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张剑云

作品数:26 被引量:41H指数:4
供职机构:复旦大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划上海市科学技术委员会资助项目更多>>
相关领域:电子电信理学化学工程机械工程更多>>

文献类型

  • 19篇期刊文章
  • 3篇学位论文
  • 2篇会议论文
  • 2篇专利

领域

  • 15篇电子电信
  • 14篇理学
  • 3篇化学工程
  • 2篇机械工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 12篇淀积
  • 10篇金刚石
  • 10篇刚石
  • 9篇气相淀积
  • 9篇化学气相淀积
  • 6篇电路
  • 6篇相图
  • 5篇金刚石薄膜
  • 4篇低介电常数
  • 4篇低压
  • 4篇热力学
  • 4篇介电
  • 4篇介电常数
  • 3篇热力学分析
  • 3篇转换器
  • 3篇模数转换
  • 3篇模数转换器
  • 3篇开关电容
  • 3篇开关电容电路
  • 3篇CVD

机构

  • 26篇复旦大学
  • 2篇北京理工大学
  • 1篇同济大学

作者

  • 26篇张剑云
  • 21篇张卫
  • 18篇王季陶
  • 11篇丁士进
  • 11篇刘志杰
  • 8篇王鹏飞
  • 6篇万永中
  • 3篇陈玮
  • 2篇朱鹤孙
  • 2篇沈泊
  • 2篇卢红亮
  • 2篇曹传宝
  • 2篇任杰
  • 2篇李建
  • 1篇严杰锋
  • 1篇夏钟福
  • 1篇徐敏
  • 1篇汤庭鳌
  • 1篇陈俊
  • 1篇张冶文

传媒

  • 3篇功能材料
  • 2篇高等学校化学...
  • 2篇Journa...
  • 2篇材料研究学报
  • 2篇全国工程电介...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇化学通报
  • 1篇无机化学学报
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇高技术通讯
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇微电子学
  • 1篇微细加工技术
  • 1篇自然科学进展...

