2024年12月26日
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孙成春
作品数:
14
被引量:1
H指数:1
供职机构:
电子科技大学
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相关领域:
电子电信
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合作作者
张波
电子科技大学
张有润
电子科技大学
刘影
电子科技大学
马金荣
电子科技大学
董梁
电子科技大学
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电子科技大学
作者
14篇
孙成春
13篇
张波
9篇
张有润
7篇
刘影
6篇
董梁
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马金荣
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乔明
4篇
张飞翔
2篇
曲黎明
2篇
蒋苓利
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高向东
2篇
樊航
2篇
张明
2篇
王裕如
2篇
齐钊
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吴浩然
年份
2篇
2017
4篇
2016
2篇
2015
5篇
2014
1篇
2013
共
14
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一种增强型HEMT器件的制备方法
本发明涉及半导体技术领域,特别涉及一种增强型HEMT器件的制备方法。本发明主要利用离子溅射的方式将金属钽溅射至栅区域AlGaN层表面,金属钽与AlGaN层反应生成化合物的同时,会消耗栅区域AlGaN层的厚度。AlGaN层...
张有润
庞慧娇
施金飞
刘影
孙成春
张波
一种三维集成固体继电器
本发明公开了一种集成度较高、可靠性较好的三维集成固体继电器。该三维集成固体继电器,包括集成于同一衬底上的光电池阵列、控制电路和输出端功率半导体器件,所述控制电路和输出端功率半导体器件集成在衬底的正面,光电池阵列集成在衬底...
张有润
孙成春
刘影
吴浩然
张波
文献传递
一种光电集成电路的制造方法
本发明涉及半导体技术,具体的说是涉及一种光电集成电路的制造方法。本发明所述的制造方法主要步骤为:对硅片进行处理,使硅片的一部分具备氧化层;将硅片有氧化层的部分和无氧化层的部分进行隔离;在硅片上无氧化层的部分制造光电器件,...
张有润
董梁
刘影
张飞翔
孙成春
张波
文献传递
一种光电集成电路的制造方法
本发明涉及半导体技术,具体的说是涉及一种光电集成电路的制造方法。本发明所述的制造方法主要步骤为:对硅片进行处理,使硅片的一部分具备氧化层;将硅片有氧化层的部分和无氧化层的部分进行隔离;在硅片上无氧化层的部分制造光电器件,...
张有润
董梁
刘影
张飞翔
孙成春
张波
文献传递
一种具有ESD保护功能的强抗闩锁可控LIGBT器件
本发明涉及电子技术,具体的说是涉及一种具有ESD保护功能的强抗闩锁可控LIGBT器件。本发明的LIGBT器件,通过隔离区13将N型外延层3隔离为两个部分,隔离区13一侧的N型外延层3中设置有第一P型阱区4和N型阱区6,隔...
乔明
马金荣
齐钊
孙成春
曲黎明
樊航
蒋苓利
张波
文献传递
一种碳化硅双极性晶体管
本发明涉及半导体技术领域,具体的说是涉及一种碳化硅双极性晶体管。本发明的碳化硅双极性晶体管,其特征在于,在N<Sup>+</Sup>发射区205与P<Sup>+</Sup>掺杂区207之间的P<Sup>-</Sup>基区...
张有润
孙成春
董梁
马金荣
张波
文献传递
自触发堆叠STSCR‑LDMOS高压ESD保护电路
本发明提供了一种自触发堆叠STSCR‑LDMOS的高压ESD保护电路,属于电子技术领域。包括N个STSCR‑LDMOS堆叠单元,所述STSCR‑LDMOS堆叠单元包括一个STSCR‑LDMOS器件和一个电阻,其中N≥2,...
乔明
马金荣
孙成春
王裕如
张波
文献传递
一种具有ESD保护功能的强抗闩锁可控LIGBT器件
本发明涉及电子技术,具体的说是涉及一种具有ESD保护功能的强抗闩锁可控LIGBT器件。本发明的LIGBT器件,通过隔离区13将N型外延层3隔离为两个部分,隔离区13一侧的N型外延层3中设置有第一P型阱区4和N型阱区6,隔...
乔明
马金荣
齐钊
孙成春
曲黎明
樊航
蒋苓利
张波
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高压4H-SiC BJT功率器件特性研究
碳化硅(Silicon Carbide,SiC)作为一种第三代半导体,具有禁带宽度大、临界击穿电场大、热导率大,使其特别适用于高温高压等领域中应用。在SiC的多种同质异型体中,4H-SiC具有较高的电子迁移率和较低的各向...
孙成春
关键词:
碳化硅
双极型晶体管
电流增益
文献传递
一种快速光电探测器
本发明涉及电子元器件技术,具体的说是涉及一种快速光电探测器。本发明所述的快速光电探测器,包括相连接的光电二极管和放大电路,所述光电二极管包括N+衬底101、N-外延层102、阳极金属电极105和阴极金属电极106,所述N...
张有润
董梁
孙成春
张飞翔
刘影
张明
高向东
张波
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