邬齐荣
- 作品数：18 被引量：48H指数：3
- 供职机构：四川大学物理科学与技术学院微电子技术四川省重点实验室更多>>
- 相关领域：电子电信文化科学理学自然科学总论更多>>
- 高精度轨对轨CMOS峰值检测电路设计被引量：2
- 2009年
- 设计一种高精度轨对轨CMOS峰值检测电路.基于信号"先缩小后放大",在MOS采样开关管控制下电源对存储电容充电,该电路实现了轨对轨峰值检测,降低了检测电路的工作电流,提高了MOS开关管的速度和峰值检测的精度.该电路设计基于CSMC0.5μm CMOS工艺,采用了5 V单电源,检测精度小于1 mV,检测电压范围为0～5 V,整个检测电路的静态电流消耗为2 mA,正常工作频率为0.1 Hz～10 KHz.
- 王开贤邬齐荣高鑫李美光汤恩松Kai-XianQi-RongMei-GuangEn-Song
- 关键词：轨对轨CMOS电路设计RAIL-TO-RAIL静态电流单电源
- 汽车智能雨刮器专用控制芯片被引量：1
- 2011年
- 针对目前汽车电子市场上专用集成电路的低使用率和良好前景,设计了一款应用于汽车智能雨刮器控制系统的专用集成电路控制芯片。控制芯片对车速信息和红外传感器采集的雨量信息进行综合处理,从而控制雨刮器工作在高速和间歇两个状态。其中,车速因子的引入有效增强了系统对雨刮器工作状态控制的合理性及准确性。芯片采用华润上华0.5μm CMOS DPTM数模混合电路工艺,具有面积小、成本低、功耗低、可靠性高等特点,是一款具有知识产权的高性价比芯片,在交通运输领域有着广泛的应用前景。
- 任德强邬齐荣龚敏
- 关键词：专用集成电路
- CMOS数控振荡器设计
- 2010年
- 设计并讨论了一种新颖的完全基于CMOS静态逻辑反相器设计的数字控制振荡器DCO结构(Digitally-Controlled Oscillator),这种数字控制振荡器采用全数字电路构成,较之LC振荡器更加易于设计和制造,适合于高频高性能数字锁相环的应用。电路结构的仿真采用Spectre仿真器,基于STMicroelectronics CMOS 90nm工艺,在1.2V电源电压下实现了1GHz～6GHz的数控振荡频率变化范围,功耗为0.1mW～3mW,10MHz的频率偏移处的相位噪音约为-114dBc/Hz。
- 周国飞龚敏邬齐荣
- 关键词：CMOS反相器环形振荡器
- 一种实现末位校正的Pipelined ADC设计
- 2010年
- 设计了一个基于CSMC 0.5μm 2P3M CMOS工艺的Pipelined ADC.改进了末位量化的算法,通过对最低位的输出进行校正来消除误码,提高转换的精度.并优化设计了全电路的OTA模块,在增加一级单元的情况下,控制功耗为75 mW.在3.3 V电压供电的情况下,可以处理2V范围的输入电压,无杂散动态范围(SFDR)达到67.1 dB.
- 刘璐邬齐荣石瑞英吴晓雷
- 关键词：流水线模数转换器动态范围
- 利用ISE-TCAD分析和设计SCR结构的片上静电保护电路
- 2007年
- 传统的片上静电放电(ESD)保护电路设计主要基于尝试性和破坏性的实验,这种方法不利于产品的推出[1]。提出使用ISE-TCAD工具对ESD保护电路进行模拟和优化,以快速地获取面积参数。并以某一典型0.6μm CMOS工艺的可控硅整流器(SCR)结构为例,进行ESD人体放电模型的模拟和面积估算,达到了缩短设计周期,和增加设计成功率的目的。
- 向李艳邬齐荣龚敏陈畅
- 关键词：CMOSSCR
- 自偏置的多段曲率校正带隙基准源
- 2010年
- 典型的带隙基准电压源电路是由CMOS工艺产生的具有负温度系数的寄生横向BJT的发射结电压V_(EB)和具有正温度系数的热电压V_t相补偿产生零温度系数的基准带隙电压源.但是V_(EB)与温度不是线性关系,因此V_(REF)需要被校正.本文介绍了一种高精度自偏置多段二次曲率补偿的CMOS带隙基准电压源.采用0.5μm CMOS工艺、工作电压为3.3 V,该芯片室温下功耗为94μW.设计在0℃～75℃有效温度系数达到了0.7 ppm/℃.
- 赵玉月龚敏邬齐荣陈畅
- 关键词：带隙基准电压共源共栅电流镜自偏置低温度系数
- 一种改进跨导运放的采样保持电路
- 2010年
- 采样保持电路的信号精度和建立速度直接影响到整个流水线型模数转换器的分辨率和转换速率.本文改进了辅助运放的共模反馈结构,解决了传统结构中跨导运放连续时间共模反馈(CMFB)电路设计困难,偏置电路复杂的问题,使用工作在饱和区边沿的MOS管对实现反馈结构,使输出共模电平在1.65 v快速稳定.该采样保持电路基于0.5μm 2P3M CMOS工艺,使ADC达到了10位,40 MHz的性能,一级采样电路在3.3 V的电压下其功耗为6 mW.
- 王静邬齐荣龚敏陈畅
- 关键词：采样保持电路共模反馈
- 利用ISE-TCAD分析和设计SCR结构的静电保护电路
- 2007年
- 传统的ESD保护电路设计主要基于尝试性和破坏性的实验,这种方法不利于产品的推出[1]。文中提出使用ISE-TCAD工具对ESD保护电路进行模拟和优化,以快速地获取面积参数。并以某一典型0.6μmCMOS工艺的可控硅整流器(SCR)结构为例,进行ESD人体放电模型的模拟和面积估算,达到了缩短设计周期和增加设计成功率的目的。
- 向李艳邬齐荣龚敏陈畅
- 关键词：静电保护可控硅整流器
- 一种宽电源电压的高精度带隙基准电路的设计被引量：3
- 2010年
- 设计了一种宽电源电压的高精度带隙基准电路.在综合考虑精度、电源抑制比(PSRR)、宽电源电压要求和功耗等因素的基础上,采用了一种由基准电压偏置的,增益和电源抑制比大小相近的运算放大器解决方案.设计采用CSMC0.5μm CMOS工艺,电源为3.3V.Cadence Spectre仿真表明,当温度在-40℃~125℃,电源电压在2.56V^8V时,输出基准电压平均值为1.290V,变化0.793mV,有效温度系数为3.72ppm/℃;室温下,在低频时具有-97dB的PSRR,在100kHz时为-69dB,功耗为180μW.
- 周庆波龚敏邬齐荣
- 关键词：带隙基准运算放大器温度系数
- 一种自适应峰值检测电路的设计被引量：5
- 2011年
- 针对传统闭环峰值检测电路不能准确检测出每一个峰值的缺点,设计了一种自适应峰值检测电路.利用输入信号的斜率作为控制信号,控制采样保持电路实现峰值检测.该电路确保检测与峰值同步,对峰-峰时间间隔不定的信号都能够准确检测出每一个峰值,并具有检测误差小、电压下降率低等优点.设计采用CSMC 0.5μm工艺,在5 V电源供电下,检测误差小于0.3 mV,电压下降率小于1.68μV/μs,应用频率范围20 Hz～1 KHz,最小可分辨峰-峰时间间隔为5μs,整体电路功耗14.7 mW.
- 郭建刚邬齐荣龚敏孙杰陈昶
- 关键词：微分电路
