陈畅
- 作品数：5 被引量：9H指数：1
- 供职机构：四川大学物理科学与技术学院微电子技术四川省重点实验室更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 利用ISE-TCAD分析和设计SCR结构的静电保护电路
- 2007年
- 传统的ESD保护电路设计主要基于尝试性和破坏性的实验,这种方法不利于产品的推出[1]。文中提出使用ISE-TCAD工具对ESD保护电路进行模拟和优化,以快速地获取面积参数。并以某一典型0.6μmCMOS工艺的可控硅整流器(SCR)结构为例,进行ESD人体放电模型的模拟和面积估算,达到了缩短设计周期和增加设计成功率的目的。
- 向李艳邬齐荣龚敏陈畅
- 关键词：静电保护可控硅整流器
- 一种新型过流保护电路设计被引量：9
- 2010年
- 与多数以"中断"模式实现保护不同,文章提出了一种用于低压差线性稳压器(LDO)的过流保护电路设计新方案,通过"屏蔽电路"屏蔽过流信号,使LDO不因过流信号干扰而中断运行。为了防止屏蔽时间内的过大电流烧毁功率管,提供过大电流关断电路,当屏蔽时间内负载电流太大可能瞬间烧毁功率管时能及时关断功率管,保证功率管的安全。该电路的屏蔽时间可以根据需要设定。CSMC0.5μmBiCMOS工艺Cadence spectre仿真结果表明,改进后的过流保护电路能有效屏蔽设定时间内的过流信号,扩大了正常工作区的范围,保证了LDO更高效安全地运行。
- 王小龙陈畅龚敏
- 关键词：过流保护屏蔽
- 利用ISE-TCAD分析和设计SCR结构的片上静电保护电路
- 2007年
- 传统的片上静电放电(ESD)保护电路设计主要基于尝试性和破坏性的实验,这种方法不利于产品的推出[1]。提出使用ISE-TCAD工具对ESD保护电路进行模拟和优化,以快速地获取面积参数。并以某一典型0.6μm CMOS工艺的可控硅整流器(SCR)结构为例,进行ESD人体放电模型的模拟和面积估算,达到了缩短设计周期,和增加设计成功率的目的。
- 向李艳邬齐荣龚敏陈畅
- 关键词：CMOSSCR
- 自偏置的多段曲率校正带隙基准源
- 2010年
- 典型的带隙基准电压源电路是由CMOS工艺产生的具有负温度系数的寄生横向BJT的发射结电压V_(EB)和具有正温度系数的热电压V_t相补偿产生零温度系数的基准带隙电压源.但是V_(EB)与温度不是线性关系,因此V_(REF)需要被校正.本文介绍了一种高精度自偏置多段二次曲率补偿的CMOS带隙基准电压源.采用0.5μm CMOS工艺、工作电压为3.3 V,该芯片室温下功耗为94μW.设计在0℃～75℃有效温度系数达到了0.7 ppm/℃.
- 赵玉月龚敏邬齐荣陈畅
- 关键词：带隙基准电压共源共栅电流镜自偏置低温度系数
- 一种改进跨导运放的采样保持电路
- 2010年
- 采样保持电路的信号精度和建立速度直接影响到整个流水线型模数转换器的分辨率和转换速率.本文改进了辅助运放的共模反馈结构,解决了传统结构中跨导运放连续时间共模反馈(CMFB)电路设计困难,偏置电路复杂的问题,使用工作在饱和区边沿的MOS管对实现反馈结构,使输出共模电平在1.65 v快速稳定.该采样保持电路基于0.5μm 2P3M CMOS工艺,使ADC达到了10位,40 MHz的性能,一级采样电路在3.3 V的电压下其功耗为6 mW.
- 王静邬齐荣龚敏陈畅
- 关键词：采样保持电路共模反馈
