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张立忠

作品数：22 被引量：3H指数：1
供职机构：北京大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学医药卫生更多>>

合作作者

文献类型

  • 21篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇医药卫生
  • 1篇理学

主题

  • 8篇电路
  • 8篇集成电路
  • 8篇触发
  • 7篇沟道
  • 7篇衬底
  • 6篇静电放电
  • 6篇静电放电保护
  • 6篇可控硅
  • 6篇二极管
  • 5篇电阻
  • 5篇氧
  • 4篇电路芯片
  • 4篇芯片
  • 4篇静电
  • 4篇集成电路芯片
  • 4篇保护器件
  • 3篇外接电阻
  • 3篇漏电
  • 3篇漏电流
  • 3篇接电

机构

  • 22篇北京大学

作者

  • 22篇张立忠
  • 22篇王源
  • 18篇张兴
  • 11篇何燕冬
  • 9篇陆光易
  • 7篇贾嵩
  • 4篇郭海兵
  • 3篇曹健
  • 2篇张钢刚
  • 1篇田明

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2021
  • 3篇2020
  • 6篇2019
  • 2篇2018
  • 3篇2017
  • 2篇2016
  • 3篇2015
  • 2篇2014
共 22 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种维持电压可调的静电放电保护电路
本发明涉及集成电路芯片静电放电保护电路领域，尤其涉及一种利用瞬态触发的、维持电压可调的ESD保护电路。该维持电压可调的静电放电保护电路包括瞬态触发模块以及泄放器件可控硅，所述维持电压可调的静电放电保护电路还包括，维持电压...
王源郭海兵陆光易张立忠贾嵩张兴
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二极管辅助触发的可控硅器件及其制造方法、集成电路
本发明公开了一种二极管辅助触发的可控硅器件及其制造方法、集成电路，该器件包括：依次设置在P型衬底上的第一P+注入区，第一N+注入区和至少两个N阱区，每一N阱区内均设置有靠近所述第一P+注入区的第二P+注入区和远离所述第一...
王源张立忠何燕冬张兴
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基于FDSOI的gg-NMOS器件
本发明实施例提供了一种基于FDSOI的gg‑NMOS器件，包括：P型衬底、埋氧层、源极、漏极、栅极和外接电阻；外接电阻的一端与漏极连接，在外接电阻与漏极之间接入静电输入端，外接电阻的另一端与P型衬底连接；P型衬底的表面上...
王源张立忠何燕冬张兴
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一种二极管链触发的栅控PIN结静电放电保护器件
本发明涉及集成电路的静电放电保护技术领域，尤其涉及一种二极管链触发的栅控PIN结静电放电保护器件。该静电放电保护器件包括P型衬底、n个N型阱区以及栅控PIN结，其中，n为常数；n个N型阱区以及栅控PIN结形成于P型衬底上...
王源张立忠陆光易曹健张兴
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二极管辅助触发的可控硅器件及其制造方法、集成电路
本发明公开了一种二极管辅助触发的可控硅器件及其制造方法、集成电路，该器件包括：依次设置在P型衬底上的第一P+注入区，第一N+注入区和至少两个N阱区，每一N阱区内均设置有靠近所述第一P+注入区的第二P+注入区和远离所述第一...
王源张立忠何燕冬张兴
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基于FDSOI的gg-NMOS器件
本发明实施例提供了一种基于FDSOI的gg‑NMOS器件，包括：P型衬底、埋氧层、源极、漏极、栅极和外接电阻；外接电阻的一端与漏极连接，在外接电阻与漏极之间接入静电输入端，外接电阻的另一端与P型衬底连接；P型衬底的表面上...
王源张立忠何燕冬张兴
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一种二极管链触发的栅控PIN结静电放电保护器件
本发明涉及集成电路的静电放电保护技术领域，尤其涉及一种二极管链触发的栅控PIN结静电放电保护器件。该静电放电保护器件包括P型衬底、n个N型阱区以及栅控PIN结，其中，n为常数；n个N型阱区以及栅控PIN结形成于P型衬底上...
王源张立忠陆光易曹健张兴
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一种LDMOS ESD器件
本发明涉及集成电路的静电放电保护技术领域，尤其涉及一种LDMOS ESD器件。本发明的LDMOS ESD器件在源漏区的下方引入P+掺杂区，使得在LDMOS ESD器件获得更高的二次击穿电流。当ESD冲击发生时，寄生的晶体...
王源张立忠陆光易贾嵩张钢刚张兴
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一种硅控整流器
本发明公开了一种硅控整流器，包括：P型衬底，所述P型衬底上从左到右依次设有第一N阱区、第二N阱区、第三N阱区、第四N阱区以及第五N阱区；所述第一N阱区、所述第二N阱区、所述第三N阱区、所述第四N阱区以及所述第五N阱区依次...
王源张立忠何燕冬张兴
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基于FDSOI gg-NMOS辅助触发的ESD保护器件
本发明实施例提供了一种基于FDSOI gg‑NMOS辅助触发的ESD保护器件，在P型衬底内设置N阱注入区，且N阱引出区与漏区连接，可以获得体硅级别的ESD电流泄放能力，满足FDSOI工艺下内部核心电路的ESD设计窗口的要...
王源张立忠何燕冬
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