魏红强
- 作品数：9 被引量：2H指数：1
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- 相关领域：电子电信更多>>
- 利用岛状石墨烯片在石墨烯上生长高K介质的方法
- 本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体涉及一种利用岛状石墨烯片在石墨烯上生长高K介质的方法。本发明在一块面积大的单层石墨烯上生长许许多多小圆斑的岛状石墨烯单层，利用两石墨烯台阶处存在着悬挂键，作为成核位点，采用原子层沉...
- 周鹏沈彦魏红强沈于兰杨松波
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- 利用石墨烯带电在石墨烯上生长高K介质的方法
- 本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体涉及一种利用石墨烯带电在石墨烯上生长高K介质的方法。本发明采用使石墨烯上带有电荷,把石墨烯放在一个电场下,通过感应带电使石墨烯上感应上电荷,通过电荷在石墨烯上引入极化陷阱,极化陷阱...
- 周鹏沈彦魏红强沈于兰杨松波
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- 氧化石墨烯基场效应晶体管特性研究
- 目前，各种新型移动终端的快速发展对集成电路提出了更高的要求，集成度更高，速度更快，功耗更低成为集成电路设计和制备的重要指标。然而，硅作为目前集成电路的核心材料，其自身物理特性的限制严重制约了集成度和运算速度的进一步提升。...
- 魏红强
- 关键词：纳米光刻技术场效应晶体管
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- 利用旋涂液态金属种子层在石墨烯上生长高K介质的方法
- 本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体涉及一种利用旋涂液态金属种子层在石墨烯上生长高K介质的方法。本发明采用高温旋涂液态金属的方法在石墨烯表面先淀积一层薄的金属铝种子层并使之暴露于氧气氛围中被氧化,之后再通过原子层沉积...
- 周鹏沈彦魏红强沈于兰杨松波
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- 利用旋涂液态金属种子层在石墨烯上生长高K介质的方法
- 本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体涉及一种利用旋涂液态金属种子层在石墨烯上生长高K介质的方法。本发明采用高温旋涂液态金属的方法在石墨烯表面先淀积一层薄的金属铝种子层并使之暴露于氧气氛围中被氧化,之后再通过原子层沉积...
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- 利用岛状石墨烯片在石墨烯上生长高K介质的方法
- 本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体涉及一种利用岛状石墨烯片在石墨烯上生长高K介质的方法。本发明在一块面积大的单层石墨烯上生长许许多多小圆斑的岛状石墨烯单层，利用两石墨烯台阶处存在着悬挂键，作为成核位点，采用原子层沉...
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- 利用石墨烯带电在石墨烯上生长高K介质的方法
- 本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体涉及一种利用石墨烯带电在石墨烯上生长高K介质的方法。本发明采用使石墨烯上带有电荷,把石墨烯放在一个电场下,通过感应带电使石墨烯上感应上电荷,通过电荷在石墨烯上引入极化陷阱,极化陷阱...
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- 一种退化石墨烯氧化物的电诱导还原方法
- 本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体涉及一种退化石墨烯氧化物的还原方法。本发明采用接触探针电诱导还原法对导电衬底上的石墨烯氧化物进行可控还原，通过控制导电原子力显微镜的探针所加电压来控制还原后石墨烯氧化物的成分从而控...
- 周鹏孙清清魏红强张卫
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- 石墨烯基红外探测器的高k栅氧集成被引量：2
- 2012年
- 从石墨烯发现与制备出发,综述了室温下双层石墨烯或石墨烯带禁带在0～250 meV可调的特性,及其在中远红外探测器的背栅、顶栅结构中作为栅氧形成材料的应用,并介绍了目前各种先进工艺.
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- 关键词：石墨烯红外探测器
