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丁荣峥

作品数:62 被引量:101H指数:7
供职机构:中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
发文基金:国家科技重大专项国防科技工业技术基础科研项目更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术电气工程金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 31篇专利
  • 26篇期刊文章
  • 3篇标准
  • 2篇会议论文

领域

  • 30篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程

主题

  • 39篇封装
  • 14篇电路
  • 14篇集成电路
  • 10篇芯片
  • 9篇气密
  • 9篇气密性
  • 9篇基板
  • 6篇电路封装
  • 6篇电子封装
  • 6篇气密性封装
  • 6篇密封
  • 6篇集成电路封装
  • 6篇硅基
  • 6篇封装结构
  • 5篇电子封装技术
  • 5篇引线
  • 5篇陶瓷封装
  • 5篇陶瓷外壳
  • 5篇硅基板
  • 5篇分立器件

机构

  • 57篇中国电子科技...
  • 7篇无锡中微高科...
  • 5篇无锡微电子科...
  • 4篇清华大学
  • 3篇中国电子科技...
  • 3篇中国电子技术...
  • 3篇无锡天和电子...
  • 3篇江苏省宜兴电...
  • 2篇三江学院
  • 1篇厦门大学
  • 1篇江苏省宜兴电...

作者

  • 62篇丁荣峥
  • 12篇李欣燕
  • 10篇陈波
  • 9篇吉勇
  • 9篇燕英强
  • 7篇高娜燕
  • 7篇杨轶博
  • 4篇明雪飞
  • 4篇贾松良
  • 3篇陈桂芳
  • 3篇朱媛
  • 3篇张崤君
  • 2篇吕栋
  • 2篇黄强
  • 2篇郭伟
  • 2篇郭大琪
  • 2篇马国荣
  • 2篇张顺亮
  • 1篇王洋
  • 1篇王洋

传媒

  • 19篇电子与封装
  • 3篇电子产品可靠...
  • 1篇集成电路应用
  • 1篇世界产品与技...
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇中国集成电路
  • 1篇第二届中国国...
  • 1篇中国电子学会...

