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黄河: 作品数：18 被引量：22H指数：2; 供职机构：东华理工大学机械与电子工程学院更多>>; 发文基金：国家自然科学基金江西省自然科学基金中国科学院知识创新工程重要方向项目更多>>; 相关领域：自动化与计算机技术电子电信核科学技术兵器科学与技术更多>>

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电机故障诊断的仿真研究被引量：10: 2011年; 研究电机故障诊断问题。针对电机信号具有非平稳和随机性特点,为保证电机运行的安全性,准确进行故障诊断,传统方法不能有效识别故障信号特征,导致故障识别准确率低,现提出一种基于小波分析和神经网络相结合的电机故障诊断方法。采用小波包变换技术对电机故障振动信号进行去噪处理,然后利用小波包分解系数计算各子频带能量值,根据能量值的变化构建故障特征向量,利用将特征向量作为RBF神经网络的输入进行故障识别,并在Matlab仿真平台上进行仿真。仿真结果表明方法提高电机故障诊断的准确率,有效克服了传统方法存在不足,同时缩短了电机故障诊断的时间。; 黄河; 关键词：故障诊断神经网络小波分析振动信号

基于氮化硼薄膜的alpha粒子探测器被引量：1: 2022年; 本文利用低压化学气相沉积法在蓝宝石衬底上外延生长了高质量的厚度为1μm的h-BN。在h-BN上沉积Au电极制备了MSM(Metal-Semiconductor-Metal)结构的alpha粒子探测器。对制备器件的电学特性进行测试,结果表明无论是正向电压还是反向电压,探测器的漏电流都在纳安数量级,满足核辐射探测器的要求。利用能量为5.48MeV的^(241)Am alpha源测试了探测器的alpha粒子响应,测试结果表明,探测器能够实现对alpha粒子的探测,这些结果清楚的表明,高质量的h-BN有望在核辐射探测领域得到应用。; 王少堂黄河岳秀萍万志永; 关键词：H-BN 探测器 MSM结构

基于主元分析确定多变量系统控制极限的方法被引量：2: 2012年; 针对存在多个稳定状态的多变量统计过程控制的控制极限问题,提出先分析系统变量的历史数据得到其经验分布,确定该变量的不同稳定状态及对应的状态域;将数据样本按不同的状态分组标准化后,分别进行主元分析,得到不同稳定状态下的Hotellings T2及平方预测误差SPE(Q)控制极限。用本方法和普通主元分析法对某钢铁公司局部蒸汽管网的流量数据模拟监控的效果进行对比,表明本方法由于区分不同状态,确定的Hotellings T2及平方预测误差SPE(Q)控制极限更精确,能有效降低漏报警和误报警的概率。; 罗先喜苑明哲王宏黄河; 关键词：主元分析故障诊断

GaN基带电粒子探测器能谱测量的改进研究: 2018年; 分析了GaN和Si两种不同探测器的电荷灵敏前置放大器增益,修正了GaN基带电粒子探测器能谱的放大倍数。利用^(241)Am和^(239)Pu两种α粒子源标定了能量与道指的关系,获得了能量刻度曲线方程。根据标定的曲线方程,测量了修正前后的GaN基pin探测器^(241)Am源的能谱。修正后的测量结果表明,当反向偏压为-10 V时,5.48 MeV的^(241)Am源在GaN基pin探测器里沉积的能量约为620 keV。; 朱志甫黄河邹继军汤彬; 关键词：GAN 能量刻度探测器能谱

一种GaN中子探测器用的大面积厚膜6LiF中子转换层制备方法: 本发明公开一种GaN中子探测器用的大面积厚膜6LiF中子转换层制备方法，包含以下步骤：将GaN衬底进行表面处理；在GaN的正表面沉积Au，形成正面Au电极；利用光刻工艺和湿法腐蚀获得凹坑型GaN图形...; 朱志甫邹继军汤彬黄河彭新村; 文献传递

h-BN中子探测器制备及中子响应: 2024年; h-BN具有高的反应截面和高效率直接探测中子的优势,在中子探测技术领域具有潜在的应用场景。分析了三步脱氢法生长h-BN的低气压化学沉积机理,对于生长高质量的h-BN晶体,氨硼烷前驱体的升华温度是一个重要的参数。通过优化氨硼烷前驱体的升华温度,利用LPCVD外延生长技术在蓝宝石衬底上外延生长了高质量的h-BN。XRD表征技术表明,优化氨硼烷前驱体的升华温度能够显著改善h-BN晶体质量。利用半导体制备工艺在h-BN上完成了中子探测器的制备,在中子源照射下,在不同的氨硼烷升华温度下,获得了单个中子的电信号。中子响应测试结果表明,当设定温度分别为165℃和170℃时,获得了2.088 V和2.16 V的电压信号,电荷收集效率分别达到了87%和90%,实验中所测量的电压值与理论预期值呈现出良好的一致性。本实验结果对未来晶圆级和高质量h-BN晶体生长提供了实验数据,并为h-BN中子探测器大规模商业化应用提供关键的技术支撑。; 焦伟勇黄河刘吉珍朱志甫王旭王玮邹继军龙炳旭; 关键词：H-BN 中子探测器

一种叉指电极GaN alpha粒子探测器: 本实用新型公开了一种叉指电极GaN alpha粒子探测器，包括，叉指电极，Si3N4钝化层，p‑GaN层，n‑GaN层，欧姆金属电极；所述叉指电极、Si3...; 王少堂朱志甫岳秀萍黄河邹继军汤彬; 文献传递

高分辨^(6)LiF/ZnS中子闪烁体探测器读出电子学研制: 2023年; 能量分辨中子成像谱仪是中国散裂中子源的在建谱仪,其衍射探测器90°分区采用^(6)LiF/ZnS中子探测器作为探测设备,对成像空间分辨能力提出了更高的要求。为了提高中子闪烁体探测器的位置分辨能力,电子学系统提出了利用重心法实现数据采集电路,并研制了配套的读出电子学样机。该系统主要包括数据采集电路、前置放大电路和数字读出电路3个部分,分别实现:高效采集^(6)LiF/ZnS中子探测器发送的数据、将探测器探测到的微弱信号进行放大整形、处理经放大滤波后的信号。在实验室分别利用万用表、示波器和信号产生器对电子学系统调试完成后,最后在中国散裂中子源20号束线带束进行了相关参数测试,束线测试结果表明,探测器位置分辨能力达2 mm,满足工程设计指标。; 万志永黄河陈少佳朱志甫; 关键词：闪烁体探测器重心法 SIPM

脉冲电离室测氡仪电压灵敏前置放大器的研究被引量：2: 2011年; 基于研制快速准确测量氡及其子体含量的脉冲电离室测氡仪的要求,设计了该仪器的电压灵敏前置放大器,完成了电路设计和成品组装测试。测试结果表明该前置放大器满足核测量仪器的要求。; 黄河朱志甫张雄杰彭新村付志坚; 关键词：前置放大器电离室

一种GaN中子探测器用的大面积厚膜6LiF中子转换层制备方法: 本发明公开一种GaN中子探测器用的大面积厚膜6LiF中子转换层制备方法，包含以下步骤：将GaN衬底进行表面处理；在GaN的正表面沉积Au，形成正面Au电极；利用光刻工艺和湿法腐蚀获得凹坑型GaN图形...; 朱志甫邹继军汤彬黄河彭新村; 文献传递