丁振峰
- 作品数：44 被引量：94H指数：7
- 供职机构：大连理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广东省自然科学基金中国博士后科学基金更多>>
- 相关领域：理学化学工程电子电信一般工业技术更多>>
- 电子回旋共振等离子体技术被引量：13
- 1996年
- 微波电子回旋共振是一种先进的低温等离子体技术，它具有优良的综合指标，提高了微电子、光电子集成电路制造工艺等应用领域中的低温等离子体加工水平．文章介绍了电子回旋共振等离子体产生原理。
- 丁振峰邬钦崇任兆杏
- 关键词：电子回旋共振等离子体源微波传输
- 纳米碳管对MWPCVD过程增强金刚石形核的影响被引量：5
- 2000年
- 利用石英钟罩式微波等离子体化学气相沉积 ( MWPCVD)实验装置 ,研究了硅基体表面沉积金刚石薄膜时纳米碳管对金刚石形核过程的影响。扫描电子显微镜 ( SEM)形貌分析结果显示 ,纳米碳管处理能够促进金刚石形核。对非研磨基体而言 ,这是一种有效的增强金刚石形核的表面预处理方式。
- 俞世吉丁振峰马腾才邬钦崇
- 关键词：纳米碳管金刚石薄膜
- 脉冲调制射频功率测量中的标定及FFT分析方法研究被引量：1
- 2011年
- 利用电压/电流探头和数字示波器实现了脉冲调制射频功率测量。电压/电流探头输出的电压、电流信号由数字示波器采集存储,电压、电流的幅值及相位差由FFT分析得到。在不同频率下,对电压、电流幅值及相位差进行标定,获得计算射频功率的标定参数。分析表明电压、电流相位差是影响标定系数的主要因素,FFT方法处理非稳态调幅电压、电流时存在问题,只有在零无功功率处才能获得可信的吸收功率。
- 霍伟刚苏成孙斌丁振峰
- 关键词：相位差
- WC-Co硬质合金表面不同去钴预处理方法的比较研究被引量：2
- 2001年
- 用微波等离子体化学气相沉积 (MWPCVD)制备金刚石薄膜涂层之前 ,采用盐酸、硝酸化学腐蚀和氢 氧等离子体对WC Co硬质合金 (YG6 )基体表面进行去钴预处理。扫描电子显微镜形貌观察和X射线衍射谱分析都表明 ,与化学腐蚀方法相比 ,氢 氧等离子体处理具有独特的表面去钴效果 ,沉积金刚石薄膜的喇曼谱分析更证实其对涂层质量的改善 ,且对MW PCVD过程而言有其技术上的一些优越性。
- 俞世吉丁振峰马腾才邬钦崇
- 关键词：WC-CO硬质合金MWPCVD
- 热电子与热离子共存时的电荷裸露效应
- 1996年
- 本文采用简晰的平板模型，在局域近似下讨论了热电子、热离子共存时它们对低频交换模的影响。
- 丁振峰任兆杏邱励俭
- 关键词：等离子体磁镜
- 微波电子回旋共振等离子体刻蚀研究被引量：7
- 1996年
- 研究了线圈、多极混合磁位形ECR等离子体及刻蚀特性。静电探针测量结果表明，在φ200mm，φ100mm范围内等离子体离子流强径向不均匀性为±21．5％，±5．3％。4英寸片片内刻蚀不均匀性≤±0．5％，0．25μm线宽刻蚀方向性为0．75。并结合等离子体特性及刻蚀机理，对有关结果进行了分析。
- 丁振峰任兆杏史义才张束清戴松元
- 关键词：反应离子刻蚀电子回旋共振亚微米刻蚀
- 基片电极调谐型射频感性耦合等离子体源
- 本发明涉及了一种基片电极调谐型射频感性耦合等离子体源。其特征是具有上、下真空室、基片电极、外部调谐网络，射频天线采用柱面耦合方式，基片电极采用叠片绝缘屏蔽，通过外部可变电容、固定电感组成的调谐网络接地。本发明提出的电极调...
- 丁振峰
- 文献传递
- ECR-PECVD制备Si_3N_4薄膜沉积工艺的研究被引量：13
- 1999年
- 由偏心静电单探针诊断了电子回旋共振等离子体增强化学汽相沉积（ＥＣＲＰＥＣＶＤ）反应室内等离子体密度的空间分布规律．结果表明在轴向位置Ｚ＝５０ｃｍ处，直径１２ｃｍ范围内等离子体密度分布非常均匀．分析了等离子体密度径向均匀性对沉积速率均匀性和薄膜厚度均匀性的影响．讨论了沉积制备一定薄膜厚度的Ｓｉ３Ｎ４薄膜的工艺重复性．研究了各种沉积工艺参数与Ｓｉ３Ｎ４薄膜沉积速率的相互关系．
- 陈俊芳吴先球王德秋丁振峰任兆杏
- 关键词：氮化硅
- 射频感性耦合等离子体源的平面法拉第屏蔽系统
- 本发明公开了一种用于射频感性耦合等离子体源的平面法拉第屏蔽系统，用于抑制射频感性耦合放电中的寄生容性耦合，解决脉冲工艺以及电负性气体放电时与容性耦合相关的瞬时阻抗匹配、放电不稳定性等问题。本发明的特征是法拉第屏蔽系统由内...
- 丁振峰
- 文献传递
- ECR-PECVD制备Si_3N_4薄膜的光学特性研究被引量：3
- 1997年
- 本文研究了ECR－PECVD制备的Si3N4薄膜的光学特性．得到的Si3N4薄膜具有光致发光效应，在280℃沉积制备的Si3N4薄膜的光致发光波长为400nm，具有较好的单色性．测试分析了Si3N4薄膜对可见光、红外光具有较高的透射性能，Si3N4薄膜可作为红外光的增速减反射膜．
- 陈俊芳王卫乡廖常俊刘颂豪丁振峰任兆杏
- 关键词：PECVD光致发光增透膜氮化硅