年份

  • 2篇2024
  • 2篇2022
  • 2篇2021
  • 1篇2020
  • 3篇2019
  • 7篇2018
  • 5篇2017
  • 7篇2016
  • 1篇2015
  • 11篇2014
  • 6篇2013
  • 5篇2012
  • 2篇2011
  • 1篇2005
  • 1篇2004
  • 1篇2003
  • 3篇2002
  • 2篇2001
62 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种基于TSV工艺的晶圆级硅基板制备方法
本发明公开了一种基于TSV工艺的晶圆级硅基板制备方法,包括以下步骤:采用DRIE工艺在基板圆片上制备第一盲孔;第一盲孔内壁淀积绝缘层、黏附/扩散阻挡层和种子层金属;第一盲孔内电镀铜,并采用CMP工艺进行电镀铜平坦化;在基...
燕英强吉勇丁荣峥李欣燕
文献传递
一种数字隔离器及隔离结构的制作方法
本发明公开一种数字隔离器及隔离结构的制作方法,属于电子封装领域。所述数字隔离器包括隔离器芯片和隔离结构;隔离器芯片包括半导体硅晶圆,其顶面制作有隔离器;隔离器上设有金属压焊盘,金属压焊盘包括输入端金属压焊盘、输出端金属压...
丁荣峥宣志斌张庆邓玉清
文献传递
一种晶圆级高深宽比TSV封装基板制备方法
本发明公开了一种晶圆级高深宽比TSV封装基板制备方法。所述方法包括以下工艺步骤:采用DRIE工艺在基板圆片上制备通孔,通孔贯穿基板;通孔侧壁淀积钝化层;在圆片双面淀积通孔侧壁黏附/扩散阻挡层和种子层金属;将淀积有种子层金...
燕英强吉勇丁荣峥
文献传递
一种硅基气密性密封结构及其制造方法
本发明公开了一种硅基气密性密封结构及其制造方法,该密封结构包括具备完整通孔填充第一金属、表面钝化、背面带有焊盘的硅基板,硅基板正面填充带有开口的聚合物介质层,开口内填充第二金属;聚合物介质层上表面设置金属布线层和绝缘层,...
吉勇燕英强丁荣峥李欣燕
文献传递
一种有引线封装用的引线框架结构
本发明涉及一种有引线封装用的引线框架结构,该引线框架包括串联的若干个框架结构单元,相邻两个框架结构单元通过边带连接,每个框架结构单元包括多个装载集成电路芯片或分立器件的基岛、引脚、引脚连接筋和辅助引脚,相邻引脚之间通过引...
丁荣峥李欣燕
文献传递
封装腔体内氢气含量控制被引量:14
2012年
目前,对密封腔体内的水汽、二氧化碳、氧气含量的研究比较多,内部水汽含量控制在≤5 000 ppm、氧气控制在≤2 000 ppm、二氧化碳控制在≤4 000 ppm、氦气控制在≤1 000 ppm的密封工艺技术已解决[9],氢气含量控制的研究则未见报道。对于一些气密性要求高的封装应用领域,还需要控制氢气含量,如MEMS、GaAs电路等。分析了平行缝焊、Au80Sn20合金封帽的导电胶、合金烧结的器件的内部氢气含量,并分析了125℃168 h和125℃1 000 h贮存前后氢气含量的变化情况;在试验的基础上,提出了氢气的主要来源和针对性的工艺措施,并取得了期望的结果:密封器件经过125℃、1 000 h贮存后的氢气含量也能控制在≤4 000 ppm。
丁荣峥李秀林明雪飞郭伟王洋
关键词:气密封装氢气含量
倒装芯片拉脱试验分析与测试方法改进研究被引量:2
2013年
倒装芯片工艺越来越广泛地应用于芯片与管壳/基板互连中。目前,倒装芯片拉脱试验均采用GJB548B-2005《微电子器件试验方法和程序》方法 2031倒装片拉脱试验。随芯片面积的增大及倒装芯片种类的增多,方法 2031中关于拉开棒与芯片表面法线方向5°范围内无冲击拉芯片的测试,使用该方法所获得的试验数据不准确,与真实值偏差大。针对这一问题,进行了测试方法的改进研究,降低了测试夹具导致的测量误差,从而获取了高可信度的倒装芯片拉脱强度数据。
丁荣峥马国荣陈波杨轶博
关键词:倒装片
用于陶瓷外壳的无助焊剂倒装焊方法
本发明揭示了一种用于陶瓷外壳的无助焊剂倒装焊方法,属于集成电路制造技术领域。所述用于陶瓷外壳的无助焊剂倒装焊方法包括:在陶瓷外壳的焊盘上添加焊球,将焊球压平;将倒装芯片的凸点与被压平的焊球进行预焊接;还原倒装芯片的凸点以...
陈波丁荣峥
文献传递
基于圆片级硅通孔工艺基板的结构强度增强的制作方法
本发明公开了一种基于圆片级硅通孔工艺基板的结构强度增强的制作方法,其包括以下步骤:在已完成通孔、绝缘层制备、通孔已填充金属的圆片背面制作具有开口的介质层,所述开口对应每一个有填充金属的位置;在开口中电镀或化镀填充金属形成...
吉勇燕英强丁荣峥
文献传递
UV固化工艺及设备被引量:2
2005年
本文介绍了划片后UV膜的固化处理工艺,以及通过UV工艺提高划片质量和提高生产效率、提高划片刀的寿命。文中着重讨论了如何实现UV固化以及设备的制作和调整,对UV固化工艺和设备开发有很好的参考价值。
丁荣峥高辉章文张顺亮曾丽君
关键词:UV固化紫外光
共7页<1234567>
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