朱志甫
- 作品数：64 被引量：44H指数：4
- 供职机构：东华理工大学机械与电子工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江西省自然科学基金江西省教育厅青年科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术电气工程更多>>
- 一种AlGaN/GaN量子阱近红外-紫外双色探测光电阴极及其制备工艺
- 本发明涉及一种AlGaN/GaN量子阱近红外‑紫外双色探测光电阴极及其制备工艺。包括衬底，缓冲层外延在衬底上，P型下帽层制作在缓冲层上，P型势阱层制作在P型下帽层上，多量子阱层制作在P型势阱层上，P型上帽层制作在多量子阱...
- 邓文娟朱斌邹继军彭新村朱志甫王壮飞周甜
- 一种利用湿法刻蚀具有微沟槽的AlGaAs/GaAs中子探测器
- 一种利用湿法刻蚀具有微沟槽的AlGaAs/GaAs中子探测器，以p型GaAs作为衬底层，在GaAs衬底层上依次外延生长低Al组分变带隙AlGaAs/GaAs有源层、高Al组分AlGaAs刻蚀层，而后在高Al组分AlGaA...
- 汤彬邹继军陈大洪彭新村朱志甫
- 文献传递
- 一种二维位置灵敏硅中子探测器及其制备方法
- 本发明公开了一种二维位置灵敏硅中子探测器及其制备方法，该中子探测器以硅作为衬底，在硅衬底上下两面生长Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>钝化层，利用干法刻蚀在硅衬底上形成两面交叉90°的微沟槽结构，或者...
- 邹继军汤彬杨淑婷彭新村张明智朱志甫
- 一种GaAs纳米光学共振结构光电阴极电子源及其制备方法
- 本发明公开了一种GaAs纳米光学共振结构光电阴极电子源，属于光电阴极技术领域，结构由下至上依次包括P型半导体衬底、纳米光学共振发射层有源区和表面激活层。利用纳米光学共振结构与入射光作用产生的光学共振效应，将光场和电荷局限...
- 彭新村邹继军刘云邓文娟朱志甫王炜路冯林王智栋
- 文献传递
- 一种填充<Sup>6</Sup>LiF的半绝缘GaAs微沟槽中子探测器
- 一种填充<Sup>6</Sup>LiF的半绝缘GaAs微沟槽中子探测器，该探测器包括半绝缘GaAs衬底、SiO<Sub>2</Sub>钝化层、微沟槽、正面肖特基金属电极及背面欧姆金属电极，并在微沟槽内填充<Sup>6</...
- 叶鑫邹继军朱志甫陈大洪周青
- 文献传递
- 基于ARM的嵌入式挖掘机控制系统被引量：1
- 2009年
- 嵌入式技术已经广泛的应用于各种控制领域,将嵌入式技术应用于工程机械领域可以极大的提高其智能控制程度。文中提出了一种基于ARM与DSP的嵌入式运动控制系统,并将其应用于挖掘机控制系统。对挖掘机工作装置进行智能控制,能实现工作装置的自动控制。
- 朱志甫冯习宾
- 关键词：ARM工程机械智能控制
- 基于LabVIEW和USB伽玛能谱仪通信的实现
- 2011年
- 目前,传统的测量仪器处理单元的运算能力和数据储存容量有限,而采用以LabVIEW为代表的虚拟仪器技术,其数据传输和运算处理速度有质的飞跃。以LabVIEW为仪器仪表领域专业软件,设计人员可大大缩短开发周期,用户也更方便地完成对被测试信号的采集、存储、分析。
- 丁玉飞黄乡生管小明朱志甫
- 关键词：LABVIEW测量仪器虚拟仪器
- 一种变掺杂变组分的AlGaNGaN中子探测器
- 本发明公开一种变掺杂变组分AlGaN/GaN中子探测器，为PIN结构，以自支撑n型GaN作为衬底，在衬底上利用金属有机物化学气相沉积技术顺序生长变掺杂变组分n型AlGaN层、未掺杂GaN层和p型GaN层；在p型GaN和n...
- 汤彬朱志甫邹继军王盛茂邓文娟彭新村
- 文献传递
- 放射性建材测量理论被引量：1
- 2010年
- 放射性建材是人体天然辐射剂量的主要来源,引起了社会广泛的关注。文章从天然放射性测量的原理到屏蔽装置设计、测量时间选择、样品制备、及谱线分析等比较全面的介绍了放射性建材测量理论。
- 瞿金辉王仁波张雄杰谭海朱志甫满在刚
- GaN基带电粒子探测器能谱测量的改进研究
- 2018年
- 分析了GaN和Si两种不同探测器的电荷灵敏前置放大器增益,修正了GaN基带电粒子探测器能谱的放大倍数。利用^(241)Am和^(239)Pu两种α粒子源标定了能量与道指的关系,获得了能量刻度曲线方程。根据标定的曲线方程,测量了修正前后的GaN基pin探测器^(241)Am源的能谱。修正后的测量结果表明,当反向偏压为-10 V时,5.48 MeV的^(241)Am源在GaN基pin探测器里沉积的能量约为620 keV。
- 朱志甫黄河邹继军汤彬
- 关键词：GAN能量刻度探测器能谱
