压P型金属氧化物半导体管及其制备方法: 本发明公开一种高压P型金属氧化物半导体管，包括P型衬底，在P型衬底上设有深N型阱，在深N型阱上设有N型阱和P型漂移区，在N型阱上设有N型接触孔、P型源及场氧化层，在P型漂移区上设有P型漏及场氧化层，其特征在于位于N型阱上...; 鲍嘉明贾侃李海松孙伟锋陆生礼时龙兴; 文献传递

一种采用二次曲率补偿的带隙基准源被引量：2: 2008年; 基于二次曲率补偿的基本原理,提出一种高精度的采用二次曲率补偿的新型带隙基准源电路,产生二次温度补偿量对传统的带隙基准源进行校正,获得更小的温度系数。该电路采用0.6μm的CMOS工艺实现。经过Spectre仿真,结果表明在-50^+125℃的温度范围内,基准电压源的平均温度系数为4.47 ppm/℃。该基准源可以被应用于各种高精度的模拟和混合集成电路。; 尹健李海松; 关键词：带隙基准源 CMOS集成电路温度系数

192路PDP列驱动芯片关键技术研究: 等离子体显示(PDP)是主流平板显示技术之一，具有良好的市场前景，是我国重点发展的产业。PDP驱动芯片是PDP模组的核心元件，实现低压显示控制信号到高压大电流驱动信号的转换。PDP驱动芯片从功能上可以分为列寻址驱动芯片和...; 李海松; 关键词：SPICE模型驱动电路可靠性分析; 文献传递

高压功率集成电路隔离结构: 本实用新型公开了一种适用于体硅工艺功率集成电路高压器件与低压器件之间隔离的高压功率集成电路隔离结构，包括：P型衬底，在P型衬底设有N型外延，在N型外延上设有2块场氧化层，在N型外延上设有重掺杂N型区且该重掺杂N型区位于2...; 易扬波徐申李海松孙伟锋夏晓娟李杰时龙兴; 文献传递

高压N型金属氧化物半导体管: 一种线性掺杂的高压N型金属氧化物半导体管，在N型衬底上设有P型阱和N型漂移区，在P型阱内设有P型接触孔和N型源，在N型漂移区内设有N型漏，在P型阱和N型漂移区的上方设有栅氧化层，在栅氧化层上方设有多晶硅栅且多晶硅栅位于P...; 孙伟锋易扬波李海松陆生礼时龙兴; 文献传递

500V耗尽型NLDMOS器件研究被引量：1: 2008年; 基于一款LED驱动芯片中耗尽型高压NLDMOS器件的参数要求,提出一种耗尽型高压NLDMOS的器件结构和参数设计优化方法。分析了沟道注入工艺对器件阈值电压和表面电场分布的影响,综合利用RESURF技术和线性漂移区技术,改善耗尽型NLDMOS的表面电场分布,从而提高了器件的击穿电压。在漂移区长度L≤50μm下,器件击穿电压达到600 V以上,可以应用于LED驱动芯片整流器电路等各种高压功率集成电路。; 李维聪李海松孙伟锋; 关键词：耗尽型高压LDMOS

Modeling of High-Voltage LDMOS for PDP Driver ICs被引量：1: 2008年; A SPICE sub-circuit model is developed for high-voltage LDMOS transistors integrated in PDP driver ICs. The model accounts for intrinsic LDMOS phenomena such as the quasi-saturation effects, voltage-dependent drift resistance, self-heating effects, and Miller capacitance. In contrast to most physical or sub-circuit models, the proposed model not only provides precise simulated results,but also brings a very fast modeling procedure. Furthermore,the model also can be embedded in a commercial SPICE simulator easily. The simulation results using the presented models agree well with the measured ones and the error is less than 5%.; 李海松孙伟锋易扬波时龙兴; 关键词：MODEL LDMOS SUB-CIRCUIT

CMOS基准电压源: 本发明公开了一种低温度系数的、适于在CMOS工艺上实现的CMOS基准电压源。包括启动电路，主偏置电流产生电路，基准电压产生电路；启动电路，主偏置电流产生电路，基准电压产生电路的直流电输入端分别连接直流电源Vdd，主偏置电...; 孙伟锋夏晓娟徐申李海松时龙兴; 文献传递

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李海松