鲁麟
- 作品数：24 被引量：12H指数：1
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- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术电气工程更多>>
- 基于分时复用的TSV蜂窝单环结构、TSV蜂窝多环结构及容错方法
- 本发明公开了一种TSV蜂窝单环容错结构及容错方法、TSV蜂窝多环容错结构，TSV蜂窝单环容错结构分为上层Die2和下层Die1，下层Die1包含Routing路由模块，上层包括Rerouting路由模块；Routing路...
- 倪天明杨兆鲁麟朱世东瞿成明韩名君张肖强
- 文献传递
- 基于分离多量子垒电子阻挡层的AlGaN基深紫外发光二极管
- 2024年
- 通过分离多量子垒电子阻挡层(EBL)结构,实现了AlGaN基DUV-LED器件性能的提升。由仿真结果可得,与传统的块状EBL相比,采用分离多量子垒结构的EBL可以获得更高的空穴浓度和辐射复合速率。这得益于EBL中间的夹层形成了空穴加速区,使得空穴在加速区获得能量,从而提高了空穴注入效率。另外,多量子势垒结构还能够通过提高电子势垒有效抑制电子泄漏,从而大幅度提升器件性能。综上所述,多量子垒电子阻挡层的引入可以显著提升AlGaN基DUV-LED器件的性能。
- 申国文鲁麟许福军许福军吕琛代广珍
- 关键词：ALGAN电子阻挡层
- 一种功率因数校正电路
- 本实用新型公开了一种功率因数校正电路，包括PFC电路、主控单元、输入电压电流检测电路、输出电压检测电路、mos管电流检测电路，交流输入电源经整流滤波电路与PFC电路的输入端连接，所述PFC电路的输出端经滤波电路输出功率调...
- 高文根鲁麟倪天明张港於跃吴铭辉
- 文献传递
- AlN插入层厚度对Al0.25Ga0.75N/GaN异质结肖特基接触反向漏电的影响
- AIN插入层已被广泛用来提高Al0.25Ga0.75N/GaN/AIN体系中的二维电子气的迁移率和浓度，然而很少有人关注AIN插入层对该异质结构上肖特基接触的反向漏电的影响。而栅极反向漏电会造成AlxGa1-xN/GaN...
- 黄森沈波马楠许福军林芳苗振林宋杰鲁麟桑立雯秦志新
- 关键词：二维电子气反向漏电异质结
- 文献传递
- GaN模板上MOCVD生长InzAl1-zN的缺陷研究
- @@引言： InxAlt-xN三元合金的禁带宽度跨越红外(0.7 eV)到深紫外(6.2 eV)的范围，使其在光电子器件上有重要的应用前景。InxAl1-xN／GaN异质结构在x=0.18时，InxAl1-xN与GaN晶...
- 苗振林沈波于彤军许福军宋杰鲁麟杨志坚
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- 低位错密度Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>N外延薄膜的制备方法
- 本发明公开了一种低位错密度Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>N外延薄膜的制备方法，制备方法包括：在衬底上外延生长AlN薄膜；将制得的AlN薄膜上外延生长多个周期Al<Sub>y</Sub>Ga<...
- 鲁麟李明潮刘畅吕琛江明
- 文献传递
- In组分梯度渐变的n-i-p结构InGaN太阳能电池性能研究被引量：1
- 2016年
- 为了优化InGaN太阳能电池结构并有效地指导实际电池的制备,研究了n-i-p(p层在下)In组分梯度渐变结构的InGaN太阳能电池的性能特征。通过APSYS软件模拟计算,对比采用p-i-n渐变结构(p层在上)和n-i-p渐变结构(p层在下)的InGaN太阳能电池的器件性能。结果表明,采用n-i-p渐变结构的InGaN电池,i-InGaN层在低In组分下没有明显的优势,而在高In组分下的器件性能较好。在In组分为0.62时,转换效率最高达到8.48%。分析表明,p层在下的n-i-p渐变结构使得InGaN电池的极化电场与耗尽区的内建电场方向一致,有利于载流子的输运。采用n-i-p渐变结构有利于制备高性能的InGaN太阳能电池。
- 鲁麟李明潮许福军江明陈其工
- 关键词：INGAN太阳能电池
- 一种基于蜂窝的TSV聚簇故障容错结构
- 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种基于蜂窝的TSV聚簇故障容错结构，由N层环形结构组成，在最外层环形结构中的六边形中心处都设有一个冗余TSV，利用六边形这种灵活且稳定的结构排列所有TSV，合理的摆放冗余TSV的位置和...
- 倪天明姚瑶鲁麟代广珍韩名君高文根瞿成明朱世东
- 文献传递
- AlN插入层对AlzGa1-zN／GaN异质结微结构和电学性质的影响
- @@引言： AlxGa1-xN／GaN异质结在高温、高频和高功率电子器件方面有很大的应用前景。对AlxGa1-xN／GaN异质结的研究中的一个重要的问题是提高其二维电子气体的输运性质。采用AIN插入层可以有效地提高二维电...
- 宋杰沈波许福军苗振林鲁麟杨志坚张国义黄森
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- 一种面向三维集成电路中TSV的容错架构
- 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种面向三维集成电路中TSV的容错架构，该冗余结构由N层环形结构组成，通过六条射线将N层环形结构等分成六个区域，每层环形结构上设有三个RTSV，三个RTSV均匀的分布在六条射线上，相邻层...
- 倪天明束月鲁麟代广珍韩名君高文根瞿成明朱世东
- 文献传递
