闫孟泽
- 作品数:6 被引量:7H指数:2
- 供职机构:内蒙古民族大学物理与电子信息学院更多>>
- 发文基金:内蒙古自治区教育厅科研基金更多>>
- 相关领域:理学电子电信更多>>
- Si(111)表面化学气相沉积SiC薄膜以及Si吸附过程的分子动力学模拟
- 由于碳化硅薄膜具有很多优良的物理、化学性质和广泛的应用前景,对其生长机制和制备方法的研究一直是物理学和材料学领域的重要内容。实验工作者利用物理气相沉积法(PVD)、化学气相沉积法(CVD)、液相外延生长(LPE)和分子束...
- 闫孟泽
- 关键词:分子动力学模拟化学气相沉积碳化硅薄膜
- 文献传递
- Tersoff势在小分子团簇几何优化中的应用被引量:1
- 2009年
- 深入分析了Tersoff势,并将Tersoff势用于优化由碳硅锗元素构成的双原子分子团簇(C2、CSi、CGe、Si2、SiGe、Ge2)及三原子分子团簇(C3、C2Si、C2Ge、CSi2、CGe2、CSiGe、Si3、Si2Ge、SiGe2、Ge3)的结构,得到了上述这些分子的最稳定结构,并将其中有些结构与从头计算、密度泛函理论和实验值进行了对比;另外,还分析了所得分子的平均结合能、键长和键角等的特点,并总结出一些规律.
- 李双郭德成赵艳春闫孟泽李之杰
- 关键词:团簇计算机模拟
- C_2团簇在金刚石(111)表面吸附结构的分子动力学模拟被引量:2
- 2011年
- 利用Brenner(#2)半经验多体相互作用势和分子动力学模拟方法研究荷能的C2在金刚石(111)表面的化学吸附过程.模拟300 K时,初始入射动能分别为1,20,30 eV的C2团簇从6个不同位置轰击金刚石(111)表面,观察到C2团簇在金刚石(111)表面形成的吸附结构,表面C原子键的打开以及C2团簇与表面C原子成键等物理过程,并讨论不同入射位置和入射能量对沉积团簇的结构特性的影响.结果表明,对于表面不同的局部构型,C2团簇发生不同的碰撞过程,C2团簇入射能量的提高有利于成键过程的发生,从原子尺度模拟沉积机制.
- 郭德成李双闫孟泽赵艳春李之杰
- 关键词:分子动力学模拟团簇
- Si在Si(111)表面吸附过程的分子动力学模拟被引量:3
- 2010年
- 利用Tersoff半经验多体相互作用势和分子动力学模拟方法研究了荷能的硅原子在Si(111)表面的吸附过程.对100K时,初始入射动能分别为5,15,25,30eV的硅原子从6个不同位置轰击Si(111)表面进行了模拟,观察到了硅原子在Si(111)表面形成的吸附结构,并讨论了不同入射位置和入射能量对吸附结构的影响.结果表明,硅原子相对于表面不同的局部构型发生不同的碰撞过程,而硅原子入射能量的提高有利于成键过程的发生,从原子尺度模拟了沉积机制.
- 闫孟泽赵艳春孔令权李之杰
- 关键词:分子动力学模拟
- Si(111)表面SiC薄膜生长过程的分子动力学模拟
- 基于分子动力学方法并选用Brenner 和Tersoff 作用势描述原子间的相互作用,选取Si 原子和C 原子作为沉积源,对SiC 薄膜的生长过程进行了计算机模拟.主要从平均密度、近邻分布、键长及键角分布等几个方面,讨论...
- 闫孟泽赵艳春孔令权李之杰
- H原子通过碳纳米管的分子动力学模拟被引量:1
- 2010年
- 利用Brenner(#2)半经验多体相互作用势和分子动力学模拟方法研究了氢原子在单壁碳纳米管中的运动.对温度为10K时,初始入射动能分别为1,5,10,15,20,30eV的H原子以不同的入射角度进入碳纳米管进行模拟,观察了氢原子与碳纳米管的吸附情况及在碳纳米管中的运动,并讨论了不同入射能量和入射角度对氢原子在碳纳米管中吸附的影响.结果表明,在能量为20eV时H原子能够很好的吸附在碳纳米管管壁上.
- 赵艳春闫孟泽孔令权李之杰
- 关键词:H原子单壁碳纳米管分子动力学模拟