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张炯

作品数：8 被引量：12H指数：2
供职机构：清华大学更多>>
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相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 3篇学位论文

领域

  • 6篇电子电信

主题

  • 6篇载流子
  • 6篇热载流子
  • 4篇热载流子效应
  • 4篇NMOSFE...
  • 2篇亚微米
  • 2篇深亚微米
  • 2篇微米
  • 2篇NMOSFE...
  • 1篇电路
  • 1篇电子衍射
  • 1篇对称性
  • 1篇应变层
  • 1篇锗化硅
  • 1篇碳纳米管
  • 1篇退变
  • 1篇偏置
  • 1篇偏置电压
  • 1篇热载流子应力
  • 1篇小尺寸
  • 1篇纳米

机构

  • 8篇清华大学

作者

  • 8篇张炯
  • 4篇李瑞伟
  • 2篇钱伟
  • 1篇金晓军
  • 1篇吴正立
  • 1篇陈培毅
  • 1篇张文良
  • 1篇钱佩信
  • 1篇林惠旺

传媒

  • 5篇Journa...

年份

  • 1篇2006
  • 1篇2000
  • 1篇1999
  • 5篇1998
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
N-掺杂浓度对小尺寸nMOSFETs热载流子寿命的影响被引量：5
2000年
从模拟和试验二方面对 N- 区的结构参数影响器件可靠性的规律进行了细致的研究 .考虑到工艺条件 ,主要讨论 N-区的掺杂浓度 ( NN- )的变化对器件可靠性的影响 .通过模拟和从实际工作中得到的结果 ,对于 0 .35— 1 .2μm器件 ,我们将 N- 区的掺杂浓度优化为 7× 1 0 17— 1×1 0 18/cm3.利用优化结果进行试验生产 ,并对器件寿命进行测量的结果表明 ,沟道长度 0 .8μm以上的均可以在 5V的电源电压下可靠地工作 1 0年 (工业标准 ) ;0 .4μm的器件 ,可以在 4V的电源电压下达到 1 0年的工作寿命 (热载流子寿命 ) .
张炯李瑞伟
关键词：热载流子NMOSFETS
AC热载流子应力下nMOSFET’s的退变研究被引量：1
1999年
本文研究了固定漏电压、栅脉冲ＡＣ应力条件下ｎＭＯＳＦＥＴ’ｓ器件特性的退化情况．不同高低电平栅脉冲的应力实验结果表明，ＡＣ热载流子应力条件下器件特性的退化与栅脉冲高低电平的覆盖的范围密切相关．ＡＣ应力条件下器件退化是否增强，取决于ＡＣ应力过程是否经历了不同模式的ＤＣ应力．
张炯李瑞伟张文良
关键词：热载流子效应
不同偏置电压下SiGe HBT Early电压的理论研究被引量：4
1998年
Ｅａｒｌｙ电压ＶＡ和直流增益β是双极器件在模拟电路中应用的重要参数，本文研究了在器件不发生大注入效应和雪崩倍增效应的条件下，ＳｉＧｅＨＢＴ中基区Ｇｅ含量以及ＶＣＥ对器件的Ｅａｒｌｙ电压ＶＡ的影响，并用数值计算的方法得到了在其它参数相同的情况下，器件的Ｅａｒｌｙ电压ＶＡ随基区中Ｇｅ含量和偏置电压ＶＣＥ的变化规律，表明Ｅａｒｌｙ电压ＶＡ是随ＶＣＥ和Ｇｅ含量的增加而增加的．这些结果对ＳｉＧｅＨＢＴ在模拟集成电路中的设计和应用提供了指导．
钱伟金晓军张炯林惠旺陈培毅钱佩信
关键词：锗化硅HBT应变层
反向关态电流在热载流子蜕变效应研究中的应用被引量：1
1998年
本文研究了ｎＭＯＳＦＥＴ’ｓ器件的反向关态电流（Ｉｏｆｒ）特性．我们发现，刚受过热载流子应力的器件Ｉｏｆｒ呈现一个突然的增高，而在随后的一段时间里（我们定义其为弛豫时间）又呈指数下降，这一现象是由于在热载流子应力过程中注入的热空穴的消散造成的．所以我们认为Ｉｏｆｒ不但可以作为热空穴注入的有力证据，而且可以作为热空穴研究的有效手段．
张炯李瑞伟钱伟
关键词：ICNMOSFET
亚微米和深亚微米nMOSFTEs 热载流子退变效应的研究
张炯
关键词：NMOS器件热载流子效应
螺旋结构的电子衍射
张炯
关键词：电子衍射对称性碳纳米管
nMOSFET’s界面对热空穴俘获率的研究被引量：1
1998年
本文中，我们利用ｎＭＯＳＦＥＴ’ｓ器件反向关态电流对器件的热空穴的俘获率（我们定义它为在一个热载流子应力过程中界面俘获的空穴量）进行了初步的探讨．结果表明，热空穴的俘获率随应力时间呈对数增长；与漏附近栅氧中的纵向电场有直接的关系；与热空穴的注入效率没有明显的联系．
张炯吴正立李瑞伟
关键词：MOS集成电路热载流子效应
亚微米和深亚微米nMOSFETs热载流子退变效应的研究
该文围绕热载流子效应(HCE)这一严重影响亚微米和深亚微米NMOS器件可靠性的问题 ,进行了相关的实验和研究.为了提高LDD-NMOS器件的抗热载流子能力,研究人员利用TMA-MEDICI二维数值模拟软件,研究了漏轻掺杂...
张炯
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