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何燕冬

作品数：72 被引量：25H指数：3
供职机构：北京大学更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学医药卫生更多>>

合作作者

文献类型

  • 49篇专利
  • 11篇期刊文章
  • 7篇会议论文
  • 3篇学位论文
  • 2篇科技成果

领域

  • 30篇电子电信
  • 7篇自动化与计算...
  • 1篇核科学技术
  • 1篇医药卫生
  • 1篇理学

主题

  • 16篇电路
  • 14篇集成电路
  • 12篇电压
  • 11篇衬底
  • 10篇沟道
  • 9篇氧化层
  • 9篇MOS器件
  • 8篇阈值电压
  • 8篇漏极
  • 8篇可靠性
  • 7篇电流
  • 6篇电容
  • 6篇源极
  • 6篇栅氧化
  • 6篇栅氧化层
  • 6篇偏置
  • 6篇波导
  • 5篇电路技术
  • 5篇超薄
  • 4篇增益

机构

  • 72篇北京大学
  • 1篇Ansoft...
  • 1篇国网冀北电力...
  • 1篇国网山东省电...

作者

  • 72篇何燕冬
  • 38篇张兴
  • 29篇张钢刚
  • 12篇许铭真
  • 11篇张立忠
  • 11篇王源
  • 10篇谭长华
  • 8篇洪杰
  • 8篇王兴军
  • 6篇段小蓉
  • 4篇艾雷
  • 4篇王博
  • 4篇杜刚
  • 4篇王阳元
  • 2篇廖怀林
  • 2篇孙雷
  • 2篇王冰
  • 2篇王熙庆
  • 2篇于民
  • 2篇黄如

传媒

  • 4篇第十三届全国...
  • 3篇电子学报
  • 2篇北京大学学报...
  • 1篇Journa...
  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇电子产品世界
  • 1篇中国集成电路
  • 1篇电子设计技术...
  • 1篇微纳电子与智...
  • 1篇第十三届全国...
  • 1篇第十四届全国...
  • 1篇第十五届全国...

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2023
  • 4篇2021
  • 8篇2020
  • 5篇2019
  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 2篇2016
  • 5篇2015
  • 6篇2014
  • 5篇2013
  • 8篇2012
  • 4篇2011
  • 1篇2010
  • 2篇2009
  • 3篇2007
  • 3篇2005
  • 1篇2004
  • 4篇2003
  • 1篇1999
共 72 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种电驱动的片上集成掺铒波导放大器及其制备方法
本发明实施例提供一种电驱动的片上集成掺铒波导放大器及其制备方法，包括：在光路上依次设置的硅衬底、DBR底部反光镜、光波导、增益介质层、DBR顶部反光镜、键合层、Ⅲ‑Ⅴ族泵浦层，Ⅲ‑Ⅴ族泵浦层通过电致发光产生泵浦光，在信号...
王兴军周佩奇王博何燕冬
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栅氧化层界面陷阱密度测试结构及测试方法
本发明公开了一种栅氧化层界面陷阱密度测试结构及测试方法，涉及MOS器件质量、可靠性测试技术领域，所述测试结构包括n型MOSFET及对应的p型栅氧化层电容，或者p型MOSFET及对应的n型栅氧化层电容；所述n型MOSFET...
何燕冬洪杰张钢刚张兴
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栅氧化层界面陷阱密度测试结构及测试方法
本发明涉及MOS器件质量及可靠性研究领域，公开了一种栅氧化层界面陷阱密度测试结构及方法。本发明使得n型和p型MOS器件的栅氧化层界面陷阱密度测试可以在同一测试结构上完成，不仅可以缩短一半的测量的时间，而且由于本测试方法是...
何燕冬张钢刚刘晓彦张兴
文献传递
像素级空间差分获取电路、方法及图像传感器阵列
本申请公开了一种像素级空间差分获取电路、方法及图像传感器阵列。本申请实施例提供的像素级空间差分获取电路，包括比较器以及多个电流型乘法运算单元，每一所述电流型乘法运算单元的正电流输出端连接所述比较器的第一输入端，每一所述电...
杜刚任旭刘力桥何燕冬
基于FDSOI gg-NMOS辅助触发的ESD保护器件
本发明实施例提供了一种基于FDSOI gg‑NMOS辅助触发的ESD保护器件，在P型衬底内设置N阱注入区，且N阱引出区与漏区连接，可以获得体硅级别的ESD电流泄放能力，满足FDSOI工艺下内部核心电路的ESD设计窗口的要...
王源张立忠何燕冬
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pMOSFET器件负偏置温度不稳定性寿命预测方法
本发明公开了一种pMOSFET器件负偏置温度不稳定性寿命预测方法，包括：S1：施加负偏置应力之前，测量pMOSFET器件的初始特性，得到初始器件参数；S2：对该器件的栅极施加应力条件，且漏极电压为正常工作电压，在预设的时...
何燕冬张钢刚刘晓彦张兴
文献传递
一种基于FDSOI的gg-NMOS器件
本发明实施例提供一种基于FDSOI的gg‑NMOS器件，包括：沟道区、P型衬底、埋氧区及N阱注入区；埋氧区形成于P型衬底的上部，沟道区形成于埋氧区的上部；N阱注入区形成于P型衬底的上部且N阱注入区与埋氧区连接，N阱注入区...
王源张立忠张兴何燕冬
文献传递
纳米尺度硅集成电路新结构器件与工艺
黄如张兴刘晓彦王阳元韩汝琦康晋锋张盛东许铭真于民何燕冬杜刚许晓燕廖怀林孙雷王金延
该成果依托973和国家自然科学基金重点项目，面向亚50nm硅基集成电路技术中的诸多挑战，从亚50nm的新型器件结构与制备工艺、可靠性、器件与工艺模拟软件等方面开展了系统深入的研究，取得了系列具有自主知识产权的创新成果，建...
关键词：
关键词：集成电路
测试MOS器件温度特性的结构及方法
本发明提供一种测试MOS器件温度特性的结构及方法，所述结构包括：一个自带加热结构的待测试MOS器件和一个PN结，所述加热结构为围绕在MOS器件和PN结周围，且在一侧有开口的框型电阻结构。通过利用加热结构快速升温的特点，对...
何燕冬张钢刚刘晓彦张兴
片上泵浦-信号光共振的铒硅酸盐激光器及其制备方法
本发明实施例提供的片上泵浦‑信号光共振的铒硅酸盐激光器及其制备方法，包括激光有源区和混合谐振腔，混合谐振腔加载在激光有源区的上表面；激光有源区由下至上依次设置有硅衬底层和增益介质层；增益介质层为氮化硅层与铒硅酸盐层交替结...
王兴军周佩奇何燕冬
文献传递
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