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徐成

作品数：9 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇自动化与计算...
  • 2篇电子电信

主题

  • 8篇存储器
  • 5篇相变
  • 5篇功耗
  • 4篇相变材料
  • 4篇相变存储
  • 4篇相变存储器
  • 4篇存储器单元
  • 2篇电阻
  • 2篇逆相变
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米加工技术
  • 2篇接触面积
  • 2篇晶体管
  • 2篇绝缘
  • 2篇绝缘材料
  • 2篇绝缘层
  • 2篇可逆相变
  • 2篇刻蚀
  • 2篇刻蚀技术
  • 2篇衬底

机构

  • 9篇中国科学院

作者

  • 9篇徐成
  • 8篇宋志棠
  • 8篇刘波
  • 4篇吴关平
  • 4篇封松林
  • 2篇徐嘉庆
  • 2篇陈邦明
  • 2篇刘卫丽
  • 1篇吴良才
  • 1篇冯高明

传媒

  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 2篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2009
  • 3篇2008
  • 1篇2006
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
用于降低相变存储器单元功耗的氧化物隔热层及实现方法
本发明涉及一种氧化物隔热层可被用于降低相变存储器功耗的材料上的发现与单元器件结构上的改进及其实现方法，属微电子领域。其特征在于：在底加热W电极与硫系化合物薄膜层之间加入一氧化物隔热层，隔热层厚度控制在10nm以下。可选择...
宋志棠徐成刘波封松林
文献传递
一种相变存储器器件单元及制备方法
本发明涉及一种相变存储器的器件单元及其制备方法，该器件单元的加热电极材料为倒锥形，其底面面积小于顶面面积，且位于相变材料单元上方，并向下延伸与相变材料单元接触。本发明先制备好相变材料，然后采用先进半导体刻蚀技术制备出倒锥...
徐成宋志棠刘波吴关平
文献传递
相变存储器芯片集成工艺关键技术研究
为加速相变存储器(PCRAM)的工业化进程中，开展了高速相变材料、低压低功耗新器件结构以及芯片工艺集成技术的研究，并对器件进行了失效分析，取得了以下创新成果：　　 (1)研究了新型相变材料Sn掺杂Ge2Sb2Te5(G...
徐成
关键词：相变存储
基于Sn掺杂Ge_2Sb_2Te_5的相变存储器器件单元存储性能
2008年
采用0.18μm标准工艺制备出基于Sn掺杂Ge2Sb2Te5相变材料的相变存储器器件单元,利用自行设计搭建的电学测试系统研究了其存储性能。结果表明:Sn的掺杂没有改变Ge2Sb2Te5的相变特性,其相变阈值电压和阈值电流分别为1.6V和25μA;实现了器件单元的非晶态(高阻)与晶态(低阻)之间的可逆相变过程;器件单元中相变材料结晶所需电流最低为1.78mA(电流宽度固定为100ns)、结晶时间大于80ns(电流高度固定为3mA);相变材料非晶化脉冲电流宽度为30ns时,所需电流大于3.3mA;与Ge2Sb2Te5相比,Sn的掺杂降低了SET操作的脉冲电流宽度,提高了结晶速度,有利于提高相变存储器的存储速度。
徐成刘波冯高明吴良才宋志棠封松林Bomy Chen
关键词：相变存储器
具有侧壁加热电极与相变材料的存储器单元及制备方法
本发明涉及一种具有侧壁加热电极与相变材料的存储器单元及制备方法，该存储器单元包括衬底、位于衬底上的第一绝缘层、位于第一绝缘层上的下电极、位于下电极之上的加热电极、位于加热电极上的相变材料层、位于相变材料层上的上电极；其加...
徐成宋志棠刘波吴关平
文献传递
可逆相变电阻与晶体管合二为一的相变存储器单元及制备方法
本发明提供一种可逆相变电阻与晶体管合二为一的相变存储器单元及制备方法。主要利用相变材料的半导体特性，通过对相对稳定且易微细加工的可逆相变材料所具有的N型与P型特性制备出微米到纳米量级的小尺寸场效应晶体管，利用纳米加工技术...
宋志棠刘波徐成徐嘉庆刘卫丽封松林陈邦明
文献传递
可逆相变电阻与晶体管合二为一的相变存储器单元及制备方法
本发明提供一种可逆相变电阻与晶体管合二为一的相变存储器单元及制备方法。主要利用相变材料的半导体特性，通过对相对稳定且易微细加工的可逆相变材料所具有的N型与P型特性制备出微米到纳米量级的小尺寸场效应晶体管，利用纳米加工技术...
宋志棠刘波徐成徐嘉庆刘卫丽封松林陈邦明
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一种相变存储器器件单元及制备方法
本发明涉及一种相变存储器的器件单元及其制备方法，该器件单元的加热电极材料为倒锥形，其底面面积小于顶面面积，且位于相变材料单元上方，并向下延伸与相变材料单元接触。本发明先制备好相变材料，然后采用先进半导体刻蚀技术制备出倒锥...
徐成宋志棠刘波吴关平
具有侧壁加热电极与相变材料的存储器单元及制备方法
本发明涉及一种具有侧壁加热电极与相变材料的存储器单元及制备方法，该存储器单元包括衬底、位于衬底上的第一绝缘层、位于第一绝缘层上的下电极、位于下电极之上的加热电极、位于加热电极上的相变材料层、位于相变材料层上的上电极；其加...
徐成宋志棠刘波吴关平
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