年份

  • 1篇2006
  • 6篇2005
  • 2篇2003
  • 4篇2001
  • 4篇2000
  • 5篇1999
  • 4篇1998
26 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
含氟气相体系低压生长金刚石的相图计算
1999年
根据非平衡热力学耦合模型计算得到了C—H—F体系金刚石生长相图,该相图与根据经典平衡热力学计算得到的平衡相图不同,存在金刚石生长区,可以很好地解释在低压C—H—F体系中可以生长金刚石,并与实验结果符合良好。因而对该体系金刚石制备的实验条件选取有指导作用.
刘志杰张卫张剑云丁士进王季陶
关键词:金刚石气相生长低压相图
A 59mW 10b 40Msample/s Pipelined ADC被引量:2
2005年
This paper describes a 3.0V, 10b,40Msample/s analog-to-digital converter (ADC) fabricated in a 0.25μm CMOS technology. Through the sharing an amplifier between two successive pipeline stages, the converter is realized using just four amplifiers with a separate sample-and-hold block. It employs two key techniques: a high bandwidth low-power gain-boosting telescopic amplifiers technique and a low power low offset dynamic comparators technique.The ADC achieves a 8.1 effective number of bits,a maximum differential nonlinearity of a 0.85 least significant bit(LSB), and maximum integral nonlinearity of 2.2LSB for a 0.5MHz input at full sampling rate. It occupies 1.24mm^2 ,which also includes a bandgap and a voltage reference circuit and dissipates only 59mW.
李建严杰锋陈俊张剑云郭亚炜沈泊汤庭鳌
超大规模集成电路中低介电常数SiOF薄膜研究被引量:5
2001年
详细介绍了低介电常数的含氟氧化硅(SiOF)介质薄膜制备的工艺,并分析了试样的FTIR光谱,发现薄膜中大部分的氟以Si-F键形式存在。C-V特性测量表明薄膜介电常数随氟含量的增加而减小。本文还进一步讨论了介电常数与氟原子含量之间的内在联系。
王鹏飞丁士进张卫张剑云王季陶
关键词:化学汽相淀积C-V特性介电常数
超大规模集成电路中低介电常数介质研究进展
集成电路技术的发展40多年来一直遵循着摩尔定律,即集成电路的集成度每3年提高约4倍,而特征尺寸缩小约1/2.当特征尺寸减小到0.18μm时,互连延迟将超过电路的本征门延迟,成为制约集成电路性能的主要瓶颈之一.为了降低互连...
张卫陈玮张剑云丁士进王季陶
关键词:集成电路互连延迟化学气相淀积介电常数
文献传递
非晶含氟聚合物薄膜的热稳定性被引量:4
2001年
以Teflon AF 1600为原料,用旋涂法制备了非晶含氟聚合物(AF)薄膜.通过扫描电镜(SEM)、傅立叶转换红外(FTIR)光谱和X射线光电子(XPS)光谱等手段对热退火前后的薄膜进行了表征所得薄膜具有无针孔,较光滑和平整的表面,300℃退火后薄膜表面的均匀性进一步改善。AF薄膜在300℃以下具有良好的热稳定性,在400℃退火后CF3吸收峰强度稍有降低。在400C退火后,其所含的CF3键合构型显著降低,CF2、CF等其它构型没有明显的变化,由于CF3基团的分解有少量无定型碳生成.
丁士进王鹏飞张剑云张卫王季陶张冶文夏钟福
关键词:旋涂法热稳定性退火
应用于数字视频接收器的低功耗高速流水线模数转换器的研究
随着数字机顶盒、数字高清电视和液晶平板电视的迅猛发展,日常消费电子产品中的数字视频解调接收器和视频图像处理信号接收前端的重要模块一模数转换器的应用越来越广泛,而且随着整机产品的功能和性能要求越来越高,功耗低面积小的数字视...
张剑云
关键词:数字机顶盒片上系统模数转换器视频图像处理数字电视
一种新型MOS开关栅增压电路
本发明为一种新型的MOS开关栅增压电路。在集成电路朝向深亚微米低压低功耗发展,由于MOS器件的非零导通电阻对开关电容电路的负面效应,遇到了很大的挑战。本发明提出的MOS栅增压电路,使得信号开关器件的栅电压跟输入信号无关,...
张剑云张卫
文献传递
铜与低介电常数a-SiCOF介质作用的俄歇电子能谱表征
低介电常数材料取代传统的氧化硅作为互连介质可以降低集成电路的互连延迟,非晶硅碳氧氟(a-SiCOF)是一种新型的超低介电常数材料.本文用等离子体化学气相淀积(PECVD)制备了低介电常数a-SiCOF薄膜.通过俄歇电子能...
张卫张剑云陈玮卢红亮任杰丁士进王季陶
关键词:化学气相淀积俄歇电子能谱
文献传递
一种用于流水线模数转换器的动态比较器电路结构
本实用新型是一种用于流水线模数转换器的动态比较器电路结构。现有技术中的动态比较器电路在输入端需要接上很多参考电路,参考电压的输出会连接到每一级比较器,使比较器动作频繁,影响参考电压的稳定,影响精度并增加设计难度。本实用新...
张剑云钱哲弘张卫
文献传递
低介电常数含氟氧化硅薄膜的研究被引量:11
2000年
综述了近十年来低介电常数含氟氧化硅薄膜的研究状况 ,详细介绍了该薄膜在化学键结构、热性质、湿稳定性以及介电常数四个方面的特性 ,同时也简单介绍了薄膜的台阶覆盖度、填隙能力和漏电流特性 ,指出含氟氧化硅薄膜是一种可用于集成电路中的极富应用前景的低介电常数材料。
丁士进张卫王鹏飞张剑云刘志杰王季陶
关键词:低介电常数硅薄膜氧化硅漏电流覆盖度热性质
全文增补中
共3页<123>
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