刘磊
- 作品数：10 被引量：7H指数：2
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- 脉冲负偏压的占空比对多孔氧化硅薄膜拉曼光谱的影响
- 用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的方法,以硅烷为源气体,在玻璃基片上沉积得到多孔的氧化硅薄膜.将反应过程中加在沉积区域的脉冲负偏压固定在-300V,当占空比从0.162增大到0.864时,薄膜样品的结构、形貌均不...
- 杨沁玉刘磊丁可张菁王庆瑞
- 关键词：占空比拉曼光谱等离子体增强化学气相沉积
- 文献传递
- 介质阻挡放电等离子体沉积多孔硅纳米颗粒膜的光发射及红外光谱被引量：4
- 2010年
- 用介质阻挡放电(DBD)等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的方法,以硅烷为源气体,在沉积区域加载脉冲负偏压进行调节,在玻璃基片上沉积得到具有荧光特征的多孔硅纳米颗粒膜。沉积过程的发射光谱结果表明,在412 nm处出现S iH*(A2Δ→X2Π0-0)特征峰,证明放电沉积过程中存在不同程度的硅烷裂解。将脉冲负偏压固定在-300 V,当占空比从0.162增大到0.864时,薄膜的红外光谱显示S i—O—S i在1 070cm-1伸缩振动吸收峰与800 cm-1的弯曲振动峰都有所增强,而930 cm-1的S i—H弯曲振动减弱。说明随着占空比的增加,S i—O—S i键的结合越来越明显。
- 刘磊杨沁玉王德信杨平张菁
- 关键词：发射光谱红外光谱占空比
- 脉冲负偏压的占空比对多孔氧化硅薄膜拉曼光谱的影响被引量：2
- 2008年
- 用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的方法,以硅烷为源气体,在玻璃基片上沉积得到多孔的氧化硅薄膜。将反应过程中加在沉积区域的脉冲负偏压固定在-300V,当占空比从0.162增大到0.864时,薄膜样品的结构、形貌均不相同。拉曼光谱显示,位于480cm-1附近的峰在低占空比条件下存在,但是当占空比升高到0.702时该峰基本消失。位于560cm-1附近的峰则随着占空比的继续升高而增强,并出现蓝移,这说明薄膜样品中的非晶硅在占空比升高时消失,氧化硅所占比例不断增加,同时颗粒变小。扫描电镜照片也表明,组成多孔氧化硅薄膜的颗粒在占空比增大时变得细腻并且薄膜整体变得蓬松多孔。
- 杨沁玉刘磊丁可张菁王庆瑞
- 关键词：占空比拉曼光谱
- 功能翻译理论指导下的IT技术指南翻译
- 随着科技的迅速发展，以 IT技术为代表的新兴技术不仅在推动经济发展中起到关键作用，也深刻影响着人们的生活方式。在全球化背景之下，中国不断深化与全球各国在IT技术的开发和创新上的合作，而这方面密切的合作催生了IT技术指南的...
- 刘磊
- 关键词：英译汉功能翻译理论
- 脉冲偏压占空比对多孔氧化硅薄膜性质的影响被引量：2
- 2010年
- 采用由脉冲负偏压调节的等离子体增强化学气相沉积方法,以硅烷为源气体,在玻璃基片上沉积得到了多孔二氧化硅薄膜。将反应过程中加在沉积区域的脉冲偏压固定在-350V,当占空比从0.162增大到0.864时,薄膜样品的形貌、成份和结构均不相同。扫描电镜照片表明,组成多孔氧化硅薄膜的颗粒在占空比增大时变得细腻,并且薄膜整体变得多孔且蓬松。拉曼光谱和红外光谱结果显示,薄膜样品中的非晶硅和Si-H键在较高的占空比下减弱甚至消失。占空比升高时氧化硅桥键所占比例持续增加。
- 杨沁玉刘磊丁可张菁王庆瑞
- 关键词：占空比拉曼光谱红外光谱
- 常压低温等离子体沉积多孔硅基纳米颗粒薄膜的过程研究
- 常压等离子体增强化学气相沉积(Plasma-enhanced chemical vapor deposition)是使原料气体在电场中成为等离子体状态，产生化学上非常活泼的激发态分子、原子、离子和原子团等，促进化学反应，...
- 刘磊
- 关键词：常压等离子体化学气相沉积光致发光
- 文献传递
- 常压等离子体聚合纳米多孔氧化硅薄膜结构与CL谱研究
- <正>引言纳米多孔二氧化硅薄膜在室温下可以发出可见光,因此对这种薄膜制备及性能表征的研究已成为材料相关领域的热点之一。但是传统得到氧化硅都采用湿法制备,这种方法严重污染环境,不利于环保。PECVD方法则是在完全干态环境中...
- 杨沁玉刘磊丁可郭颖徐金洲张菁
- 文献传递
- 面向散乱零件机器人抓取作业的立体图像处理与匹配技术
- 传统固体火箭发动机壳体外挂件的焊接，准备工作由工人手工选取零件，并按压在壳体上完成焊接前定位。壳体上外挂件数量多、分布在壳体不同部位、工人劳动强度高、焊接位置偏差大与安全性难以得到保障。针对上述问题，论文提出了一种基于双...
- 刘磊
- 关键词：双目视觉机器人图像处理
- 文献传递
- 常压等离子体气相沉积制备纳米硅基多孔发光材料的方法
- 本发明涉及一种常压等离子体气相沉积制备纳米硅基多孔发光材料的方法，包括步骤：(1)沉积基片置于立体梳状电极之下，用机械泵将反应室中的空气除去；(2)通过进气口的莲蓬头通入混合气体，调节混合气体流速，控制沉积室气压为常压附...
- 杨沁玉夏磊刘磊徐金洲郭颖张菁
- 文献传递
- 常压等离子体气相沉积制备纳米硅基多孔发光材料的方法
- 本发明涉及一种的常压等离子体气相沉积制备纳米硅基多孔发光材料的方法，包括步骤：(1)沉积基片置于立体梳状电极之下，用机械泵将反应室中的空气除去；(2)通过进气口的莲蓬头通入混合气体，调节混合气体流速，控制沉积室气压为常压...
- 杨沁玉夏磊刘磊徐金洲郭颖张菁
- 文献传递
