明雪飞
- 作品数：85 被引量：38H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
- 发文基金：国家科技重大专项国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学化学工程更多>>
- 垂直互联结构的封装天线技术研究
- 2023年
- 封装天线(AiP)是一种能够实现低成本制备、高性能以及小体积天线的技术,在移动通信等领域有着广泛的应用。在扇出型晶圆级封装(FOWLP)中,采用通孔工艺能够实现电信号的垂直互连结构,助力AiP技术的发展。重点阐述了FOWLP工艺中硅通孔(TSV)、玻璃通孔(TGV)和塑封通孔(TMV)的制备方法,以及通过3种通孔技术实现的垂直互连结构在封装天线领域的应用。采用这3种垂直互连结构制备的封装天线能够实现三维集成,从而更进一步地缩小天线的整体封装体积。介绍了3种通孔的制备工艺,以及采用通孔技术的FOWLP工艺在封装天线领域的应用。明确了每一种垂直互连结构应用于AiP的优缺点,为FOWLP工艺在AiP领域中的技术开发和探索提供参考。
- 陈晨尹春燕夏晨辉尹宇航周超杰王刚明雪飞
- 关键词：垂直互连通孔技术
- 一种埋入TSV转接芯片硅基扇出型三维集成封装结构
- 本实用新型公开一种埋入TSV转接芯片硅基扇出型三维集成封装结构，属于集成电路封装领域。所述埋入TSV转接芯片硅基扇出型三维集成封装结构包括硅基，所述硅基的第一面开有凹槽，所述凹槽中埋有芯片；所述芯片包括TSV转接芯片、T...
- 王成迁明雪飞吉勇
- 文献传递
- FC芯片系统堆叠扇出封装结构及其制备方法
- 本发明涉及一种FC芯片系统堆叠扇出封装结构及其制备方法，其包括由两个FC芯片形成的堆叠封装体，堆叠封装体内两个FC芯片的背面相互靠接；在堆叠封装体的上方设置上再布线层，堆叠封装体的下方设置下再布线层，堆叠封装体内两个FC...
- 高娜燕张荣臻明雪飞
- 文献传递
- 一种引线键合和倒装焊混合集成结构
- 本实用新型公开一种引线键合和倒装焊混合集成结构，属于集成电路封装领域，包括有机基板、倒装焊芯片和引线键合芯片；倒装焊芯片通过金属凸点倒装焊接在有机基板上。引线键合芯片置于所述倒装焊芯片的顶部，并且引线键合芯片通过金线与所...
- 朱召贤徐衡朱家昌张爱兵明雪飞
- 文献传递
- 一种嵌入芯片的有机基板晶圆上集成结构
- 本发明公开一种嵌入芯片的有机基板晶圆上集成结构，属于集成电路封装领域，通过将多个存储芯片嵌入有机基板晶圆内部，将计算芯片和配套的存储芯片面对面安装，通过电镀铜柱阵列将两种芯片的焊盘连接，与配套的计算芯片实现垂直互连，缩短...
- 王刚明雪飞袁渊汤文学王成迁
- 超大规模CCGA器件铜带缠绕型焊柱可靠性研究被引量：3
- 2021年
- 基于有限元分析软件建立了超大规模铜带缠绕型焊柱CCGA2577器件的三维条状模型,根据应力应变评估铜带缠绕型焊柱的可靠性,并分析了不同尺寸铜带缠绕型焊柱对热疲劳寿命的影响。结果表明:在温度循环加载作用下,当铜带缠绕型焊柱应力的最大位置位于离中心距离最远的焊柱上时,最易发生失效;铜带缠绕型焊柱疲劳失效表现为靠近陶瓷一侧铜带与焊柱接触界面斜向裂纹;铜带缠绕型焊柱长度增加,焊柱抗疲劳寿命随之提高,CCGA器件板级可靠性也随之提高;铜带厚度对铜带缠绕型焊柱抗疲劳寿命的影响较小;铜带宽度对铜带缠绕型焊柱可靠性的影响较为显著,在铜带宽度为0.31μm时,铜带缠绕型焊柱抗疲劳寿命达到最高值。
- 姚昕明雪飞吉勇朱家昌
- 关键词：可靠性
- 一种3D扇出型封装方法及结构
- 本发明公开一种3D扇出型封装方法及结构，属于集成电路封装技术领域。首先提供硅基和玻璃载板，所述硅基正面通过截止层与所述玻璃载板键合；接着在硅基背面刻蚀TSG（Through Silicon Groove）凹槽和TSV硅通...
- 王成迁明雪飞吉勇
- 硅基密封气密性及结构强度研究被引量：1
- 2014年
- 探讨了硅基气密性封装的可行性,将电镀镍-金镀层的柯伐盖板、密封区金属化的硅基板用金锡焊料片通过熔封形成密封。硅是一种脆性材料,在硅基气密性密封结构中,需要研究气密性封装腔体大小对结构强度的影响(规律),以及可承受的压力。试验结果表明,腔体小于11 mm×27 mm时(腔体高度不限),350μm厚度的硅基板可直接与柯伐盖板密封,密封结构中的硅基板不会碎裂且可承受至少0.1 MPa的压力。
- 吉勇高娜燕燕英强明雪飞陈波丁荣峥
- 关键词：气密性
- 一种射频前端与天线一体化三维集成封装方法及结构
- 本发明公开一种射频前端与天线一体化三维集成封装方法及结构，属于集成电路封装技术领域。提供玻璃晶圆、第一组件和第二组件，所述第一组件倒装焊接至所述玻璃晶圆的背面；包覆所述第一组件形成晶圆载体；减薄其背面至露出所述第一组件的...
- 夏晨辉张爱兵王刚明雪飞李杨王成迁
- 文献传递
- 一种硅基扇出型晶圆级封装方法及结构
- 本发明公开一种硅基扇出型晶圆级封装方法及结构，属于集成电路封装技术领域。首先提供硅基，在所述硅基正面刻蚀散热通道并沉积截止层；在所述截止层上键合第一玻璃载板；然后在所述硅基背面刻蚀出凹槽，埋入芯片并用干膜材料填满；接着利...
- 王成迁明雪飞吉勇
