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胡盛东

作品数：67 被引量：8H指数：1
供职机构：重庆大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金重庆市自然科学基金中国博士后科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 58篇专利
  • 7篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 15篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇电气工程

主题

  • 25篇半导体
  • 23篇功率器件
  • 19篇半导体功率器...
  • 11篇导通
  • 10篇导通电阻
  • 10篇电阻
  • 10篇漂移区
  • 10篇SOI
  • 8篇多晶
  • 8篇多晶硅
  • 8篇高压器件
  • 7篇电场
  • 7篇电荷
  • 7篇电路
  • 7篇面电荷
  • 7篇界面电荷
  • 7篇击穿电压
  • 7篇功率MOSF...
  • 7篇二极管
  • 6篇载流子

机构

  • 52篇重庆大学
  • 9篇电子科技大学
  • 8篇中国电子科技...
  • 2篇成都信息工程...
  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 67篇胡盛东
  • 29篇周喜川
  • 21篇唐枋
  • 12篇甘平
  • 10篇袁琦
  • 10篇谭跃
  • 9篇周建林
  • 8篇张波
  • 8篇李肇基
  • 8篇罗俊
  • 7篇张玲
  • 7篇金晶晶
  • 7篇郭经纬
  • 6篇李世平
  • 6篇陈卓
  • 6篇王忠杰
  • 6篇王健安
  • 6篇李明东
  • 6篇黄莎琳
  • 6篇殷鹏

传媒

  • 3篇微电子学
  • 2篇电力电子技术
  • 2篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 10篇2020
  • 8篇2019
  • 7篇2018
  • 6篇2017
  • 7篇2016
  • 4篇2015
  • 6篇2014
  • 5篇2013
  • 2篇2012
  • 2篇2011
  • 5篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2008
共 67 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种低抖动分频时钟电路
本发明提供一种低抖动分频时钟电路，包括：钟控信号产生电路，用于生成相位不同的时钟信号；低电平窄脉宽钟控信号产生电路，用于生成低电平窄脉宽钟控信号；高电平窄脉宽钟控信号产生电路，用于生成高电平窄脉宽钟控信号；分频时钟合成电...
刘涛王健安王育新陈光炳付东兵李儒章胡盛东张正平罗俊徐代果邓民明王妍
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一种非对称异质结碳化硅槽型场氧功率MOS器件
本发明属于半导体功率器件领域，涉及一种非对称异质结碳化硅槽型场氧功率MOS器件，包括依次线性布置的漏极金属、N型衬底层、N型漂移区、N型载流子扩散区、P型沟道层、源极金属；还包括与源极金属连通的槽型栅电极、槽型源电极以及...
胡盛东安俊杰
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基于SOC的北斗导航系统接收机抗攻击系统及其抗攻击方法
一种基于SOC的北斗导航系统接收机抗攻击系统，包括射频模块，该射频模块设置有用于接收卫星信号的天线，射频模块将天线接收到的信号降频和AD采样后将数字低频信号发送至基带处理模块；基带处理模块，该基带处理模块包括：用于将数字...
周喜川余磊严超李胜力胡盛东张玲谭晓衡
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半导体器件老炼筛选试验设计被引量：4
2014年
老炼筛选试验是有效剔除内含固有工艺缺陷的半导体器件,以及保证半导体器件使用可靠性的重要途径。本文阐述了半导体器件早期失效的基本概念,并给出了半导体器件早期失效率的预计方法。在此基础上提出了半导体器件老炼筛选试验设计方法,以期最大限度地保证半导体器件出厂后的使用可靠性。
罗俊陈世钗胡盛东刘凡赵胜雷陈浩然晏开华王媛
关键词：半导体器件
一种具有纵向NPN结构的双栅LDMOS器件
本发明公开了一种具有纵向NPN结构的双栅LDMOS器件,涉及一种半导体功率器件，P‑衬底、有源顶层硅、横向多晶硅栅、纵向多晶硅栅、源电极区、漏电极区和场氧层，有源硅层包含有纵向NPN结构即纵向排列的上层N型硅条、中层P型...
胡盛东金晶晶陈银晖朱志武星河李少红阮祯臻丁文春
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一种高速超结横向绝缘栅双极型晶体管
本发明公开了一种高速超结横向绝缘栅双极型晶体管，属于半导体功率器件技术领域，通过将现有体硅超结横向绝缘栅双极型晶体管的轻掺杂的衬底换成重掺杂的衬底实现快速关断，通过合理设置超结耐压层中各漂移区的杂质总数保证器件的击穿电压...
林智袁琦韩姝胡盛东周建林唐枋周喜川
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集成电路测试技术实验内容研究与探讨
集成电路测试技术是现代集成电路产业的重要组成部分,随着集成电路复杂程度的日益提高,集成电路测试技术已成为集成电路专业的重要教学课程之一。针对集成电路测试技术实验教学中学生对测试原理及设备缺乏深入理解及认知的问题,提出一种...
甘平胡盛东李正周刘然
关键词：FPGA集成电路测试参数测量
一种极低导通电阻的槽型场氧功率MOS器件
本发明公开了一种极低导通电阻的槽型场氧功率MOS器件，涉及一种半导体功率器件，包括衬底P型硅层、有源顶层硅和槽型场氧，有源硅层包含有纵向沟道、N-漂移区、P型硅区，以及埋于整个衬底表面的N+漏区；本发明在常规的槽型场氧器...
胡盛东张玲甘平周喜川周建林刘海涛
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一种基于非对称天线效应的CMOS片上恒稳定ID产生电路
本发明公开了一种基于非对称天线效应的CMOS片上恒稳定ID产生电路，包括NMOS管M1、NMOS管、PMOS管M2和反相器，所述PMOS管M2的源极和栅极、反相器的电源端分别与电源VDD连接，PMOS管M2的漏极与反相器...
唐枋李世平周喜川胡盛东甘平叶楷舒洲陈卓殷鹏陈银晖谭跃王忠杰黄莎琳李明东
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一种具有保护层和异质结二极管的碳化硅槽型场氧功率MOS器件
本发明公开了一种具有保护层和异质结二极管的碳化硅槽型场氧功率MOS器件，一方面在常规的槽型场氧器件基础上，采用槽型栅电极和槽型源电极共用P型保护层，能有效降低元胞宽度，从而有效降低器件在开态时候的导通电阻；另一方面采用异...
胡盛东安俊杰
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