景玉鹏
- 作品数：156 被引量：82H指数：6
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家科技重大专项更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术机械工程轻工技术与工程更多>>
- 打孔系统及方法
- 本发明公开了一种打孔系统包括：CO<Sub>2</Sub>气瓶、HF气瓶、用于形成CO<Sub>2</Sub>和HF的混合气体且使所述混合气体中的CO<Sub>2</Sub>达到超临界态的控制装置及用于对玻璃片打孔的反应...
- 王磊景玉鹏
- 文献传递
- 一种二氧化碳超临界干燥装置
- 本实用新型涉及微电子技术中的微机电系统关键制造技术的牺牲层释放技术领域，公开了一种二氧化碳超临界干燥装置，该装置包括：超临界干燥室，用于牺牲层的释放，由高压反应室4和温度控制室5组成；高压反应室4用于盛放硅片支架，提供二...
- 李全宝景玉鹏陈大鹏欧毅叶甜春
- 文献传递
- 二氧化碳低温气溶胶半导体清洗设备
- 本发明公开了一种二氧化碳低温气溶胶半导体清洗设备，包括二氧化碳预处理腔、清洗腔、分离腔、二氧化碳循环控制系统和温度及压力控制系统；二氧化碳在预处理腔内进入预设的温度和压力状态后，经清洗腔内的喷嘴上的狭缝喷槽出射，伴随液体...
- 高超群景玉鹏
- 文献传递
- 一种光开关的设计及制作工艺
- 本发明涉及光纤通讯和微细加工技术领域，特别是一种光开关的设计及制作工艺。a.用LPCVD低压化学气象淀积在双面抛光的硅片上双面淀积低应力氮化硅厚度；b.正面光刻氮化硅悬臂梁图形；c.RIE反应离子刻蚀形成氮化硅悬臂梁图形...
- 董立军陈大鹏欧易景玉鹏
- 文献传递
- 二氧化碳缓冲硅片打孔装置
- 本发明公开了一种二氧化碳缓冲硅片打孔装置，包括二氧化碳流量控制器、三氟化氯流量控制器、混合器、减压阀、压力表、真空泵、真空腔室、真空腔压力表、喷头、掩蔽板、硅片架、真空腔温度控制装置、后级泵和尾气处理装置；减压阀、真空泵...
- 景玉鹏惠瑜
- 一种气敏传感器
- 本发明涉及微机电系统技术领域，公开了一种气敏传感器，包括单晶硅衬底，起支撑作用的二氧化硅/氮化硅层，加热测温电极、叉指电极，加热测温电极和叉指电极之间的电绝缘层，叉指电极引出线压焊点、加热测温电极引出线压焊点和气体敏感层...
- 黄钦文景玉鹏陈大鹏欧毅叶甜春
- 文献传递
- 碘过饱和KOH溶液对硅（110）晶面腐蚀的改善被引量：4
- 2003年
- 将非金属元素碘作为硅的KOH腐蚀液的添加物,在对(100)和(110)单晶硅片的各向异性腐蚀中,获得了更为丰富的异向腐蚀特性和更为光滑的腐蚀表面.当温度在95℃,KOH腐蚀液中碘的摩尔比为0.5时,得到了粗糙度均小于10 nm的Si-(100)和(110)光洁表面,两晶面的腐蚀速率均为1.4μm/min.这两晶面在相同的条件下同时达到最佳光洁度,说明腐蚀速率是获得高光洁度表面的关键.实验还证明碘在热碱溶液中的稳定性和持久性要高于现在已被大量研究的双氧水和过硫等,尤其是对硅(110)表面光洁度的改善具有积极的促进作用.
- 景玉鹏前中一介藤田孝之高山洋一郎
- 关键词：表面光洁度各向异性腐蚀KOH
- 基于超临界二氧化碳微乳液干燥的装置及方法
- 本发明公开了一种基于超临界二氧化碳微乳液的干燥装置及方法，利用液态二氧化碳置换水基清洗液，然后加入表面活性剂并加热二氧化碳使其达到超临界态对光刻胶或MEMS中的微结构等进行干燥。该方法由于避免了气液界面的产生和防止了表面...
- 王磊景玉鹏
- 文献传递
- 低温无损伤深斜硅刻蚀系统
- 本实用新型提供了一种低温无损伤深斜硅刻蚀系统，属于半导体技术领域。所述系统包括：容纳刻蚀材料的供料装置；连接到所述供料装置的刻蚀腔；所述刻蚀腔包括：腔体；喷嘴，所述喷嘴固定于所述腔体内的一侧；支承待刻蚀硅片的支架，所述支...
- 王磊景玉鹏
- 文献传递
- 绿色二氧化碳超临界清洗设备被引量：7
- 2008年
- 半导体IC清洗技术由于水溶液的表面张力大而无法进入硅片上器件的狭缝与电路线条间隙中进行清洗,同时不易干燥,且干燥时会造成二次污染,从而使得整个工艺耗水量大且清洗效果不佳。以超临界流体为媒体的清洗技术是克服以上缺点的最佳途径。提出并研制了一种绿色二氧化碳超临界清洗设备,它利用超流体二氧化碳来进行硅片的清洗和无张力的超临界干燥,而且该设备还可以对微细结构进行无粘连的牺牲层释放。设备的成本低,二氧化碳使用量少,并且可以循环使用,属于绿色无污染的新型半导体清洗设备。
- 高超群李全宝刘茂哲景玉鹏
- 关键词：超临界流体
