吴国庆
- 作品数：8 被引量：26H指数：4
- 供职机构：北京工业大学更多>>
- 发文基金：国家科技支撑计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信建筑科学更多>>
- 具有整体供电方式的LED灯具
- 具有整体供电方式的LED灯具，属于LED照明领域。其包括可提供恒定电流的驱动电源，灯具支架，托盘，灯罩，灯头，直流LED光源。通过导线将所有LED发光源以串联或串并联的方式连接起来。本发明提供的集成高效节能LED灯具，可...
- 郭伟玲吴国庆朱彦旭崔德胜
- 文献传递
- GaN基功率LED制备及其可靠性研究
- GaN基功率LED（light emitting diode，发光二极管）凭借其节能环保、长寿命等优点已广泛应用于社会生活的各个方面，尤其在半导体照明领域更为突出，有着广泛的应用前景。LED的实用化和商品化使照明技术面临...
- 吴国庆
- 关键词：可靠性分析氮化镓光电性能
- 一种基于伪失效寿命的LED可靠性快速评价方法被引量：9
- 2013年
- 提出一种快速评价LED可靠性的有效方法。通过测试LED样品的伪失效寿命,结合Minitab软件进行数据分析,确定全部样品的伪失效寿命服从二参数的威布尔分布。通过计算威布尔分布尺度参数,比较不同样品的尺度参数来评价产品的可靠性。该方法对LED的可靠性评价和寿命预测有一定的参考价值。
- 郭伟玲樊星崔德胜吴国庆俞鑫
- 关键词：发光二极管定时截尾试验威布尔分布
- 钢框架的消能支撑
- 吴国庆
- 人体模式静电对GaN基蓝光LED载流子运动及其可靠性的影响被引量：5
- 2012年
- 对GaN基蓝光发光二极管(LED)分别施加-400,-800,-1 200,-1 500 V的反向人体模式静电打击,每次静电打击后,测量LED样品电学参数和光学参数的变化,从理论上分析了静电对LED可靠性的影响。实验发现:对GaN基蓝光LED进行人体模式下的静电打击后,其I-V特性曲线发生变形,光通量减小,老化时性能衰减的速率加快,这是由于受静电打击后在LED芯片内部产生了二次缺陷和熔融通道。对LED在不同温度下进行了I-V特性曲线的测量。实验结论认为未受静电打击的LED中浅能级离化占主导地位,受静电打击的LED中深能级离化占主导地位。静电引起的失效机理可以概述为二次缺陷和熔融通道的产生、深浅能级载流子的运动和辐射复合、非辐射复合之间的转变等因素引起的LED性能退化。
- 吴国庆郭伟玲朱彦旭刘建朋
- 关键词：LED静电可靠性
- 驱动电流对大功率白光LED荧光粉转换效率的影响被引量：4
- 2012年
- 对4种1W白光功率LED进行了100～900mA的变驱动电流光学特性试验。分析了荧光粉转换效率随驱动电流变化的内在机理,一是由于驱动电流增大导致蓝光芯片内量子限制斯塔克效应引起峰值波长蓝移,致使蓝光与荧光粉的匹配程度降低;二是由于驱动电流增大导致器件温度升高,荧光粉的非辐射增多,且其激发态能级分裂加剧,导致部分能量降低,黄光波长出现红移现象。通过分析上述两种因素的综合作用,得出了荧光粉转换效率随驱动电流变化的规律,并据此提出改进白光LED驱动电流特性的建议。
- 吴国庆郭伟玲朱彦旭刘建朋崔德胜闫薇薇
- 关键词：荧光粉电流LED大功率
- GaN基功率LED电应力老化早期的退化特性被引量：4
- 2012年
- 对InGaN/GaN多量子阱蓝光和绿光LED进行了室温900 mA电流下的电应力老化,发现蓝光LED老化到24 h隧穿电流最小,绿光LED到6 h隧穿电流最小;同时,两种LED的反向漏电也最小、光通量最大,随后绿光LED的反向漏电增加较快且光通量衰减较快。把热退火效应和电应力下缺陷的产生分别看成正负加速因子,绿光LED的负加速因子的增加速度比蓝光LED大,衰减较快。该结果对GaN LED的改进有一定参考价值。
- 崔德胜郭伟玲崔碧峰丁艳闫薇薇吴国庆
- 关键词：发光二极管氮化镓光通量
- ITO退火对GaN基LED电学特性的影响被引量：5
- 2012年
- 近些年来,越来越多的发光二极管采用铟锡氧化物(ITO)作为电流扩展层,但是如果不对其进行任何处理,得到的发光二极管的电学特性很差,要得到好的电学特性需要对长有铟锡氧化物的发光二极管进行退火处理.针对不同的退火时间和退火温度对发光二极管的电学特性影响不同的问题,通过测量不同条件下退火得到的发光二极管的理想因子和串联电阻,根据Shah等人提出的模型进行分析,推测出铟锡氧化物和P型氮化镓的接触特性.结果表明:发光二极管的电学特性开始随着退火温度的升高和时间的增加到达一个优值,如果继续增加温度或者时间都会导致发光二极管电学特性的下降.这样有利于优化退火温度和时间,得到电学性能较好的器件.
- 刘建朋朱彦旭郭伟玲闫微微吴国庆
- 关键词：退火串联电阻
