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沈于兰

作品数：14 被引量：0H指数：0
供职机构：复旦大学更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 14篇中文专利

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 13篇石墨
  • 13篇石墨烯
  • 10篇电路
  • 10篇电路制造
  • 10篇集成电路
  • 10篇集成电路制造
  • 7篇原子层沉积
  • 7篇介质
  • 5篇淀积
  • 5篇掩模
  • 5篇掩模板
  • 5篇成核
  • 4篇介质薄膜
  • 4篇晶格
  • 4篇晶格结构
  • 3篇气相沉积
  • 3篇子层
  • 3篇物理气相沉积
  • 2篇岛状
  • 2篇旋涂

机构

  • 14篇复旦大学

作者

  • 14篇周鹏
  • 14篇沈于兰
  • 11篇杨松波
  • 6篇魏红强
  • 6篇沈彦
  • 3篇张卫
  • 3篇孙清清
  • 3篇王鹏飞

年份

  • 2篇2017
  • 2篇2016
  • 1篇2015
  • 7篇2014
  • 2篇2012
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种通过控制衬底上的石墨烯成核位点生长石墨烯的方法
本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体为一种通过控制衬底上的石墨烯成核位点生长石墨烯的方法。本发明是在一块铜或二氧化硅衬底上，通过控制衬底上石墨烯成核位点来生长各种形状的连续的石墨烯，其中利用一块设计好形状的掩模板，用...
周鹏杨松波沈于兰
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利用罗丹明作为缓冲层的石墨烯上生长高k介质的方法
本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体涉及一种利用罗丹明作为缓冲层的石墨烯上高k介质原子层沉积方法。本发明方法在石墨烯表面覆盖罗丹明缓冲层，通过原子层沉积实现高k介质在石墨烯表面的均匀淀积。利用罗丹明缓冲层是一种新颖的...
周鹏沈于兰孙清清王鹏飞张卫
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一种制备石墨烯纳米线器件的方法
本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体为一种制备石墨烯纳米线器件的方法。本发明在一块二氧化硅衬底上刻蚀出一条细长的纳米槽，通过掩模板在槽内淀积许多不连续铜小块，这些铜作为石墨烯成核位点；利用低压化学气相沉积在槽内生长一...
周鹏杨松波沈于兰
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一种转移CVD石墨烯制备石墨烯器件的方法
本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体涉及一种转移CVD石墨烯制备石墨烯器件的方法。在一块衬底上（如二氧化硅衬底），利用一块设计好形状的掩模板，采用物理气相沉积的方法在衬底上淀积一层薄铜，之后再在衬底上淀积制备器件所需...
周鹏杨松波沈于兰
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一种制备石墨烯纳米线器件的方法
本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体为一种制备石墨烯纳米线器件的方法。本发明在一块二氧化硅衬底上刻蚀出一条细长的纳米槽，通过掩模板在槽内淀积许多不连续铜小块，这些铜作为石墨烯成核位点；利用低压化学气相沉积在槽内生长一...
周鹏杨松波沈于兰
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一种直接生长二维的二硫化钼背栅器件的方法
本发明属于二维材料基集成电路制造技术领域，具体为一种直接生长二维的二硫化钼背栅器件的方法。本发明在高掺硅上有一层二氧化硅薄层作为衬底，利用掩模板，采用物理气相沉积的方法在衬底上淀积薄钼，然后在钼的两边淀积一些不联系的铜斑...
周鹏杨松波沈于兰
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利用石墨烯带电在石墨烯上生长高K介质的方法
本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体涉及一种利用石墨烯带电在石墨烯上生长高K介质的方法。本发明采用使石墨烯上带有电荷,把石墨烯放在一个电场下,通过感应带电使石墨烯上感应上电荷,通过电荷在石墨烯上引入极化陷阱,极化陷阱...
周鹏沈彦魏红强沈于兰杨松波
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利用岛状石墨烯片在石墨烯上生长高K介质的方法
本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体涉及一种利用岛状石墨烯片在石墨烯上生长高K介质的方法。本发明在一块面积大的单层石墨烯上生长许许多多小圆斑的岛状石墨烯单层，利用两石墨烯台阶处存在着悬挂键，作为成核位点，采用原子层沉...
周鹏沈彦魏红强沈于兰杨松波
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利用石墨烯带电在石墨烯上生长高K介质的方法
本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体涉及一种利用石墨烯带电在石墨烯上生长高K介质的方法。本发明采用使石墨烯上带有电荷,把石墨烯放在一个电场下,通过感应带电使石墨烯上感应上电荷,通过电荷在石墨烯上引入极化陷阱,极化陷阱...
周鹏沈彦魏红强沈于兰杨松波
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利用锌种子层在石墨烯上生长高k介质的方法
本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体涉及一种利用锌种子层在石墨烯上形成高k介质的原子层沉积方法。本发明采用电子束蒸发的方法在石墨烯表面先淀积一层薄的锌种子层并使之暴露于氧气氛围中被氧化,之后再通过原子层沉积的方法生长...
周鹏沈于兰孙清清王鹏飞张卫
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